Способ формирования изображения
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
. А. Боровой И.Е,Педцен арьковский ордена Трудового Красного 3 осударственный университет им. А.И.Гор 71) Заявтел 54) СПОСОБ ФОРИИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИ кия осадуили с ка вводить есь кислот. едлагаемому ражения, поверхность пленки хроитной маски ое травление соляной кис" иевым актинения без выпаде в раствор кислотНаиболее близ способ формирова включающий нанес диэлектрической ма, получения на из фоторезиста, пленки хрома в р лоты в контакте затором. кии к и ния изо ение на пластин ней за химицес астворе с алюми 3, Изобретение относится к радио- : электронике, а именно к технологии изготовления гибридных микросхем и полупроводниковых приборов, и может быть использовано, например, при изготовлении прецизионных хромированных фотошаблонов.Известен способ формирования изоб ражения, в котором осуществляют химическое травление пленки хрома в водном растворе, содержащем 5- 160 г/л церия сернокислого и 30- 00 г/л хромового ангидрида И.Недостатком способа является ,нестабильность травильного раствора,. связанная с трудностью растворения сернокислого церия в воде и последую щим самопроизвольным выпадением его в осадок, Вследствие указанных причин необходимо либо приготавливать .свежий травильный раствор перед каждой очередной операцией травления, что неудобно для работы, либо для некоторого продления срока его хра" Этот способ отличается от другихизвестных использованием простого,в приготовлении. и стабильного в ус" 1 ф ловиях эксплуатации травильного раствора, высокой интенсивностью процесса травления при обычной температу"ре, возможностью осуществления травления пленок хрома как с негативными, так и с позитивными фоторезистами 21.Однако известный способ не поэзо.ляет применять для формирования ри"с достаточной скоростью, довольноравномерно, поддается контролю ирегулировке изменением .концентрациираствора в установленных пределахПри концентрации борофтористоводородной кислоты менее 30 снижаетсяинтенсивность травления. Применение.раствора борофтористоводородной кислоты с концентрацией, превышающей 1 Р 40, нецелесообразно с технологической точки зрения, поскольку для данной кислоты концентрация выше 404выходят за область ее равновесныхконцентраций и вследствие этого яв ляются труднодоступными.Способ осуществляют следующим образом.Берут 50 стеклянных подложек, выполненных из полированного оптичес Р кого борсиликатного стекла маркиК, Затем на 25 подложек методомнапыления в вакууме (не менее510 мм рт,ст,) напыляют пленкухрома толщиной 1000 А. На остальные 25 25 подяожек наоыляют пленку хроматолщиной. 1500 А. Скорость напыления .5"8 А/с. На металлизированные подложки центрифугированием наносят защитный негативный фоторезист типа ФН с показателем кислотопроницаемости 0,4 и затем по известной технологии подготавливают пластины к травлению,Подготовленные пластины подвергают химическому травлению в 353-ном растворе борофтористоводородной кислоты, Один из участков каждой хромированной пластины, незащищенный фоторЬзистом, контактируют с алюминиевцм стержнем в течение 3-5 с, послечего стержень убирают и выдерживаютпластину в указанном травильномрастворе до полного стравливанияхрома. Травление производят при комФнат ной темпера туре. В ремя травленияпленок. хрома толщиной 1000 А 15-20 с,а при толщине 1500 А 25-30 с. Для получения сравнительных.дан Рных 25 идентичных хромированных пластин с толщиной пленок хрома 1000 иф1500 А подвергают химическому травлению согласно известному способу,раствором соляной кислоты в контактес алюминиевцм активатором, Время 55травления контрольных хромированныхпластин толщиной 1000 н 1500 М со"ставляет соответственно 5-7 и 1316 с, Протравленные по данному спо 3 911749сунка пленок хрома фоторезисты снизкой кислотостойкостью.Кроме того, сильные кислотныесвойства травителя и недопустимовысокая скорость реакции травлениявызывают подтравливание и растравливание краев пленок, хрома, вследствие чего снижается выход годных пленок с заданными микронными размера"ми Фигур травления.К недостаткам .известного способаследует также отнести невозможностьтравления пленок хрома после длительного хранения с момента нанесенияхрома на подложку или нанесенных наподложку в два-три приема,Цель изобретения - повышение вы.хода годных изделий.Поставленная цель достигаетсятем, что в способе формирования изображения, включающем нанесение .наповерхность. диэлектрической подлож"ки пленки хрома, получение на нейзащитной маски из Фоторезиста, химическое травление пленки хрома врастворе кислоты в контакте с алюминиевым активатором, химическоетравление пленки хрома проводят в30-404-ном растворе борофтористоводороднои кислоты.Благодаря обработке пленок хрома30-403-ным раствором борофтористоводородной кислоты при контакте салюминиевым активатором, обеспечива-,ется при сохранении достаточнс вц35сокои интенсивности процесса болееспокойное, чем в известном способепротекание реакции травления с меньшим выделением газовых пузырьков иболее равномерное травление всех4 Рнезащищенных фоторезистом участковпленки хрома.Кроме того, являясь более слабойкислотой и практически не обладаяокислительными свойствами, борофтористоводородная кислота не.разруша 45ет фоторезисты и образует на пленкехрома меньший Ч-образный профильтравления, что в сочетании с вышеизложенным позволяет увеличить воспроизводимость.и точность заданнойконфигурации рельефа металла, т.е,повысить в конечном итоге выходгодных изделий.30-40-ный раствор,борофтористо;водородной кислоты, является оптимальным, поскольку при данной концентрации травильного раствора травлениепроисходит на необходимую глубину,5 ,9 собу хромированные пластины и контрольные промывают водой и высушиваютПри обследовании под микроскопом 50-и хромированных пластин, обработанных 354-ным раствором борофтористоводородной кислоты, обнаружено растравливание краев пленок хрома на 14-и пластинах, в том числе на 6-и с толщиной пЛенки хрома 1000 А и на 8-и с .толщиной 1500 А.Осмотр контрольных пластин показывает наличие растравливания краев . пленок хрома на 20-и пластинах из 50-и, взятых для травленйя.Подтравливание пленок.Фоторезиста ФНна протравленных по задан-, ной технологии пластинах и контрольных пластинах не замечено. Следов . нестравленного хрома не обнаружено.Кроме того, изобретение позволяет применять дЛя формирования рисун.ка пленок хрома фоторезисты с разной кислотостойкостью, в результате чегопри обследовании изделий, обработанных согласно предлагаемому способу, не обнаружено подтравливание пленок фоторезиста.Таким образом, использование предлагаемого способа формирования иэображения в области радиоэлектро". ники при изготовлении прецизионных хромированных Фотошаблонов, обеспечивает по сравнению с известным, являющимся также базовым образцом, расширение номенклатуры применяе- . мых фотореэистов, благодаря обеспечению возможности эффективного использования фоторезистов как с высокой, так и с низкой кислотостойкостью, облегчение контроля и регули" 11749 6ровки процесса травления, благодаряобеспечению более спокойного и равномерного травления, и повышениевыхода годных изделий на 12-. 1844, засчет уменьшения растравливания краев пленок хрома, РОжидаемый экономический эффектот производства 2000 шт, хромированных фотошаблонов по предлагаемой 10 технологии вместо промышленно применяемого способа травления растворомсоляной кислоты составляет примерно. 20500 руб. в год за счет увеличениявыхода годных пленок.15формула изобретенияСпособ формирования изображения,включающий нанесение на поверхностьдиэлектрической подложки пленкихрома, получение на ней защитноймаски из фоторезиста, химическоетравление пленки хрома в растворе р кислоты в контакте с алюминиевым ак-.тиватором, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения выходагодных изделий, химическое травлениепленки хрома проводят в 30-404-номрастворе борофтористоводородной кислоты.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРИ 487167, кл, С 23 Т 1/02, 05,10.75.2. Фотолитография и,оптика, Подред. проф. Я.А.федотова и др. М.,Составитель В.МилославскаяРедактор А.Лежнина Техред Л.Пекарь Корректор А,дзЯткоеЗаказ 1152/52 Тираж 856 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород,. ул. Проектная,
СмотретьЗаявка
2932178, 03.06.1980
ХАРЬКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. А. М. ГОРЬКОГО
ПЕДЧЕНКО ИВАН ЕФИМОВИЧ, БОРОВОЙ ИГОРЬ АНАТОЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H05K 3/06
Метки: изображения, формирования
Опубликовано: 07.03.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-911749-sposob-formirovaniya-izobrazheniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ формирования изображения</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления печатных кабелей
Следующий патент: Устройство для индикации мест установки радиоэлементов на плате
Случайный патент: Перепускной клапан