Патенты с меткой «пластине»

Номер патента: 1798834

Опубликовано: 28.02.1993

Автор: Рыбалко

МПК: H01J 37/28

Метки: пластине, чипов

...неподвижной пластины в направлении движения электронного пучка, перемещающегося от узла к узлу. Искомые величины определяются по спектральным характеристикам вто-рично-эмиссионного сигнала. лах первого участка. Подают через зондовую. головку йа чип питающие и рабочие напряжения и начинают последовательное зондирование узлов, постепенно перемещая пучок в сторону следующего контролируемого участка, Причем при облучении каждого узла измеряют величину сдвига спектра вторичных электронов и определяют по этой величине потенциал узла, Одно.временно с этим, по мере перемещения пучка, осуществляют перемещение анализатора энергйй электронов. И так до тех пор, пока 6 се участкй поверхности чипа не будут просканйрованы и протестированы. Затем...

Номер патента: 1812525

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Жарин, Кунавин, Малышев, Полякова, Сасновский, Трубило, Тявловский, Чигирь

МПК: G01R 29/12

Метки: изготовлении, интегральными, модулей, пластине, поверхностного, потенциала, рабочих, распределения, схемами

...собой зонд-электрод. В процессе измерения только один контакт коммутатора замкнут, остальные разомкнуты, Измерение 4550 55 ординатам исследуемой пластины. В случае превышения измеряемого потенциала за разрешаемый уровень, определяемый экспериментально конкретно для каждого вида пластины подложки, последний регистрирураспределения поверхностного потенциала на поверхности пластины осуществляется последовательно для каждого модуля, начиная с электрода, имеющего максимальную площадь сечения основания, и кончал электродом, имеющим минимальную площадь сечения оснований, причем измерение осуществляется относительно заданного уровня в блоке 5 управления и согласования сигнала с последующей выдачей на регистрирующее устройство (7) с привязкой к...

Номер патента: 1820425

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Козлов, Кузьминык, Уразов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметрам, пластине, разбраковки, стабилитронов, структур, электрическим

...микроскопа совмещают над неподвижным зондом 3 , Вертикали на одной оси подвижный зонд :.;:. Г 1 омеща 1 от в зазор между зондами пластину 6 и ориентируют пЬд зонд 5 контактный выступ 8 Верхней плоскости пластины, нижний контактныЙ выступ 7 пластины автоматически совмещается с неподвижным зондом Э устройства. Пластина фиксируется на поверхности приспособления с помощью Вакуумного присоса.Предметный солик 1 зондовой установки Ориентируется по осям Х, У, С включением зондовой установки в режиме "Автомат" подвижный зонд поочередно коГ тактирует с каждым контактным выступом пластины и согласно заданной программе От источника измерителя подается ток или прикладывается напряжение В зависимости От измеряемого Гараметра.Разбраковыва"...

Номер патента: 2005308

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Катеринич, Курин, Онопко, Оспищев, Попов

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28

Метки: испытаний, микросхем, моп-интегральных, пластине, ускоренных

...достижения сходного эффекта за счет отказа от установления связи коэффициента жесткости с плотностью ПС и сроком службы по току в подложку ИМС в патентной и научно-технической литературе не найдено. Сущность изобретения заключается в том, что ускоренные испытания на надежность МОП ИМС проводятся до разрезания пластины на кристалль 1 на основе установленной для данного типономинала изделия зависимости между вероятностью отказа при воздействии ИИ от уровня дозы ИИ в операции обучение - низкотемпературный отжиг, Контроль стандартных параметров МОП ИМС проводится до и после операции облучение-отжиг в режимах и условиях, указанных в ТУ для испытаний на надежность,Такой способ ускоренных испытаний обеспечивает сокращение длительности испытаний...

Номер патента: 1529940

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Васильев, Олейник, Сучков

МПК: G01R 31/26

Метки: пластине, полевых, свч, транзисторов

СПОСОБ КОНТРОЛЯ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ПЛАСТИНЕ, включающий подачу постоянного напряжения на стоковый и истоковый электроды полевого транзистора, возбуждение в нем СВЧ-тока, регистрацию усиленного полевым транзистором СВЧ-тока, определение коэффициента усиления полевого транзистора и сравнение его с эталонным значением, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и расширения частотного диапазона при контроле, после возбуждения СВЧ-тока к стоковому электроду полевого транзистора прикладывают поглощающую СВЧ-пластину, на участке стокового электрода между поглощающей СВЧ-пластиной и затвором полевого транзистора размещают электрооптический кристалл, возбуждение СВЧ-тока в полевом транзисторе осуществляют путем освещения...

Номер патента: 1387798

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Ковешников, Редькин, Старков, Юнкин, Якимов, Ярыкин

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерирования, кремния, металлических, пластине, примесей

Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния, включающий обработку нагретой пластины в электрическом разряде в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса геттерирования путем снижения температуры геттерирования, обработку пластины проводят в разряде высокой частоты, в атмосфере смеси кислорода с фторсодержащим соединением при их объемном отношении (0,1-1) : 1 соответственно величине удельной мощности на единицу поверхности 0,4-1,3 Вт/см2 и рабочем давлении 6 10-3 - 6