Патенты с меткой «состояний»
Способ лечения гипоксических состояний
Номер патента: 1801499
Опубликовано: 15.03.1993
Авторы: Булганин, Зельманович, Изюмцев, Костюшов, Марусанов, Петраш
МПК: A61M 1/14
Метки: гипоксических, лечения, состояний
...свои антиоксидантные свойства наиболее проявляют при использовании их в сочетании,Заявляемый способ был апробирован в Ленинградском государственном институте усовершенствования врачей им. С,М. Кирова на 18-ти больных реанимационного отделения, у которых заболевание осложнилось дыхательной недостаточностью с явлениями гипоксии, Апробация показала положительный результат применения предлагаемого способа. Практически у всех больных динамика лечения была значитель-но лучше, чем при использовании известныхприемов интенсивной терапии с экстракорпоральной оксигенацией крови. анимации и интенсивной терапии в тяжеломсостояниии с диагнозом: отстрый панкреатит, перитонит.В этот же день больной был взят наоперацию: произведено удаление...
Способ моделирования аллергических состояний у экспериментальных животных
Номер патента: 1803928
Опубликовано: 23.03.1993
Авторы: Бабахин, Гончаров, Гущин, Мустафаев, Попов
МПК: G09B 23/28
Метки: аллергических, животных, моделирования, состояний, экспериментальных
...методике 7, 15, 16 на 5 беспородных крысах-самцах массой 200 - 260 г или 5 беспородных мышах-самках массой 18 - 22 г соответственно, Животным под эфирным наркозом строго внутрикожно (крысам на животе, мышам на спине) вводили микрошприцем по 30 мкл последовательных двукратных разведений пулов сывороток, приготовленных на 0,9% растворе ИаС, Разрешающую дозу ОА вводили под эфирным наркозом в хвостовую вену крысам через 24 - 48 ч (100 мкг/100 г массы в 1 мл 0,5% раствора синего Эванса), мышам через 2 ч (500 мкг в 0,2 мл 0,5% раствора синего Эванса), Через 30 мин животных под эфирным наркозом декапитировали и учитывали результаты реакции пассивной кожной анафилаксии на внутренней стороне кожи живота или спины соответственно. За титр...
Устройство для исследования параметров локализованных состояний в полупроводниковых структурах
Номер патента: 1812530
Опубликовано: 30.04.1993
Авторы: Линник, Стрилец, Титов
МПК: G01R 31/26
Метки: исследования, локализованных, параметров, полупроводниковых, состояний, структурах
...и не зависит от выходного сигнала блока 7.Пусть в режиме стабилизации емкости образца произошел дрейф частоты Ь 1, вызванный температурно-временным дрейфом паразитной емкости Сп: Тогда напряжение на выходе блока 7 изменится на такую величину ЬО, которая обеспечит изменение емкости образца на ЬС 4 = ЬСп, таким образом, чтобы частоты 1 оа и 1 снова сравнялись, В результате вольтметр фиксирует напряжение О = О 4 4. +ЬО, где О 4- напряжение, необходимое для стабилизации емкости образца на уровне С 4, ЬО - ошибка в измеряемом напрякении, связанная с температурно-временными изменениями паразитной емкости Сп.После переключения системы в режим стабилизации частоты частота автогенератора 1 путем изменения блоком 7 емкости варикапа...
Устройство бесконтактного диагностирования логических состояний цифровых интегральных схем
Номер патента: 1827652
Опубликовано: 15.07.1993
Авторы: Козлов, Кураченко, Наумов, Прохоренко, Чуварыгин
МПК: G01R 31/28
Метки: бесконтактного, диагностирования, интегральных, логических, состояний, схем, цифровых
...проводились с использованием осциллографа С 1-99 с коаксильным кабелем РКи выходным сопротивлением 1 мОм. Эпюры напряжений, снятых с осциллографа приведены на фотографии (фиг. 8), где развертка А - соответствует импульсу на выводе элемента 2 ИНЕ, развертка Б - сигнал, снимаемый с датчика,Выбор датчика, состоящего из 3-х витков объясняется компромиссом между сложностью конструкции датчика и собственной резонансной частотой контура, т.к. увеличение числа витков приводит к увеличению Ь, росту Ск и, следовательно, к уменьшению резонансной частоты 1 рез и снижению требований к широкополосности и быстродействию последующих устройств. Переколебательный процесс контура ударного возбуждения при необходимости можно демпфировать, введением...
Способ лечения ишемических состояний органов
Номер патента: 2001643
Опубликовано: 30.10.1993
МПК: A61N 5/06
Метки: ишемических, лечения, органов, состояний
...ции сосуда или пораженного органа от 5 гем, что, с цепью сокращения сроков лече- до 20 мин на каждую зону,Составитель В,ИноземцевТехреду М,Моргентал Корректор Е Пэпп Р.да к гор А. Б р Зэкээ 3141 Тираж Подписное НПО " Поиск Роспатента 113035 Мсквэ, Ж, Раушская нэб 4/5 Про зчдсвнноздэт:кй комбинат "Патент", г Ужгород улэарина, 101; ю. с еет одиод АЛ 107 Б, и злуча,; л; 1 ",г е 0.92-0,94 мкм в непрерывмцноет ью 10 м Вт,ецэльный держатель., , б;,. в коне ности, повыше Гок ходьбе. (а 2-3 процеля;силум клиническогоге: эбилизация состоя,.ц,. ти :линческй эффект , ь:; . ,двегждэпс данными инст р,"л.л,х лсгодов, в частности реова.,РэНурс лечения проводилось1-7,л,д с.,процедур. 5 10 15 20 25 30 35 40 45 Обьективно: нижние конечности бледные, с...
Способ лечения патологических состояний, сопровождающихся нехваткой gt рнк
Номер патента: 2001917
Опубликовано: 30.10.1993
Автор: Вильям
МПК: C07H 21/02
Метки: лечения, нехваткой, патологических, рнк, сопровождающихся, состояний
...подходящую конфигурацию синтетической дтРНК устраняет один или н сколько этих ингибиторов, что может частично обьяснить клинический ответ, который наблюдается при уменьшении концентрации вируса и восстановлении иммунной функции с разными хроническими виремиями, которые в настоящее время продолжают в значительной степени противостоять решительному медицинскому вмешательству. Предлагаемый способ может обълпл 1 ть, определить и корректировать ряд состояний нехватки дтРНК при различных болезнях. Некоторые дтРНК, т,н, ложноспаренные дтРНК, могут фактически замещать дтРНК природного происхождения, что помагает поддерживать функции, необходимые для нормальных клеточных процессов. Отсутствие такоей регуляции отРНК, не будучи скорректированно...
Способ моделирования быстро развивающихся пролонгируемых состояний гипобиоза у теплокровных животных
Номер патента: 2003185
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Константинов, Прокопьева, Тимофеев
МПК: G09B 23/28
Метки: быстро, гипобиоза, животных, моделирования, пролонгируемых, развивающихся, состояний, теплокровных
...3 - на 60%; у4 - на 48,3%; у 5 - на 474. После этого крысперевели в камеру с Тсо 17 - ." 1 оС, где их Тт30 стабилизировалась на уровнях: у крысы 126 оС, 2 26 1 о 3 26 Оо, 4 .;.1 8 о.у 5 - 32,0 С, Состояние гипобиозп при Тс17 + 1 оС поддерживали в течение 2 суту крысы 1 при Тт - 26.1 -0,5 оС.; у 2 -26,0 +0,3"С; у 3 - 26,0 й 0.5 оС.(рьсы 4 и 5находились в состоянии гипабиоза в течение 5 сут при Тт 31,8 й 0,2 и 32,0 + 0,5 Ссоответственно. После окончания лрологирования животных поместили в лаоораторнУю кпеткУ с Тсо 24 0 + 0,5 оС, где чеРез 3 - Пч животные восстановили Тт до нормь,.П р и м е р 2, В опыт взято 13 беп дхбеспородных крыс-са.емцов, массой, 11 .: 7 г.при Тт 37,0 й 0,2 С, Всем животным введен45 орнид в дозе 15 мг/кг и сеоотонин в...
Устройство для измерения параметров поверхностных состояний в мдптранзисторах
Номер патента: 1409004
Опубликовано: 20.07.1999
МПК: G01R 31/26
Метки: мдптранзисторах, параметров, поверхностных, состояний
Устройство для изменения параметров поверхностных состояний в МДП-транзисторах, содержащее клеммы для подключения затвора, стока, истока и подложки испытуемого прибора, криостат с датчиком температуры, импульсный генератор, источник напряжения и блок регистрации и обработки данных, один из входов которого подключен к выходу датчика температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено вторым источником постоянного напряжения, преобразователем ток - напряжение и операционным усилителем, причем выход операционного усилителя подключен к первому входу блока регистрации и обработки данных и к клемме для подключения затвора испытуемого транзистора, первый источник...
Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник-диэлектрик мдп-структур
Номер патента: 1499637
Опубликовано: 27.12.1999
Авторы: Антоненко, Ждан, Сульженко, Сумарока
МПК: H01L 21/66
Метки: границе, мдп-структур, параметров, пограничных, полупроводник-диэлектрик, состояний
Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник - диэлектрик МДП-структур, включающий последовательную подачу на исследуемую структуру, находящуюся при температуре Tо, напряжения, обеспечивающего предельное заполнение пограничных состояний полупроводника основными носителями заряда, и обедняющего напряжения, нагрев структуры по окончании релаксации тока с постоянной скоростью при поддержании постоянства высокочастотной емкости структуры и снятие температурной зависимости вытекающего неравновесного тока jн(Т), отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения...