Датчик для считывания цилиндрических магнитных доменов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 763964
Авторы: Гришечкин, Игнатенко, Королева, Мартыненко, Шифрин-Крыжаловская
Текст
,-Х:/ ЫВ 0;.;. ; 1;,:г, сс.нэ Союз Советских Социалистических РеспубликОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ он 763964 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(22) Заявлено 130778 (21) 2646866/18-24с присоединением заявки Мо -(51)М. Кл. С 11 С 7/00 С 11 С 11/14 Государственный комитет СССР по делам изобретений н открытий(54) ДАТЧИК ДЛЯ СЧИТЫВАНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ10 Изобретение относится к вычислительной технике и предназначено для применения в устройствах хранения и обработки информации, в частности в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Известен датчик для считывания ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены магнитореэисторы. Толщина магниторезистора в этом датчике 0,2-0,5 мкм 11.Недостатком является малое изменение сопротивления датчика от внешного поля рассеяния ЦМД, определяемое наличием больших нескомпенсированных размагничивающих полей в маг- . нитном слое такой толщины, го Наиболее, близким техническим решением к данному изобретению является датчик для считывания ЦМД, который содержит магнитоодноосную пленку, магниторезисторы, расположенные на поверхности магнитоодноосной пленки друг над другом, и разделительные слои, расположенные между магниторезисторами 21,Недостатком этого датчика является его относительная сложность инизкий уровень выходного сигналаЦель изобретения - повышениеуровня выходного сигнала датчика длясчитывания ЦМД,Поставленная цель достигается тем,что в датчике разделительные слои выполнены из немагнитного металла.На чертеже схематически изображенпредложенный датчик для считыванияФЯДатчик для считывания ЦМД содержитмагнитоодноосную пленку 1, на поверх"ности которой расположен диэлектрический слой 2, и магниторезисторы 3и 4, между которыми расположен разцелительный слой 5 из немагнитногометалла, Толщина магнитореэисторов0,15-0,2 мкм. Толщина разделительного слоя 5 должна быть достаточнойдля того, чтобыисключить обменноевзаимодействие между магниторезисторами 3 и 4,При условии исключения обменноговзаимодействия, взаимное расположение векторов 6 намагниченности в отдельных участках магниторезисторов3 н 4, определяемое магнитостатичесЗаказ 6605/16 Тираж 662 Подписное ВНИИПИ Росударственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д,4/5Филиал ППП Патентфф, г.ужгород, ул,Проектная, 4 ким взаимодействием, будет встреч;ное. В этом случае нескомпенсированное , поле, препятствующее повороту вектора намагниченности в магниторезисторах 3 и 4, уменьшится по сравнению со случаем однослойного датчика и для каждого магнитореэистора равно разности собственного раэмагничивающего поля слоя и внешнего поля рассеянйя другого магниторезистора. Вследствие этого, под действием полярассеяния ЦМД увеличится угол поворота вектора намагниченности магнитореэисторов и величина изменения со.противления датчика в целом, что в свою очередь приводит к увеличению уровня выходного сигнала при считывании информации. Формула изобретенияДатчик для считывания цилиндрических магнитных доменов, содержащий магнитоодноссную пленку, магниторезисторы, расположенные на по 5верхности магнитоодноосной пленкидруг над другом, и разделительныеслои, расположенные между магниторезисторами, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения уровнявыходного сигнала датчика, разделительные слои выполнены иэ немагнитного металла,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патеят США М 4019177,5 кл, 340"174, 1977.2. Авторское свидетельство СССР9 485500 кл. С 11 С 7/00, 1972 (прототип),
СмотретьЗаявка
2646866, 13.07.1978
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ М-5769
МАРТЫНЕНКО ТАТЬЯНА ФЕДОРОВНА, ГРИШЕЧКИН МИХАИЛ ИВАНОВИЧ, КОРОЛЕВА МАРИНА ИВАНОВНА, ШИФРИН-КРЫЖАЛОВСКАЯ КАЛЕРИЯ СЕРАФИМОВНА, ИГНАТЕНКО ЮРИЙ ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00
Метки: датчик, доменов, магнитных, считывания, цилиндрических
Опубликовано: 15.09.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-763964-datchik-dlya-schityvaniya-cilindricheskikh-magnitnykh-domenov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик для считывания цилиндрических магнитных доменов</a>
“датчик считывания цилиндрических магнитных доменов4
Номер патента: 484560
Опубликовано: 15.09.1975
Авторы: Вашковский, Зубков, Лебедь, Лисовский
МПК: G11C 11/155, G11C 7/06
Метки: датчик, доменов4, магнитных, считывания, цилиндрических
...показанном на чертеже датчике помимо обы шого магниторезистивного эффекта наблюдается изменение сопротивления Ж .р зд счет возбуждения в материале датчика цнклотроццого резонанса. Осооснцо большое изменение сопротивления И р наблюдается в некоторых снгцо компенснровянцх цолмцРОолк(х (ц(ИР..Р, В смРь)ив 1 ИГ том и илии с концетря пней носит(.л(.Й н2 10- см). Общес изменение соцротнлецця датчика црн здцолинной ячейке но484560 Предмет изобретени я Составитель ф. Лисовский Тсхред М. Семенов Корректор Н, Стельмах Редактор Т. Юрчикова Заказ8233 Изд,1812 Тираж 648 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5МОТ, Загорский филиал срьшпеншо с шо...
Датчик считывания информации на цилиндрических магнитных доменах
Номер патента: 612282
Опубликовано: 25.06.1978
Автор: Белкин
МПК: G11C 11/14
Метки: датчик, доменах, информации, магнитных, считывания, цилиндрических
...с магнитопле-, ночной структурой. В результате ферромагнитного обмена (фиг,н 3) либо магнитостатической связи (фиг, 2 и 4) пленки образуют магнитосвязанную структуру, состояние которой зависит от ориентации ее магнитного мо. мента. Лнизотропия в пленках индуцируется таким образом, чтобы ось легкого намагни. чнвания совпадала с вектором плотности вход. наго тока устройства. Тогда, если выполняет.б 2282 формула изобретения Романова ан Ко Составитель Техред О. Л Тираж 717 ректор А. Граце нсное Редактор Е, КЗакаа 3467/45 НИИПИ Государственного комнт но делан изобрет 303, Москва, ЖВ,Фмнаа ПОП ейатентэ, т. Уета Совета Министров СС еннй н открой аувскан наО.д. 4/Ь жзород, уя. Проектнан 4ся условие, прн котором коэрцнтнвная сила...
Датчик считывания цилиндрических магнитных доменов
Номер патента: 769618
Опубликовано: 07.10.1980
МПК: G11C 11/14, G11C 11/155, G11C 7/00
Метки: датчик, доменов, магнитных, считывания, цилиндрических
...электропроводящих перемычек с одной стороны относительно оси пермаллоевых аппликаций; на фиг. 3 - пример реализации датчика на основе шевронов с расположением электропроводящих перемычек с двух сторон относительно оси пермаллоевых аппликаций.Предложенный датчик считывания ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на поверхности которой расположены пермалло 769618евые аппликации 2 шевронной (фиг, 1) или С-образной (фиг. 2) формы, соединенные попарно электропроводящими перемычками 3, геометрические центры которых расположены на определенной кривой, например синусоиде,Предложенный датчик работает следующим образом,ЦМД, предварительно растянутый с помощью расширителя, подходит к датчику. Преобладанием в колонке пермаллоевых аппликаций...
Усилитель для считывания сигналов с тонких магнитных пленок
Номер патента: 190936
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: G11C 11/14
Метки: магнитных, пленок, сигналов, считывания, тонких, усилитель
...ключе 5 потенциал точки 4 был близок к нулю. В этом режиме через туцнельный диод ТД одновцбратора - формирователя выходного импульса протекает нужный начальный ток, Через сопротивление Й; задается требуемый ток базы триода Тв.Если ключ 5 относительно долго разомкнут. то, вследствие дрейфа усилителя и цзмеце 11 ня потенциала базы триода Тв, напряжение в точке 4 и ток через туццельный диод ТД доходят до крайних значений. Чтобы избежать сильного нарушения режима, нормальное со.,НИИПИ Кохи.тета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 ипография, пр, Сапунова,3стояние ключа выбрано замкнутым. При этом,благодаря действию отрицательной обратнойсвязи, потенциал точки 2 близок к...
Способ магнитного моделирования физических полей в неоднородных средах
Номер патента: 217663
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: G06G 7/48
Метки: магнитного, моделирования, неоднородных, полей, средах, физических
...стабильностью и зависит от концентрации ферромагнитных частиц, что позволяет изменять ее в соответствии с условиями задачи.Диэлектрические свойства описанной среды позволяют использовать ее в качестве пара- магнетика в переменном магнитном поле- ультразвуковой частоты, причем слои с разными значениями магнитной проницаемости вакладывают друг на друга, прокладывая марлю. Это исключает перемеширазными параметрами и сохраованный материал для новых и 1 обозначены соответствени касательные составляющие217663 4 10 Предмет изобретения Составитель Тимохина Техред Л. Я. Левина Корректоры: Т. Д, Чунаева и Л, В. ЮшинаРедактор Горшкова Заказ 1959/15 Тираж 530 Подписное ЦЕ 1 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров...
Предыдущий патент: Устройство для прошивки запоминающих матриц на ферритовых сердечниках
Следующий патент: Буферное запоминающее устройство
Случайный патент: Перестраиваемый коаксиальный резонатор