Двухпольная установка совмещения и экспонирования

СОЮЗ СОВЕ НИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК) С 02 В 21/3 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ светово ектив поток в зоне пере нного экран сечени и А.С.Морг(088.8) тлича сточ лью повы ия, междуиным объекщенияфотоща 57) ДВУХПОЛ ИЯ И ЭКСПОН ПОЛУПРОВОДН ящая из дву АЯ УСТАНОВКА СОВОВАНИЯ ФОТОШАБЛООВОй ПОДЛОЖКОЙ,проекционных объМЕЩЕ ЯА С сост азнесенныхеских устрой ивом уруг оттва,(21) (22) (46) (72) (53) 1308777/26-017.03,6730.03.84. БюлА.П.Корнилов655.225:535 распределител установленного лучей, проекци ника света, о я тем, что, с очности совмеще лоном и проекци становлены два друга эпископиИзобретение относится к устройствам для совмещения полупроводниковой пластины с фотошаблоном и можетбыть использовано при производствеполупроводниковых приборов. 5Известны двухпольные установкисовмещения и экспонирования фотошаблона с полупроводниковой подложкой,состоящие иэ двух проекционных объектов, распределителя светового потока, установленного в зоне пересечения лучей, проекционного экранаи источника света.Однако известные установки не обеспечивают требуемой точности совмещения.С целью повышения точности совмещения в предлагаемой установке междуфотошаблоном и проекционным объективом установлены два, разнесенных 20один относительно другого эпископических устройств.На чертеже приведена .блок-схемапредлагаемой оптико-механическойустановки совмещения и экспонирования.Предлагаемая установка работает следующим образом.С помощью микроманипулятора иприсоски столика 1 совмещения осу ществляется крепление полупроводниковой пластины 2 и перемещение ее относительно стеклянного фотошаблона 3 по двум координатным осям.Для повышения яркости изображения на экране используется новый эпископ 4, которыйкрепится в специаль- . ном кронштейне 5, надетом на обойму объектива 6 с двухсоткратным увеличением. Для совмещения по двум разнес сенным участкам на фотошаблоне и полупроводниковой пластине используется узел со спаренными эпископами и объективами.Световые потоки для освещения участков полупроводниковой подложки поступают в эпископы с осветительных блоков 7. Луч света 8 проходит через тепловой фильтр 9, конденсатор 10, светофильтр 11 и, отразившись от зеркала 12, попадает в спаренные конденсаторы 13 эпископа, Для увеличения светового потока используются отражатели 14.Эпископы направляют световые лу 55 чи на фотошаблон и полупроводниковую подложку. Затем световые потоки, несущие информацию, поступают во входные зрачки спаренных объективов 6. В предлагаемой установке используются проекционные объективы с большим полем зрения, большим увеличением и со значительной глубиной резкости,Так, например, в макете используется объектив с полем зрения2,4 мм 1,75 мм, увеличением 200, .глубиной резкости 0,02 мм и разрешением до 1 мкм.С выхода объективов световой поток, несущий информацию, проходитчерез регулируемый распределительсветового потока 15, преломляетсязеркалами 16 и поступает на проекционный экран 17.В установке используется новыйпроекционный мелкозернистый экран,работающий на просвет, с большойрабочей площадью порядка 500 500 мм.Установка имеет светозащитнь;й ко жух 18, расположенный над проекционным экраном.Для предварительного грубого совмещения фотошаблона с полупроводниковой подложкой используется объектив 19 с двадцатикратным увеличением. На объективе крепится параболическое зеркало, проецирующее наэкран изображение с участка полупроводниковой подложки площадью 2025 ми,Предварительное совмещение осуществляется в светлом или темно-серомполе в зависимости от поворота параболического зеркала.Темный фон изображений на экранепозволяет получать ярко выраженныеконтрасты рисунков фотошаблона иполупроводниковой подложки.Экспонирование фотореэиста производится с помощью ксеноновой лампы 20.Объективы, а также блок с ксеноновой лампой конструктивно выполнены выдвижными и устанавливаются на необходимую высоту, поэтому для окончательной фокусировки любого из объективов требуется незначительная коррекция с помощью винтового перемещения стола. Объективы и ксеноновая лампа расположены на общей турели 21 и могут последовательно выводиться на главную оптическую ось проектора,В установке процесс совмещения полупроводниковой пластины с фото- шаблоном производится в герметичном скафандре, выполненном иэ красного органического стекла 22. В установ307697 Заказ 2378/3 Тираж 867 Подписное НИ оектная Патент г.Ужгород ках с микроскопами ФотолитограФический процесс не герметизирован, таккак перед экспонированием необходимоперемещать микроскоп, выступающиеокуляры которого не позволяют использовать герметичный скафандр. При изготовлении полупроводниковых приборов в особо чистых помещениях на предлагаемой установке можно работать без гермока меры, что упрощает процесс совмещения.