Элемент памяти

(б 22 4 С 11 С 11/40 Е ИЗОБРЕТЕНИЯСВИДЕТЕЛЬСТВУ ПИСА АВТОРСК и 3364,ублик.. 01. 71 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ(7) Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР (72) А.И.Мишин и Е.И.Черепов .(56) Ланчер, Светомодулирующие ЭЛТ для проекционных систем отображен я, "Электроника", В 25, 1970.Сотсков Б,С. Основы расчета и проектирования электромеханических элементов автоматических и телемех нических устройств, М., "Энергия", ,1965, с. 562.Патент США У 355кл. Н 04 Н 5/74, оп 05(54) (57) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащийполупроводниковую подложку п-типа,на которой расположен слой диэлектрика, и подвижную проводящую пластину, о т л и ч а ю щ.и й с я тем,что, с целью расширения функциональных возможностей элемента, он содержит области полупроводника р-типа,размещенные нод слоем диэлектрика вполупроводниковой подложке п-типа,и металлические электроды, расположенные на слое диэлектрика, а нижнийконец подвижной проводящей пластинысоединен с полупроводниковой подложкой п-типа.Изобретение относится к области радиоэлектроники и предназначено для построения устройств отображения визуальной информации, запоминающих устройств ввода-вывода информации.Известен элемент памяти, содержащий подвижную проводящую пластину, расположенную на диэлектрической подложке. Хранение информации таким элементом осуществляется за счет за ряда, образованного в диэлектрике.Однако этот заряд обладает нестабйльностью, вследствие чего время хранения информации практически неуправляемо (может колебаться от до лей секунд до нескольких десятков часов).ДРУгим недостатком являются ограниченные функциональные возможнос ти, обусловленные, в частности, тем что выборка элементов в матричном устройстве отображения визуальной информации может осуществляться либо по принципу полувыборки, либо ин дивидуально.Первый способ выборки характерен жесткими требованиями к разбросу параметров элементов, а индивидуальная выборка существенно усложняет как уст ЗО ройство управления матрицей, так и саму матрицу.Известен также электростатчческий элемент, содержащий полупроводниковую подложку, на поверхности которой установлена подвижная проводящая пластина. Он обладает теми же недостатками, что и первый элемент.Наиболее близким из известных эле ментов по технической сущности является элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку п-типа, на которой расположен слой диэлектрика, и подвижную проводящую пластину. Такой элемент обладает ограниченными функциональньщи возможностями, что обусловлено необходимостью индивидуальной выборки в устройстве отображения визуальной информации и запоми наюшем устройстве, построенных на его основе. Кроме того, одномерное устройство отображения информации, например шкала, построенное на базе известных элементов имеет большое число управ ляющих выводов, что существенно усложняет конструкцию отсчетного устройства. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей элемента памяти.Достигается это тем, что элемент памяти содержит области полупроводника р-типа, размещенные под слоем диэлектрика в полупроводниковой подложке и"типа, и металлические электроды, расположенные на слое диэлектрика, а нижний конец подвижной проводящей пластины соединен с полупроводниковой подложкой и-типа. Такое выполнение увеличивает функциональные возможности элемента и расширяет область его применения, так как предлагаемый элемент представляет собой по существу разряд регистра сдвига с индикацией.На чертеже представлена конструкция устройства.Элемент содержит металлические электроды - неподвижные проводящие пластины 1, 2 и подвижную 3, расположенные на слое диэлектрика 4, покрывающего полупроводниковую подложку 5 п-типа, в которой размещены области б и 7 полупроводника р-типа, Подвижная пластина 3 своим концом соединена с полупроводниковой подложкой 5, на обратной стороне которой установлена неподвижная проводящая пластина 8.Принцип работы элемента заключается в следующем. При приложении напряжения соответствующей величины и полярности к пластине 1 и р-области 6 полупроводника р-типа разряд неоснов. ных носителей из этой области переместится в участок полупроводника, расположенный иод пластиной 1, а при приложении разности потенциалов к пластинам 1 и 2, указанный заряд переместится под пластину 2 и зарядит подвижную пластину 3, Величина напряжения Ц (емкости С), образованная подвижной пластиной 3 и полупроводниковой подложкой 5, определяется ем- костью С и величиной заряда Я под пластиной 2 и составляет П - БЬ = ЯС, где П " пороговое напряжение соответствующей МДП-структуры., Под действием сил электростатического притяжения подвижная пластина 3 нритянется к поверхности слоя диэлектрика 4.Если требуется запомнить состояние включенного элемента, то к области 7 полупроводника р"типа и пластине 8 прикладывается напряжение,570282 4ца неосновных носителей осуществляется путем освещения участка полупроводника вблизи пластины 1 или 2 (или непосредственно путем освещения этой пластины, если она прозрачна) и подачи напряжения на пластины 1 (2) и 8, под действием которого в полупроводнике под пластиной 1(2) образуется объединенная область. Пластины 1 и 2, область 6 полупроводника р-типа совместно со слоем диэлектрика 4 и полупроводниковой подложкой 5 образуют прибор с зарядовой связью ЗП 3 С, а подвижная пластина 3 совместно с областью 7 полупроводника р-типа, слоем диэлектрика 4 и подложкой 5 - статический элемент памяти, выполняющий, кроме того, модуляцию фазы (или амплитуды) светового потока. достаточное для удержания пластины на поверхности слоя диэлектрика 4.Силы электростатического притяжения обратно пропорциональны квадрату зазора, если пластина 3 находится в своем исходном состоянии (не притянута к слою диэлектрика 4), приложение указанного напряжения удержания не меняет состояния подвижной пластины 3. 10 При снятии напряжения с области 6 полупроводника р-типа и пластин 1,2 элемент .находится во включенном состоянии под действием напряжения,при ложенного к области 7 полупроводника р-типа и пластине 8. При этом область полупроводника р-типа в элементе может отсутствовать и образование заряТехред Л,Сердюкова Корректор И, Эрдейи Редактор О.Юркова Заказ 4752/3 Тираж 543 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раувская наб , д. 4)5