Способ получения электролитических осадков железа

Номер патента: 1187344

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Арнольд, Борисов, Громов, Гульдин, Долгов, Дугельный, Дьяков, Заливной, Захаров, Кулаков, Сутурин, Чернова

МПК: C22B 7/00, C25C 3/24

Метки: алюминия, анодных, осадков, переработки, рафинирования, электролитического

...рафинировании апюминия по трехслойному способу с использованием алюминий-медного анодного сплава на тонну получаемого алюминия высокой частоты образуется от 60 до 80 кг так называемых анодных осадков, в виде которых удаляются 1 О примеси, вводимые в злектролизер с алюминием-сырцом.Обычный состав анодных осадков следующий: медь 15-25 мас.й, железо 6-Ю мас,Х, кремний 4"6 мас.Ж, алюми ний - остальное,По существующей технологии енодные осадки направляются на заводы Вторцветмета,. где из них извлекается . только .медь, что связано с потерями алюминия и дополнительньми транспортными расходами. 25 8 5 700 +52 25 8 5,5 575 +5 едует иэ приведенных данных, е Фаз в указанном диапазонеобеспечивает высокий выход продукта при низком...

Номер патента: 1391138

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Арнольд, Беляев, Борисов, Гульдин, Долгов, Дугельный, Дьяков, Заливной, Захаров, Колпаков, Крюковский, Маценко, Мурашкин, Сутурин

МПК: C25C 3/24

Метки: алюминия, анодных, осадков, переработки, рафинирования, электролитического

...всей массы металла, т.е. повышаются энергозатраты и наряду ,", этим увеличивается время нагрева и охлаждения, что ведет к нерациональной загрузке оборудования. При получении первичного алюминия неизбежно получают 2-3% низкосортного металла марок АВ с содержанием 20 железа от 1, 5 до 3, 5% (на пусковых и отключаемых на капитальный ремонт ваннах), который расшихтовывают высокосортным металлом до верхних допустимых содержаний железа. Зто сни жает общую сортность выпускаемого алюминия и экономически убыточно,При использовании низкосортного алюминия марки АВ для переработки анодных осадков исключается расших тонка низкосортного металла, что повышает общую сортность и наряду с этим вовлекается в процесс получения АВЧ-низкосортньп....

Номер патента: 901365

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Гончаренко, Лидерман, Ржепковский, Рябухин, Сабуров, Черномордик

МПК: C25C 3/04

Метки: концентрации, магния, расплаве, хлористого, электролита

...снижения концентрации ИдС до предельного значения и корректиров ки электролита операции по определению начальных значений концентрации МЯС 1 и уровня повторяются.Таким образом, отбор пробы и химанализ, электролита производится только после корректировки состава электролита.При выборе уровня расплава в качестве косвенного параметра для опре 50 деления концентрации МдС Г исходят из того, что изменение уровня происходит за счет разложения при электро" лизе ИдС 12 на Ид и СГ и удаления образоваваегося хлора из электролизера, т.е. изменение уровня электролита связано с уменьшением концентрации МдС . 5 1Для проверки предлагаемого способа выбирают промышленные бездиафрагменные электролизеры с питанием по хлормагниевой схеме (сырьем, полученным...

Номер патента: 1302738

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Башкатов, Гончаренко, Кушнин, Лидерман, Митюшов, Сабуров, Ходыко

МПК: C25C 7/06

Метки: концентрации, магниевого, магния, расплаве, хлористого, электролизера, электролита

Устройство для контроля концентрации хлористого магния в расплаве электролита магниевого электролизера, содержащее последовательно соединенные датчик уровня расплава, дифференциатор, первый релейный элемент и первый коммутатор, блок деления, задатчик исходной концентрации, регистратор, соединенные последовательно элемент сравнения, второй релейный элемент и второй коммутатор с двумя интеграторами на выходах, соединенными своими выходами с входами блоков сложения, выходы которых подсоединены к блоку деления, причем второй вход первого блока сложения соединен с датчиком уровня, а выход дифференциатора дополнительно подсоединен к коммутируемому входу первого коммутатора, выход которого...

Номер патента: 480925

Опубликовано: 15.08.1975

Авторы: Завадский, Калашников, Карпова, Корнилов

МПК: G01K 7/01

Метки: полупроводниковой, структуры, температуры

...или ее малых отклонений.Известно использование полупроводниковых термисторов с отрицательным температурным коэффициентом для измерения температуры. Измерение температуры производится обычно на постоянном токе и точность измерения температуры в лучшем случае не превышает 5 10 - зС в интервале температур от 50 до +100 С,В ряде технических задач требуется измерять температуру по переменному сигналу и с гораздо большой точностью. Предлагаемый способ позволяет измерять температуру с высокой точностью в различных температурных интервалах по характеристикам переменного сигнала (величина, частота).Сущность изобретения заключается в использовании температурной зависимости частоты и величины синусоидальных колебаний в кремнии п - типа, у...