Патенты с меткой «помещенной»

Номер патента: 40002

Опубликовано: 30.11.1934

Автор: Аршинов

МПК: G01N 21/21, G02B 21/34

Метки: вращения, микроскопа, одной, плоскости, полусферы, поляризационного, помещенной, расправления, стеклянной, столике, столику

.... мидрдСкопдд-ТЯ ЧЭЧРЗВЛНИ ВРЗЩНИ диодного микроскопа зддя направления д в ОДНОЙ ПЛОСКОСТИ ЧТЕКЧЧЯННОЙ ЙПОЙУвращенияв одной плоскости помещен- .СФЕРЫ, ПОМЗЩЕННОЙ На СТОЛИКЗ- ЭТ ной на ролике стеклянной полусферыПРИПОСОбЛеНИЕГ-СОШОИТ ИЗ: ПРОЗРЧНОИе отличающееся применением выполнен - з/ ДХЖКРДжВЫДФЛЕ-ЕННОЙ аИЗ ПрОЗРЗЧНОИ пла- Ной "изе прозр рудного материайа ддуждди7 дС+ТъЧеС 9 ЙМаССЬ 1 ИЛИ ИЗ СТЕКДЗ- (о вырезаннойпхз ферической чашки двумяЬ" ддУа ЭТЭ (СМь ЧеРТеЖ 1 ВЪТРе 3 аНд ИЗ парайи взаимно перпендикулярных дугд СФЕР 12914014 нашими ШРЗНИЧЕНЗ ДВУМЯ большихжрутов, и уцроенной скользнчпарами 1: 2 И г 45 в 3 диМН ПеРПеНдВКУ щей; по смоченной глицерином или иней а ТЛЯРНЫХ ДУРО-ЧЬШИХ КРУГ 013, ИЗ КЧГОРЫЖ жидкостью поверхности...

Номер патента: 241551

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Богач, Гребинник, Жуков, Маныч, Рудин, Селиванов

МПК: G01T 5/06

Метки: камеры, магнитное, поле, помещенной, пузырьковой, расширительное, соленоида

...в рассеянное поле соленоида пузырьковой камеры и подключенной к источнику питания. С целью исключения резистивных потерь обмотка привода выполнена из сверхпроводящего материала,На чертеже предс ема пузырьковой камеры, снабжен ительным устройством.Подвижная катушка 1, выполненная из сверхпроводника, заключена в полое жесткое кольцо 2, которое через кронштейны 3 тяги 4 связаны с подвижной стенкой 5 камеры 6, помещенной в магнитное поле соленоида 7, Сохранение температурного режима установки обеспечивается криостатом 8. Катушка 1 располагается в зоне наиболее высоких значений радиальной составляющей рассеянного магнитного поля, создаваемого соленоидом 7. Протекание тока через катушку 1к возникновению пондермоторной силпосредство тяг...

Номер патента: 720567

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Сковорода, Тимофеев, Швилкин

МПК: H01J 17/48

Метки: магнитное, плазмы, поле, помещенной, температуры, электронной

...вычисляют из следующей зависимости: 65 где 6 - коэФфициент поглощениямощности электромагнитнойволны в плазме,1 ЛВ -/1" (В 3 )производная магнитная поляВ по координатев точкеэкстремума;д - частота электромагнитнойволны ди = Ое зсю + Ю,Предлагаемый способ определения электронной температурыплазмы поясняется чертежом,где изображено изменение электронной циклотронной частоты цг в пространстве вдоль оси Е (линия А). Вектормагнитного поля награвлен по оси 7 .Фиг,1 соответствует минимуму магнитного поля; фиг,2 - максимуму, Плазмапомещается в магнитное поле с экстремумом, Вдоль оси Е сквозь плазмупропускается электромагнитная волнас частотой ы, представленная линией Б,Фиг,1 соответствует случаю,когда магнитное поле имеет минимумв точке...

Номер патента: 906284

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Сковорода, Чулков

МПК: G21B 1/00

Метки: магнитное, плазме, поле, помещенной

...предстанлена одна из линий тока,. Совпадающая с силовой линией тороидального магнитного оляв плоскости тора Главная ось тора 0 перпендикулярна плоскости чертежа /, на фиг.2 - график зависимости коэффициента поглощения от частоты генератора зондирующего излучения с, при двух взаимно противоположных направлениях зондиронаниякривые 5 и 6),Пунктирная линия на фиг,1 изображает зондирующий луч, 1 и 2 - приемник и излучатель электромаг;итогоизлучения. Б гонке 3 производитсяизмерение тока, и она соответствуетмаксимуму е-ой гармоники электрснБОЙ ЦИКЛОТРОНОЙ ЧЯС . 011 П мО ВДОЛЬнаправления луч(. Из;ле ля ПОлскенеелуча на фиг. 1 эта ситуация пскдэд 1 аслева ), меняют точку измеренил 4,1 с Е ерс,Н р.:МЕр ЛУЕа а должЕН быть Дсст,;тсчес елдеек:...