Оптоэлектронный элемент памяти

ОПИСАНИЕ,ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союэ Советских Социалистических Республик(23) Приоритет -3 11 С 11/42 Государственный комитет СССР. по делам изобретений и открытийОпубликовано 050579 Бюллетень Мо 17. Дата опубликования описания 0505.79(54) ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Изобретение относится к области .автоматики и вычислительной техники и может быть использовано в фотоприемных матрицах для устройств вывода информации иэ оптических запоминающих устройств (ЗУ) большой емкости.Известны,фоточувствительные ячейки памяти 1 и 2),содержащие шесть полевых транзисторов и два фотодиода, аноды которых соединены с истоками первого и второго транзисторов, истоки третьего и четвертого перекрест- но соединены .с затворами пятого и шестоготранзисторов, а стоки и "зат-, 15 воры первого,второго, третьего и четвертого транзисторов и катоды фсгодиодов соединены с соответствующими выходами.Наиболее близким техяйческим реше 2 О нием к изобретению является фоточувствительная ячейка памяти 3), содержащая семь полевых транзисторов, в которой исток и сток седьмого трав" зистора соединены с затворами первого и второго транзисторов, а затвор - с соответствующим выводом, Кроме того, ячейка памяти содержит восьмой и девятый транзисторы, стоки которых ,соединены с истокаьщ третьего и2четвертого, истоки - со стоками первого и второго транзисторов, а затворы - с анодами фотодиодов.Недостаточно высокое быстродействие фоточувствительных ячеек памяти затрудняетих использование в.оптических ЭУ большой емкости.Целью изобретения является повышение быстродействия элемента памяти,Поставленная цель достигается тем,что в предложенном элементе памятизатворы нагрузочных МДП-транзисторовсоединены с анодами фотодиодов,Яа фиг. 1 приведена электрическаясхема предложенного элемента памяти;на фиг. 2 - временная диаграмма напряжений.Элемент памяти содержит два ключевых МДП-транзистора 1, и 2, истоки которых соединены с анодами фотодиодов 3 и 4, катоды которых соединены с шиной 5 нулевого потенциала, усилительные МДП-транзисторы ои 7, затворы которых соединены соответственно с истоком и стоком токозадающего МДП-транзистора 8, затворкоторого соединен с первой управляющей шиной 9, нагрузочные МДП-тран-эисторы 10 и 11, стоки которых сое661608 Формула изобретения динены со второй шиной питания 12,Стоки МДП-транзисторов 1 и 2 соединены с первой шиной питания 13, азатворы - со второй управляющей шиной 14,Элемент памяти работает следующимобразом. 5На шины 13, 12 подано постоянноенапряжение, При подаче импульса напряжения на шину 9 (Фиг.2) транзисторы 6, 7 отпираютсяи емкости узлов15, 16 разряжаются до нулевого потенциала (шина 5) в течение времени1- 10, По оконм о)чании импульса на шине 9 начинаетсязаряд емкостей узлов 15, 16. Скоростьзаряда определяется сопротивлениями 15каналов транзисторов 10 и 11, которые модулипуются светом и изменяют ся в соответствии с напряжением наанодах фотодиодов 3 и 4. Элементпамяти устанавливается в первое (Ч,Ч.,ЧЧт ) или второе (Ч,Ч Ч+ ( Ч 7 ) гдеЧ и Чнапряжения в узлах 15 и 16, установившиеся в течение Времени 1ъ пфо н Ъ иустойчивое состоянйе в зависимостй от кода парафазного оптического сигнала, записанногов элемент в предыдущем ( и - 1)-омцикле. В течение времени- 6осуществляется считывание электрй- ческого сигнала, записанного в предыдущем (и - 1)-ом цикле и одновре-менно запись оптического сигнала вп-ом цикле. Совмещение во временипроцессов записи оптического сигналаи -считыванйя электрического сигнала 35= позволяет сократить время циклазапись-считьпание, т. е. повыситьбыстродействие элемента памяти, -какпоказали расчеты и экспериментальнаяпроверка, по крайней мере, в 1,5 40раза. Таким образом, соединение анодов фотодиодов 3 и 4 с затвоРаминагрузочных транзисторов 10 и 11( узлы 17 и 18) при соответствующейорганизации временного цикла записьсчитывание приводит к повышениюбыстродействия оптоэлектронного элемента памяти.Быстродействие предАожеййогбоптоэлектронного элемента в 1,5-2 раза выше быстродействия известных. 4Особенно эффективно использование предлагаемого элемента памяти при построении Фотоприемных матриц, предназначенных для вывода информации из оптических ЗУ. Использование в Зу позволяет увеличить скорость вывода информации (в соответствии с .предварительным расчетом) до-2 10 бит/сек при емкости страницы информации оптического ЗУ 1024 бит. При увеличении емкости страницы информации эффективность использования элементов с повышенным быстродействием возрастает. Оптоэлектронный элемент памяти,содержащий два ключевых МДП-транзистора, истоки которых соединены с анодами фотодиодов, катоды которых соединены с шиной йулевого потенциаласвязанной с истоками усилительныхМДП-транзисторов, затвор первогоусилительного,МДП-транзистора сое-.динен с истоком токостабилизирующего МДП-транзистора и стоком второго усилительного МДП-транзистора,Затвор которого соединен со стокомпервого усилительного МДП-транзистора и стоком токостабилизчрующегоМДП-тразистора,затвор которогоподключен к первой управляецей шине,стоки. ключевых ИДП-транзисторовсоединены с первой шиной питания,затворы - "со второй управляющейшиной, нагрузочные МДП-транзисторы,истоки которых соединены со стокамиусилительных МДП-транзисторов, стокисо второй шиной питания,о т л и ч аю щ и й с я тем,что, с целью повышения быстродействия, в нем затворынагрузочных МДП-транзисторов соединены с анодами фотодиодов.Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе1. Патент СШАФ 3753247,кл 340-173,. 1973.2, Патент США Ф 3624419,кл. 307-279, 1971.3. Заявка Р 2332161,Кл. 8- 11 С 11/42, 196,по которойпринято решение о выдаче авторскогосвидетельства,661608фг иЗ ц авитель И. Загинайкод Н.Бабурка . Ко ректо А. Власейко е акто Л. Утехина Т аз 24 илиал ППП Патентф, г. Ужгород, ул. Проектная,Тираж 680 ИПИ Государственного пЬ делам изобретени 13035 Москва Жмитета ССС открытий ская наб Подписно4 5