Способ изготовления лногослойной тонкопленочной структуры

Союз Советских Социалистических Республикависимое от авт. свидетельствааявлено 19.Ч.1968 ( 1257876/26-9) л, 21 а 4 исоединением заявк МПК Н 05 с Комитет по делам зобретений и открытий при Совете Министров СССРриоритетпубликовано ЗОЛХ.1969. Бюллетень3ата опубликования описания 24,11.1970 1,3,049.75 (088,8 Пет ноженов, Е. В. Михайловская,П. ф. Романенкодемии наук Украинской ССРников АН Украинской ССР Ин титутФ" ститут кибернетики А полупрово3 аявител ПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫо- их описанного способа изготовленых тонкопленочных структур бходимость защищать материал не закрытых диэлектрическими Применени ия многосло страняет нео окопроводов лоями. В случае использования в к лов токопроводов меди, сереб 5 гих металлов, в качестве акт можно применять легко напь НИЯ Аз 2 ЬЗ) Аз 2 з) РЬ 2 И други пающие в химическую реакц материалами токопроводов т 0 вием света, ачестве материара, золота и дру- ивного вещества ляемые соединее вещества, встуию с указанными олько под дейстщии токо- лектричеько меньску напыпособного реакцию Авторыизобретения М. Т. Костышин, Е, П, Кр Настоящее изобретение относится к области тикроэлектроники, а именно, к способу изготовления многослойных тонкопленочных структур.Известен способ изготовления тонкопленочных многослойных структур, в соответствии с которым на каждый токопроводящий слой наносят диэлектрический слой, имеющий толщину несколько меньше расчетной, обрабатывают токопроводящий слой травителем, не воздействующим на магериал диэлектрического слоя, доводят толщину диэлектрика до расчетной, наносят второй токопроводящий слой и производят выжигание контактных мостиков электрическим током.Однако при использовании известного спос ба образуется большое число токопроводящ мостиков, удаление которых затруднено.Целью настоящего изобретения является уменьшение количества токопроводящих мостиков, улучшение параметров тонкопленочной структуры и упрощение технологии изготовления структуры. Для этого на слой металла, служа проводом, через маску наносят диэ ский слой, имеющий толщину нескор ше расчетной. Затем через эту же ма ляют слой активного вещества, с вступать с металлом в химическую под действием излучения. Это активное вещество находится в непосредственном соприкосновении с металлом токопроводящего слоя только в тех местах, в которых слой диэлект рика имеет отверстия. Под действием излучения в тех местах, где слой активного вещества соприкасался с металлом проводящего слоя, происходят фотохимические превращения. Затем активное вещество, а если это необходимо, 10 то и продукты реакции растворяют или удаляют каким-либо другим образом, доводят толщину диэлектрика до расчетной, напыляют второй токопроводящий слой и проводят выжигание контактных мостиков электрическим 15 током.253197 Предмет изобретения Составитель Э. фридолииа Редактор В. Кузнецов Техред А, А. Камышникова Корректор Р. И, КрючковаЗаказ 335/8 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква 7 К.35, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 Способ изготовления многослойной тонкопленочной структуры, состоящей из чередующихся токопроводящих и разделяющих их слоев диэлектрика, основанный на последовательном нанесении указанных слоев и последовательной доводке толщины каждого диэлектрического слоя до номинального значения, производимой после удаления токопроводящего материала с дефектных участков диэлектрического слоя, имеющего толщину несколько меньше расчетной, и выжигания электротоком межслойных контактных мостиков с токопроводящей поверхности, отличающийся тем, что, с целью уменьшения количества межслойных токопроводящих мостиков и упрощения про цесса удаления их, на каждый диэлектрический слой через маску, которая применялась для напыления диэлектрика, наносят светочувствительный материал, который под действием света или какого-либо облучения вступает в 10 химическую реакцию с токопроводящим материалом, находящимся в порах диэлектрического слоя, после чего слой светочувствительного материала и, если это нужно, продукты реакции удаляют.