Устройство для защиты мдп-интегральных схем от статического электричества

Номер патента: 1422398

Авторы: Свердлов, Соскин

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК И 9) (И 1)4 НО ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ВИДЕТЕЛЬСТ АВТОРСКОМ бласти М. Со мы на МДП-прибоармазинского. еди- лекэмиттем 2 устр которогойства, ас выводом соединенытойчивость т ьство СССР27/04, 1985 интегральнь атическог лек ствию овышаетсяВ. Это позинтегральнь приблизительн воляет повыси схем сплу ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР О ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ(56) Интегральные схрах,/ Под ред. А.Н.М.: Мир, 1975, с. 13Авторское свидетеВ 830987, кл. Н 01 54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ МДП-ИНТЕГАЛЬНЫХ СХЕМ ОТ СТАТИЧЕСКОГО ЭЛЕКТРИ- ЧЕСТВА(57) Изобретение относится электронной техники. С цел ния защитных свойств устро уменьшения напряжения межд тегральной схемы и подложк введен дополнительный бипо ранзистор ен с выво ор и база ойства. У хем к воз ричества а 200-400 адежность тации, 1 ю улучшества путемшинами ин"й в негоярный422398 Формула изобретения Составитель И. ГореловТехред И.Ходанич Корректор И.Муска Редактор И. Горная Заказ 4441/57 Тираж 928 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб, д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к электронной технике, а именно к устройствам :для защиты МДП-интегральных схем (ИС) от статического электричества, и может быть использовано в полупроводниковом производстве при разработке и конструировании ИС на МДП-транзисторах.Цель изобретения - улучшение за.:;щитных свойств устройства в результате уменьшения напряжения между общей ;шиной ИС и ее подложкой.На чертеже представлена схема уст.ройства для защиты МДП-интегральных 15 :схем от статического электричества.Устройство содержит биполярные транзисторы 1, первый вывод 2 устройства, соединенный с эмиттерами транзисторов 1, второй выход 3 устройст ва, соединенный с базами транзисторов 1, выводы 4 коллекторов соответствую:щих транзисторов 1, дополнительный биполярный транзистор 5, эмиттер кото рого соединен с выводом 2 устройства, 25 а коллектор и база - с выводом 3 устройства. Устройство соединено с интегральной схемой 6. Каждый из защищаемых выводов 7 ИС соединен с од" ними из выводов 4. Вывод 8 подложки ЗО соединен со вторым выводом 3 устройства, а общая шина 9 ИС - с первым выводам 2 устройства.Устройство работает следующим об,разом. 35 При воздействии статического электричества между выводами 7 и 9 относительно вывода 8 происходит смыкание эмиттера и коллектора транзистора 5. Ток последнего ограничивает дальнейшее возрастание напряжения между выводами 9 и 8 ИС. Благодаря этому нарастанке напряжения на выводе 7 вызывает смыкание эмиттера и коллектора соответствующего транзистора 1, что ограничивает дальнейшее нарастание напряжения на выводе 7.Поскольку падение напряжения на транзисторе 5 в режиме вторичного пробоя достигается короткой базой транзистора 5, меньшей напряжения пробоя обратно смещенного р - п перехода (имеет место в известном устройстве, где отсутствует транзистор 5), достигается снижение напряжения на общей шине по отношению к подложке, что улучшает защиту от пробоя внут" ренних транзисторов ИС, истоки которых соединены с общей шиной. Это наряду с защитой затворов входных транзисторов улучшает качество защиты от воздействия статического электричества. Устройство для защиты МДП-интегральных схем от статического электричества; содержащее биполярные транзисторы по числу защищаемых выводов интегральной схемы, эииттеры которых соединены с первым выводом устройства, их базы - с вторым выводом устройства, а коллекторы соединены с остальными соответствующими выводами устройства, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью улучшения защитных свойств устройства путем уменьшения напряжения между первым и вторым выводами, в него введен дополнительный биполярный транзистор, эмиттер которого соединен с первым выводом устройства, а коллектор и база соединены с вторым выводом устройства.

Смотреть

Заявка

4174155, 06.01.1987

ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ Х-5263

СВЕРДЛОВ АЛЬФРЕД САМУИЛОВИЧ, СОСКИН БОРИС МОИСЕЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H03K 19/094

Метки: защиты, мдп-интегральных, статического, схем, электричества

Опубликовано: 07.09.1988

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1422398-ustrojjstvo-dlya-zashhity-mdp-integralnykh-skhem-ot-staticheskogo-ehlektrichestva.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для защиты мдп-интегральных схем от статического электричества</a>

Похожие патенты