H05B 33/20 — отличающиеся по химическому составу или физической структуре или расположению материалов, в которых заключен электролюминесцентный материал

Номер патента: 208827

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Агранат, Апухтина, Куровска, Новоселок, Привалова, Эрлих

МПК: H05B 33/20

Метки: конденсаторов, связующее, электролюминесцентных

...полимер П 9-Т, являющийся продуктом взаимодействия полиэфира П 9 (получаемого при конденсации диэтиленгликоля и адипиновой кислоты с добавкой глицерина), тиокола и сшивающего агента - толуилендиизоцианата.Полимер П 9-Т имеет диэлектрическую проницаемость в = 10 в диапазоне частот 400 - 5000 гтрк, При использовании его в качестве электролюминесцентных слоев достигается увеличение яркости в 1,5 - 2 раза и снижение напряжения зажигания с 200 - 180 в до 60 - 100 в,Для приготовления связующего-диаэлектрика используют трехгорлый реактор, снабженный мешалкой и термометром, куда помещают навеску полиэфира П 9 (процент гидроксильных групп определен заранее). Полиэфир вакуумируют при остаточном давлении 3 - 5 мм рт, ст. и перемешивают при 90...

Номер патента: 385409

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Белогловска, Долгополова, Долгополое

МПК: H05B 33/20

Метки: источник, света, электролюминесцентный

...прозрачных электродов или подложки, а также из-за неудовлетворительных электрических характе ристик прозрачных электродов.Кроме того, известные гибкие ЭЛП имеют больший спад яркости, менее надежны, чем ЭЛП на стеклянной основе. Технология изтотовлегоия гибких ЭЛП более сложна. 20Целью изобретения является создание электролюминесцентных источников света, обладающих яркостью, сроком служоы и надежностью, аналогичными ЭЛП на стеклянной основе, но в то же время обладающих малым 25 весом, гибкостью и высокой холодоустойчив остью.Предлагается электролюминесцентный источник света, где в качестве подложки используется прозрачный гибкий упуугий минераль-" ЗО слюды мусковит, Qа корачный электропроводяюминесцирующий слой и ропроводящий...

Номер патента: 372748

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дмитриев, Дубровска, Меськин, Равич, Федоровский, Царенков, Яковлев

МПК: H05B 33/20

Метки: источник, света, электролюминесцентный

...- уровень Ферми, Еч - верх валентнойзоны, Ес - дно зоны проводимости, Ез; - акцепторный уровень кремния, Ехп - акцепторный уровень цинка; на фиг. 3 - осциллограммы импульса тока и излучения в предлагаемой конструкции светодиода.где буквой а обозначен импульс тока с амплитудой 50 ма, буквой б - импульс света;на фиг. 4 - спектр излучения полупроводникового источника света предлагаемой конструкции при комнатной температуре.Пример 1.Полупроводниковый источник света выполнен на основе р - и структуры арсенида галлия. Слой арсенида галлия р - типа полученэпитаксией из жидкой фазы. Содержание атомов кремния в жидкой фазе составляет 0,5 - :1вес. 7 о, содержание атомов цинка - 5 10 -- :- :5 10 - з вес, 4. Суммарная концентрация дырок в р - слое...

Номер патента: 469225

Опубликовано: 30.04.1975

Авторы: Витюк, Демидов, Михо

МПК: H05B 33/20

Метки: электролюминсцентная, ячейка

...электролюминофора, яркость свечения чейки с ростом частоты уменьшается.Известно, что расширить диапазон цвета свечения можно за счет использования смесей разных люминофоров, а также связки с активОй проводимостью, не меньшей полной проводимости электролюминофора-наполнителя.Предлагаемая электролюминесцентная ячейка содержит, подобно известным, два электрода, один из которых прозрачен, и электролюминесцентный слой, выполненный из связки и смеси нескольких люминесцирующих Веществ, спектры свечения которых различны.Сущность изобретения состоит в том, что в качестве связки применен электролюминофор с наименыпей проводимостью.Этим обеспечивается расширение диапазона изменения цвета свечения при изменении частоты возбуждающего напряжения.На...

Номер патента: 568224

Опубликовано: 05.08.1977

Авторы: Грубова, Дедюк, Молчанов, Орлов, Чупрова

МПК: H05B 33/20

Метки: слоя, состав, электролюминисцентного

...которая не превышает 250 и иэ-за высокого гвзоотделеиия его 31568224 Тираж 1003 Подписное ЦНИИПИ 3, з 2820/45 Фипидп П 1)П "П(1 тент", г. Ужгород, уп. Проектная, 4 Цепь изобретения - повышение термоОтойкости и уменьшение газоотдепения при вакуумнотермической обработке прибора.Поставленная цепь достигается тем что в качестве поли(влкил),(врип) (В-цивнэтип) сипоксанв используют соединение формулы: с,н/Б(о)снсн,сн (,о,)н(о)(сн,1,(о) о,),нгден- любые органические радикалы включая иитрипьные ТЮ-О 2,/люминесцентные слои, полученные на основе предложенного попы (впкип) (врип)(Б-цнвн-этип)-сипоксвнового связующего,не только обпадвют комплексом свойств,выгодно отличающих их от слоев, попученных нв основе ранее известйых связующих,но и имеют...

Номер патента: 570222

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Глауберман, Дроздов, Потапенко, Скринский

МПК: H05B 33/20

Метки: прибор, электролюминесцентный

...контакты. (:о стороны конической лунки. напыдядся никелевыйконтакт (фиг. 1, б), с другой стороны образца создают КМЦ (фиг. 1, в); 1 Ъщстинку 3,хлорида натрия подвергают обработке пуч.ком атомов кадмия, оторый специально возбуждают катодным распылением вдмиевогодиска в атмосфер вргона, Взаимодействие,атомов кадмия с хпоридом натрия стимудкрует формирование в структуре коцпояинь 1 х.центров окраски с квюющеталличвскими свойствами,Насыщение пленки хдоридв натрия код р доидиыми центрами сопровождается ее окрв шиввнием с характерным максимумом оптического поглощения у Д д 570 мм, Введение в расплав прн выращивании исходных.кристаллов клорида натрия 0,1 мол. Ъ,д Сс 1 СР приводит к увеличению максимума коллоидного поглощения и.сводит...

Номер патента: 1193843

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Кулюпин, Пилипчак, Федорович

МПК: H01J 61/00, H05B 33/20

Метки: излучения

...плотного защитного покрытия ЫО, его нанесение проводилось методом, например, электронного распыления.Отдельный светящийся центр получают при последовательном пережигании светящихся центров. Для этого через пленку пропускают электрический ток мощностью Ч , большей той У, при которой пленка начинает светиться, т.е. УУ. Происходит перегорание отдельных светящихся центров, Затем снова увеличивают мощность до ЧЖ , при этом происходит перегорание еще ряда центров.Таким образом, путем последовательного пережигания получают на пленке (2 х 2 10 мм) один светящийся 50 центр. Интенсивность .свечения такого центра остается стабильной в течение нескольких тысяч часов. Пережигание центров можно проводить, подавая импульсное напряжение, напри мер 15...