Вторичноэлектронный эмиттер, работающийна прострел

тЖт,дн. н" цТ ОП И Союз Советских Социалистических Республикннын комнтеССРнтобретеннйнрытнй 23) Приоритет Опубликов по елам н от летень М 2 ано 07.0831. БДата опубликования описания 07088(72) Авторь Х 11 ихтенштейн, Б.С.Николаенко, А.Э.Шабельнико и Н,Л.Яснопольский зо оетени Институт радиотехни(71) Заявител электроники 54 ) 1 У 1 ОРИЧНО-ЭЛЕКТРОННЫИ ЭМИТТЕР, РАБОТЛОЦИЙ НА ПРОСТРЕЛ я рон ское од щий слой облад м неупругого р примерно в два люминия), что споению коэффициента и на прострел, Кроме лое не образуется их температурах ремя как алюминий ой температуре обрапленку окисла (дихудшает проводящие ограничивает возможего толщины. Это Та к ой п ров од ялым коэффициентония электронов (меньшим, чем у асобствует увеличвторичной эмисситого, на таком сокисел при рабочэмиттера, в то вдаже при комнатнзует устойчивуюэлектрик), что усвойства слоя иность уменьшения ает ма ассея- раза Изобретение относится к элементам конструкции вакуумных прибороввторично-электронным эмиттерам, а более конкретно к вторично-электроннымэмиттерам, работающим на прострел.Известны вторично-электронныеэмиттеры, работающие на прострел,которые состоят изеопорного слояокиси алюминия толщиной 600-1000 Аили в виде мелкоконструкторной сетки,на который нанесен тонкий (200 А)проводящий слой, изготовленный всегдаиз металла, обычно алюминия, и слойэффективного эмиттера, например КС 1или К 2 С 55 Ь 1115Известен также эмиттер, в которомопорный слой выполнен в виде мелкоструктурной металлической сетки (23.На опорный слой нанесен тонкии проводящий слой алюминия. Слоем эффективОного эмиттера является 0 С 1 (2 1.Такие эмиттеры со слоем 0 С дают- 13 при Ер,сс= 3, 5 кэв и б 1,5при ср = 1 кэв.25Несмотря на то, что в эмиттерах сопорным слоем на мелкоструктурнойсетки рабочие напряжения сниженыпочти в два раза по сравнению с другими, такие змиттерь 1 практически ненашли применения в приборах. 30 Недостатком этих эмиттеров явл ются низкие значения Г при малых зна чениях Ер ( 1 кэв) из-за потери энергии и самих первичных элект ов в проводящем слое.Цель изобретения - снижение у ряющего напряжения Ер, т.е. существенное увеличение (T при малых Ер ( 1 кэв).Для этого в предлагаемом устройст ве проводящий слой выполнен из элемента периодической системы с атомным номером, меньшим, чем у алюминия,и не образующего окисла при работе эмитт ра, например из тонкого слоя углеИсточники информации15 принятые во внима 1 гие п 1 эи экспергизе Формула изобретения 1. Вторично-электронный эмиттер,работающий на прострел, содержащий Составитель Г. жуковаТехред д. Ач Корректор Е, Рошк 1 Редактор В. Фельдман Заказ 5923/50 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и Открытий 113035, Москва, Ж, Рау 111 ская наб д. 4/5Филиал ППП "Патенг", г. Ужгород, ул. Проектная,о.;,Мф У 1 1",4обеспечивает большую, чем у алюминия, Опориый СлОй ИЗ МЕлкОСтрукгУРной проницаемость и меньшие потери энер- сетки, проводящий слой и слой эмитгии первичными электронами в прово- тирующего вещества, о т л и ч а ю дящем слое. Углеродная пленка изго- щ и й с я тем, что, с целью снижетовляется распылением углерода в ва- ния ускоряющего напряжения, проводякууме и наносится на мелкоструктур- щий слой выполнен из эл 1 мента -1 ериную опорную сетку методом флотации, Одической системы с атом 11 ым но 1 е 1,оу 1 Затем на нее наносят слой эффективМЕН ЬШМ, чЕМ У а 111 н ИЯ И/ ного эмиттера, например, из щелочно образующего ок 11 сла;1 ри Он=от эмит - галоидного соединения или КСз 5 Ьтера.и др;экспериментальные образцы предла. Вмиттер по п,1з т л и ч а ю гаемых эмиттеров, изготовленные на Щ И й С и 1 ЕМ ЧТО П ЭОВС 1 ДЯГ 1 й Слой мелкоструктурных сетках проницае- выполнен из углерода. мостью 80 с проводящим слоем изЛуглерода толщиной50 А и с эмиттирующим слоем из СьС, дают с хорошейвоспроизводимостью (при, , 15 приЕ= 2,5 кэв) весьма высокую эфЪС 1 КС1, Гфонина .П.Ф. и др. Вторичная фектйвность (9 при р = 1 кэв электронная эмиссия сурь 11. Ио-калиево существенно превьп 11 ающую эффективность де зие Б 11 х слоев, Влектр 011 ня тсхникавсех известных эмиттеров при таких щ сер, ,1, 1973, в, 9, с, 126, низких Ер, что ОбеспЕчивается указанными выше свойствами углеродистого коза А.З, Исследование втори 1 ч 1 О;1 слоя. . миссии эмиттеров на основе ще.-1 оч 11 огалоидных соединений, Радиотехникаи электроника, 1976, г, Х/, 1 12,с, 2574 1,прототип 1.