Способ формирования слоя фоторезиста

зЯесЯОфАЯ , тек,г :; Воффч:.И тВЙЙ МЬА ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ц 570870 Союз Советских Социалистических Республик(б 1) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 19,05.75 (21) 2135449/ 1) М Кл 26 ОЗС 1/74 рисоедкнением заявки Ъе 23) Прпорит Опубликованоосударственн овета Микис н комитетров СССР(54) СПОСОБ ФОРМЫРОВАИ 11 Я СЛОЯ ФО зменение изически ентрифу мента 4 Изобретение относится к радиоэлектронике, а именно к способам фотолитографии при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности интегральных схем.Известен способ нанесения фотоэмульсионного слоя на подложку при небольшом избыточном давлении 11.Однако этот способ формирования слоя фоторезиста не позволяет получать пленки с числом дефектов менее 0,05 - 0,10 проколов/ /мм, Значительно возрастает число проколов при создании пленок толщиной в 0,3 - 0,5 мкм, т. с. именно тсх толщпн, которые обеспсчиваот получение наилучшео разрешения в производстве ипсгральпых схем высокой ипер а ци и.Цель изобретения - снижение дсфсктности слоя фоторезиста.Это достигается тем, что по предлагаемому способу формирования слоя фоторезпста нанесение фоторезиста осущсствлпот при давлении па подложку в пределах от 0,3 ати до давления, пс превышающего значения, при котором происходит пзмспспис физпчсских свойств подложки.Способ формирования слоя фоторсзиста, включающий нанесение фоторсзиста на подложку, заключается в том, что фоторезист наносят под давлением в прсделах от 0,3 ати до давления, нс превышающего значения, при котором происходит и ф х свойств подложки.Давление, созданное при формированиислоя фоторсзиста, предотвращает рост паро газовых пузырьков, имеющихся в слое. Этимустранястся возможность их вскрытия на наружной поверхности фоторезиста.Для снижения дефектности слоя фоторезиста последующая обработка его, а именно суш- О ка, должна также исключать увеличение размеров парогазовых пузырьков в пленке. Это обсспсчпвастся проведением указанной операции под избыточным давлением. Необходимо акжс использование избыточного давле и и и дл мжопсрационного хранения нанесенного па подложку слоя фоторезиста перед его сушкой, если такое предусматривается особенностями технологического процесса и оборудования. Всспчгпа избыточного внсшне- О го дав;сипя па каждом пз этих эапов должна превышать давлсшс парогазовой смеси внутри пузырьков.11 р и м с р, Проводилось техническое опробоваппс способа формирования слоя фоторепа окпс,снных пластинах кремнияспсцпальном устройствс,На чсртсжс прсдставлсно устройство длярсалпзацпп предлагаемого способа.Устройство состоит из камеры 1, цгп 2, столика 3, нагревательного элеэкрана 5, дозатора 6 с фоторезистором, системы 7 подачи давления, клапана 8 подачи фоторезиста.Окисленные кремниевые пластины 9 с низкой заранее определенной дефектностью окисла закрепляются на столике 3 центрифуги 2. Опускается и закрывается колпак камеры 1.Последовательность операций и параметры режимов следующие;1) с помощью клапана 8 фоторезист марки ФПили ФП-РН 7 выдается из дозатора 6 на пластину в количестве 0,2 - 0,3 мл;2) включается центрифуга 2 на 30 сек. Скорость центрифугирования 1500 об/мин;3) одновременно с включением центрифуги в камере 1 создается давление газа порядка 5 - 6 ати;4) после остановки центрифуги пластина выдерживается под указанным давлением до термообработки. Время хранения от 0 до 10 мин;5) термообработка фотослоя проводится под давлением газа от 0,5 ати до давления, не превышающего значения, при котором происходит изменение свойств подложки, в камере при температуре 110 С в течение 5 мин;6) после отключения элемента 4 пластина охлаждается включением центрифуги в течение 1 мин (п=1500 об/мин), После этого давление в камере снижается и пластина извлекается.Цель последующей обработки сформированной пленки фоторезиста - исследование 5 дефектности слоя окисла, создаваемой дефектами фоторезиста. Оценка проводилась с использованием метода электрографии. Установленная при этом дефектность для предлагаемого способа 0,005 - 0,01 проколов/мм.10 Нанесение слоя фоторезиста на подложкупод избыточным давлением в пределах от 0,3 ати до давления, вызывающего изменение физических свойств подложки, снижает также дефектность при использовании методов 15 окунания, пульверизации и полива.Формула изобретенияСпособ формирования слоя фоторезиста,включающий нанесение слоя фоторезиста на20 подложку в условиях избыточного давления,отличающийся тем, что, с целью снижения дефсктности слоя фоторезиста, нанесениеего осуществляют при давлении на подложкув пределах от 0,3 ати до давления, не превы 25 шающего значсния, при котором происходитизменение физических свойств подложки.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР Мо 303993,зо кл, С ОЗС 1/74, 10.11.69.Изд.715 Тир ственного комитета Совета М о делам изобретений и откр Москва, Ж, Раушская на Заказ 2084 Рос 113 едактор Е. Караулова Составитель В. Лякише ехред И, Карандашо Типография, пр, Сапуно ж 585инистротийд. 4/5 Корректор Н. АукПодписное