Патенты с меткой «диэлектрик-полупроводник12»
Ячейка памяти на транзисторах со структурой металл диэлектрик-полупроводник12
Номер патента: 330490
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Еремин, Лементуев, Ордена, Попова, Прангишвили, Сонин, Талов, Телемеханики, Фетисова, Черенкова
МПК: H03K 3/3565
Метки: диэлектрик-полупроводник12, металл, памяти, структурой, транзисторах, ячейка
...элемент записи выполнен в виде логического элемента И, входы которого подсоединены к раздельным шинам разрешение записи и запись. На чертеже приведенасхема предлагаемого устройУстройство содержит триный на транзисторах 2 - 6си на транзисторах 6 - 9. Эния, опроса и ускоряющиетеже не показаны. Затворы транзисторов 0 в качестве ключей разре мации в триггер 1, а тра пользуются в качестве кл мации в этот триггер. П 6, 8 и 7, 9 образуют л 5 И для соответствующи Устройство работаетВ исходном положении триггеся в одном из устойчивых состояжение на затворах транзисторовмомент соответствует уровнюнуля.Информновременнотшину разрпись соотв ация записывается только при одподаче логической единицы на ешение записи и на шину заетствующего плеча...