Способ определения ориентации оси легкого намагничивания и поля анизотропии магнитных пленок

(5 в О 01 В 33/12 САНИЕ БРЕТЕН 54)(57)ЦИИ ОСИЛЯ АНИЗОвкпючающпленку ивращениеч а ю щ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ СКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ21 ) 33815 79/18-21(46) 15,06.83, Бюл. Иф 2272) Ф.В, Лисовский и В.И. Щеглов (71) Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и электроники Ан .СССР(56) 1. Авторское свидетельство СССР Н 862087) кл. С 01 В 33/12, 1981.2. Лисовский Ф.В. Физика цилиндрических магнитных 4 Ьменов, И., "Сов, радио", 1979 с. 146-148. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОРИЕНТА" ЕГКОГО НАМАГНИЧИВАНИЯ И ПО" РОПИИ ИАГНИТНЫХ ПЛЕНОК, й воздействие на магнитную стоянным магнитным полем и ее в этом поле, о т л ий с я тем, что, с ц ю повышения точности измерения, напленку дополнительно воздействуютпеременным магнитным полем, перпендикулярным плоскости пленки, вращаютпленку, находящуюся в контакте спьезоэлектрическим преобразователем,в постоянном магнитном поле устанавливают пленку в положение, сОответствующее максимуму напряжения напьезоэлектрическом преобразователеи по ориентации пленки относительнонаправления постоянного магнитногополя определяют ориентацию оси легкого намагничивания, увеличиваютнапряженность постоянного магнитного поля до .величины, соответствующейминимуму напряжения на пьезоэлектрическом преобразователе, и по величине полученного постоянного магнитного поля определяют поле анизотропиимагнитной пленки,Ф 102Изобретение относится к магнит"ным измерениям и предназначено дляопределения ориентации оси легкогонамагничивания и поля анизотропиимагнитных пленок пластинок) Ферри"тов-гранатов, ортоферритов и другихматериалов, имеющих од -осную магнитную анизотропию, применяемых ввычислительной технике интегральнойоптике и технике СВЧ .Известен спосоЬ определения ориентации оси легкого намагничивания иполя аниэотропии, основанный на получении спектра ферромагнитного резонанса ФМР) при различных ориента"циях пленки и частотах СВЧ сигнала 1 Д.Однако точность измерения его ограничена,Известен способ, основанный намагнитооптическом наблюдении зарождения доменной структуры пленки прйее намагничивании постоянным полеми включающий помещение исследуемойпленки в постоянное магнитное полеи вращение ее в этом поле, причемпостоянное магнитное поле ориенти"руют параллельно плоскости пленки,пленку устаавливают таким образом,цтобы. ось ее вращения совпадала сномалью к поверхности пленки, освещают пленку поляризованным светом ис помощью анализатора и микроскопанаблюдают зарождение доменной структуры, вращают пленку вокруг оси,совпадающей с нормалью к плоскостипленки, подбирают ориентацию и напряженность магнитного поля такимобразом, цтобы в момент зарождениядоменная структура имела полосовойхарактер, снимают зависимости продольной и поперечной (относительнооси вращения пленки) компонент напряженности магнитного поля, соответствующих моменту образования домен"ной структуры от угла поворота плен"гки, пред ста вляют полу ченную з ависимость в виде рядов Фурье и опреде,ляют константы и ориентацию осейанизотропии по коэффициентам полученного разложения 21. Однако точность измерения его недостаточна, что обусловлено пределом оптического разрешения.Целью изобретения является повышение точности измерения при определении параметров пленок с суЬмикронными доменами. 32652Эта цель достигается тем, что согласно способу, влкючающему воздействие на магнитную пленку постоянныммагнитным полем и вращение ее в5 этом поле, на пленку дополнительновоздействуют переменным магнитнымполем, перпендикулярным плоскостипленки, и вращают пленку, находящуюся в контакте с пьезоэлектрическим 1 О преобразователем, в постоянном магнитном попе устанавливают пленку вположение, соответствующее максимумунапряжения на пьезоэлектрическомпреобразователе, и по ориентации 15 пленки относительно направления постоянного магнитного поля определяют ориентацию оси легкого намагничивания увеличивают напряженностьпостоянного магнитного поля до велищ чины, соответствующей минимуму напряжения на пьезоэлектрическом преобразователе, и по величине полученногопостоянного магнитного поля определяют поле анизотропии магнитной плен киНа фиг. 1 представлена схема расположения магнитной пленки пьезоэлектрического преобразователя и магнитных полей; на фиг. 2 - зависимость напряжения на пьезоэлектрическом преобразователе от угла поворотапленки; на фиг. 3 .- зависимость на"пряжения на пьезоэлектрическом преоб"разователе от величины постоянногомагнитного поля,З 5 Способ реализуется следующим об"разом.На исследуемую магнитную пленку1 1 фиг. 1) воздействуют постоянныммагнитным полем Н и переменным маг" 40-нитным полем Ь перпендикулярнымплоскости пленки 1, В механическийконтакт с исследуемой пленкой 1 при-водят пьезоэлектрический преобразователь 2. Затем осуществляют вращениепленки вокруг осей Г и М в постоян"ном магнитном поле К вместе с пьезоэлектрическим преобразователем 2 ипеременным магнитным полем Ь. Сначала пленку 1 вращают вокруг оси 3перпендикулярной направлению постоянного магнитного поля 1. и лежа"щей в. плоскости пленки 1. При этомв процессе вращения снимают зависи"мость напряжения на пьезоэлектричес ком преобразователе 2 от угла у поворота пленки (фиг. 2). Резко выраженные максимумы при углах (, и (соответствуют области существования