H05H 1/16 — с использованием внешних электрических и магнитных полей
Ионная ловушка
Номер патента: 150946
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Озеров
МПК: G01T 7/06, H05H 1/16
...которой служит дисковое металлическое кольцо 4, охватывающее систему внутренних электродов. Внешняя сетка обеспечивает захват большого количества ионов и стягивание их на рабочую системувнутренних электродов,Последнее достигается приданием поверхности системы внутреннэлектродов достаточно большого отрицательного потенциала отностельно внешней сетки, а следовательно и ее кольцеобразного основаии,Таким образом, позерхность системы внутренних электродов становится для положительных ионов дном потенциальной ямы, образовавИес 5 Внутри лОВушки.Проникшие сквозь отверстия внешней сетки ионы стационарной 5,злы, имея сравнительно небольшую собственную кинетическую энер 5 К 5, внутри ловушки двигаются к поверхности системы внутрен. них электродов,...
Способ создания изолированной от стенок плазмы
Номер патента: 176992
Опубликовано: 01.01.1965
Авторы: Овчинников, Тарасенко, Швец
МПК: H05H 1/16
Метки: изолированной, плазмы, создания, стенок
...изолированной от стенок плазмы используют возникающую в результате высокочастотного разряда разность потенциалов между электродами и камерой, 15 приводящую к появлению между электродами осциллирующих по силовым линиям магнитного поля электронов, которые вызывают высокую ионизацию газа в междуэлектродном пространстве, 20Это позволяет получать плазму, изолированную от стенок и с меньшими примесями и потерями ионизировттн 11 ых частиц. В такую плазму легко вводится высокочастотная мощность, что имеет большое значение с точки 25 зрения,возможносги изучения высокочастотных способов ее нагрева.На чертеже изображенамощью которой реализуспособ. 0 Установка состоит из медной вакуумной камеры 1, по оси которой через фарфоровые изоляторы 2...
Способ плазменной резки
Номер патента: 221476
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Коршунов, Мадатов, Трунтаев
МПК: B23K 10/00, H05H 1/16
Метки: плазменной, резки
...СПОСОБ ПЛАЗМЕННОЙ РЕЗ рого при возбуждении дуги 5 рогазовый пузырь б. Зажиган ствляется без дежурной дуги ным касанием электрода об и образуется ие дуги осущнепосредстведелие,резки метал ащитой зон т упростить газа. Это доделие погруссе резки выщий газовую дмет изобретени ол- гиметаллов с д зоны реза,упрощения да газа, раз оду, из кото водород, обеСпособ тительно иаюи 1 ийс логии и мое изде процессе вающийезкищитой елью асхо т вется ехн ся чертежом. мся электро- В воду 3 по- вокруг котоеза рой печиИзвестны способы плазменнои лов с дополнительной газовой з реза.Описываемый способ позволяе технологию и уменьшить расход стигается тем, что разрезаемое и жают в воду, из которой в проце деляется водород, обеспечиваю защиту.Сущность изобретения...
Способ получения ионного луча для размерной обработки материалов
Номер патента: 243104
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Дружинин
МПК: H05H 1/16
Метки: ионного, луча, размерной
...при движении к объекту и обрабатывают его поверхность. Вследствие фокусирующего влияния электронного пространственного за,ряда ионы приближаются к центру электронного пучка,Целесообразно создать такое расп ние потенциала на пути движения эл ного зонда, чтобы в некоторой точке А самый высокий положительный по (распределение потенциала, соответст этому случаю, см. на фиг, 2). Ионы, образующиеся перед седловой точкой А, не проникают к объекту обработки;ионы, имеющие энергию меньше пороговой,20 не производят распыление объекта, поэтомуионы, принимающие участие в эффективнойионной бомбардировке катода, образуютсятолько на пути движения электронного зондаот эквипотенциали А-А до эквипотенциали25 В-В, потенциал которой превышает...
Магнитная ловушка
Номер патента: 286099
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Бирюков, Георгиевский, Зисер, Погожев, Сергеев
МПК: H05H 1/16
...нормали от границы удерживаемой плазмы.Для устойчивого удержания плазмы применяют системы, магнитая ось которых представляет собой винтовую линию, Такие системы выполняют в виде равномерно расположенных соосных магнитных катушек, охватывающих вакуумную камеру, и стабилизирующей винтовой обмотки, Однако эти системы конструктивно сложны. В то же время техно- логичные и удобные в эксплуатации секпионированные соленоиды при их обычном размещении не обеспечивают винтового хода магнитных силовых линий.Предлагаемая магнитная ловушка отличается тем, что магнитные катушки соленоида располагаются таким образом, что их центры находятся на оси вакуумной камеры, а плоскость каждой катушки перпендикулярна винтовой линии, условно нанесенной на...
Способ нагрева плазмы
Номер патента: 352610
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Власов, Рожков, Степанов, Супруненко, Фареник
МПК: H05H 1/16
...еН 2Р =2)и;с Известен способ нагрева плазмы путем усиления,колебаний плазмы на ионно-циклотронной частоте (ионно-циклотронный резонанс), при котором электромагнитная энергия с помощью катушки индуктив ности вводится в плазму на частоте, близкой к ионно-циклотрон- ной Недостатками известного, способа являются значительные омические потери в катушке индуктивности, потери в резонансных элементах схем ввода энергии, экранирование плазмой внешнего переменного )высокочастотного поля.Кроме того, катушка индуктивности возбуждает в плазме продольное высокочастотное электрическое поле, вызывающее пучковую неустойчивость.Предлагаемый способ нагрева плазмы, также основанный на ионно-циклотронном резонансе, обеспечивает достижение положительного...
Торсатрон
Номер патента: 433908
Опубликовано: 15.01.1976
Авторы: Геориевский, Зисер, Погожев, Сергеев
МПК: H05H 1/16
Метки: торсатрон
...данные системы поверхности с большой ве ности магнитного поля. Кр ки, особенно компенсац большие пондеромоторные обмотку необходимо выпол лом подъема спирали, что струкцию. В то же время тих торсатронов со спе продольного поля усложня вушки и ухудшает доступ ему. Предлагаемое устроиство отличается тем,что компенсационная обмотка выполнена ввиде винта с числом заходов большим, чемчисло заходов винтовой обмотки, причем на 5 правления навивки компенсационной и винтовой обмоток противоположны,Такое выполнение компенсационной обмотки приводит к созданию дополнительного однородного продольного магнитного поля, улучО шает характеристики компенсационного поляи позволяет уменьшить угол навивки винтовойобмотки (угол подъема спирали),На чертеже...
Устройство для получения электрического искрового разряда
Номер патента: 538507
Опубликовано: 05.12.1976
Автор: Гавриленко
МПК: H05H 1/16
Метки: искрового, разряда, электрического
...движение,О На чертеже изображено предложенноеустройство для получения электрическогоискрового разряда, общий вид.Устройство содержит металлическийнаконечник 1, колпачок 2, подвижный по 5 лый изолятор 3, корпус 4, немагнитный3токопровод 5, конусную гайку 6, двухсекционную катушку 7 электромагнита с обмотками, кольцевой сердечник 8, внешний магнитопровод катушки 9 и гайку 10, крепящую токопровод. бУстройство работает по принципу заряд-разряд. При подаче напряжения на обмотку 11 катушки срабатывает первая секция электромагнита, втягивается кольцевой сердечник 8, перемещая полый изоля О тор 3, наконечник 1 и токопровод 5 в положение А . При этом токопровод подключается к источнику высокого напряжения и совместно с...
Способ стабилизации неустойчивостей плазмы
Номер патента: 598524
Опубликовано: 30.12.1978
Авторы: Гвоздков, Фицнер, Черкашин, Чуянов
МПК: H05H 1/16
Метки: неустойчивостей, плазмы, стабилизации
...Составитель В. Обухов Редактор Е. Месропова Техред А. Камышникова Корректор А, Степанова Типография, пр. Сапунова, 2 случае малых инкрементов, порядка нескольких процентов от частоты колебаний)из-за применения поисковой системы дляотыскания области устойчивости, о т л и ч аю щ е е с я малым быстродействием, 5Цель изобретения - повышение быстродействия,Это достигается тем, что по предлагаемому способу из сигнала с датчиков состояния плазмы выделяют колебания на частоте подавляемой неустойчивости, сравнивают уровень амплитуды колебаний с заданным значением и в зависимости от ихразницы производят автоматическое изменение параметров обратной связи, 15На чертеже показано устройство, реализующее предлагаемый способ.В плазменном устройстве...
Способ получения высокотемпературной плазмы
Номер патента: 588901
Опубликовано: 05.04.1980
Автор: Лаврентьев
МПК: H05H 1/16
Метки: высокотемпературной, плазмы
...- координата точки старта;- текущая координата;О(г) - искомая функция распределения потенциала импульсав слое.588901 Формула изобретения 40 Л фиг. 2ставитель О., Лаврентьевхред Н.Ковалева Корректор В, Бутяга Фие,актор Е. Месропов акаэ 499/4 8 Тираж 885 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патенф, г. Ужгород, ул. Проектная,Это интегральное уравнение можетбыть решено с помощью преобразованияАбеля. Его решение:2 Ц( 1 . Г ИЛУ 1- = - + --- 1- - (1 ГСВ 1 й 1-2(2 )в 2 Т ипц лщг) ,5На Фиг. 1 приведена зависимостьпотенциала от радиуса; на фиг, 2 вупрощенном виде показан элемент шарового слоя,На участке от Н до 3/2 Р она близ- Ока к линейной. Участок от...
Токамак
Номер патента: 724062
Опубликовано: 30.05.1981
Авторы: Иванов, Кейлин, Клименко, Павлов, Соколов, Стависский, Ус, Цфасман
МПК: H05H 1/16
Метки: tokamak
...переменными магнитными полями, возникающими из-за движения плазмы по каналу.На чертеже схематич ажена . сверхпроводящая магнит ема токамака в разрезе.724062 формула изобретения ВНИИПИ Заказ 3363/51 Тираж 889Подпис МШ ва ийлиал ППП фПатентф, г, Ужгород, ул. Проектн Позйцией 1 обозначена обмотка СИС позицией 2 - внутренние сверхпроводя, щие экраны, позицией 3 - внешниймедный электромагнитный экран, охлаждаемый жидким азотом позицией 4кожух вакуумного криостата; позицией 5 - рабочая камера.Токамак работает следующим образом.При изменении внешвего магнитного -поля возникающего при возбуждении3тока,в плазме токамата во внешнем экране 3 наводятся токи, ограиичива.ющие скорость нарастания поля внутри экрана. Форма, размеры, толщина и...
Многощелевая магнитная ловушка
Номер патента: 1175342
Опубликовано: 15.02.1986
МПК: H05H 1/16
Метки: ловушка, магнитная, многощелевая
...Отрицательныйпотенциал, установившийся в центреловушки, плавно спадает к перифериипричем основной спад его (около 807)приходится на область, лежащую внеобъема удержания и простирающуюсядо ближайшей защемленной поверхности,Таким образом, несмотря на существование обширной области внутриобъема удержания, свободной от магнитного поля, величина среднейэнергии ионов не достигает максимально возможной величины, что связано с распространением потенциала,ускоряющего ионы, в область, лежащую вне объема удержания,Целью изобретения является увеличение средней энергии ионов вэлектромагнитной ловушке.Это достигается тем, что в электромагнитной ловушке, содержащей вакуумную камеру с размещенными в нейкольцевыми проводниками, равномерноохватывающими...