Патенты с меткой «автоионномикроскопического»

Номер патента: 1029261

Опубликовано: 15.07.1983

Автор: Суворов

МПК: H01J 37/285

Метки: автоионномикроскопического, анализа, проводящих, структуры

...включает образец 1, кольцевой зонд 2, источник 3 ускоряющего напряжения, микроамперметр М, стеклянный экран 5,прозрачное проводящеепокрытие 6, люминофор 7, траектории 8электронов или ионов, источник 9 питания зонда, отображаемый микровыступ 10, держатель 11, устройство 12 перемещения образца (сканирования), систему 13 охлаждения образца. Способ. реализуется следующим обРазом.: Обычный Режим автоионномикроскопического анализа предполагает подачу на игольчатый образец - острие положительного потенциала в несколько кВ, в то время как расположенный напротив образца Флуоресцмрующий экран (точнее - прозрачное проводящее покрытие под люминофором) находится под нулевым потенциалом. В результате у поверхности образца создается неоднородное...

Номер патента: 1160880

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Бобков, Лазарев, Суворов

МПК: H01J 37/285

Метки: автоионномикроскопического, имплантированных, ионов, металлы, пробегов, профилей

...импульсов; заштрихованные облаети соответствуют погрешностямопределения 11 и 7 с учетом тогофакта, что напряженность поля наилучшего отображения поверхности образца имеет неопределенность 15 Е.118 фцг. 2 приведен пример зависимости числа 11 Г, испаренных полем иудаленных за пределы диафрагмы заодин импульс атомов образца от числа 11 И импульсов для разных размеровХ зондового отверстия (значения .определяют число атомов грани, одновременно проходящих сквозь зондовоеотверстие и могут составлять от 3до 35). Зависимость получена из серии автоионных изображений грани(011) вольфрамового образца при- 8,0 кБ и 117 = 1,45 кВ. Сущность изобретения заключается и следующем,1 чл измерения профилей пробегов цмплантированных в металл ионов какого-либо...