Способ получения резистивного слоя

Номер патента: 395906

Авторы: Атабек, Вассерман, Золотарев, Панин, Рыжков, Юсов

ZIP архив

Текст

Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 22,Ч).1971 ( 1672134/26-9) 1 с 17/О присоединением заявкисударственныи комит овета Министров ССС о делам изобретенийи открытий ПриоритетОпубликовано 28.Ч 111.1973. Бюллетень3Дата опубликования описания 29.Х 11.1973 621.396,6-181.4аявител СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЗИСТИВНОГО С 2 лучение резисторов заданного номинального значения осуществляется путем контроля величины сопротивления резистора в процессе ионного внедрения. Для получения большей 5 точности цоминальцой величины сопротивления резисторов вводятся поправки на изменение сопротивления резисторов из-за его нагрева при лсгировании и последующеи стабилизации. Отжиг слоев производится только для 10 стабилизации резисторов.Предлагаемый способ получения резистивного слоя основан на изменении электропроводности бомбардпруемой пленки путем внедрения рассеивающих носители дефектов или 15 рассеивающих носители центров. едмет изобретения 1. Способ получения резистивного слоя путем бомбардировки поверхности проводящего материала ионами легирующего элемента, отличающийся тем, что, с целью формирования резистивного слоя с требуемыми параметрами непосредственно в процессе легирования, бомбардировке ионами легирующего элемента подвергают металлическую пленку, например, из хрома, нанесенную на диэлектрическое ос. нование.2. Способв качестве лкремний. Изобретение относится к технологии изготовления компонентов радиоаппаратуры и может быть использовано при производстве металлопленочных резисторов.Известен способ получения резистивного слоя путем бомбардировки поверхности проводящего материала ионами легирующего элемента. Однако формирование резистивного слоя с требуемыми параметрами не достигается непосредственно в процессе легировация, а требует индивидуальной подгонки резисторов путем подачи электрических импульсов, приводящих к локальному дозированному отжигу легированных участков проводящего материала при избыточной дозе внедренных ионов примеси.Целью изобретения является формирование резистивного слоя с требуемыми параметрами непосредственно в процессе легирования,Это достигается тем, что бомбардировке ионами легирующего элемента подвергают металлическую пленку, например, из хрома, нанесенную на диэлектрическое основание.В качестве легирующего элемента может быть использован кремний,Способ получения резистивного слоя заключается в том, что диэлектрическое основание с нанесенной на него металлической пленкой, например, из хрома подвергают бомбардировке ионами легирующего элемента, например кремния, с энергией 20 - 500 кэв. Попо п. 1, отличающийся тем, что в егирующего элемента используют

Смотреть

Заявка

1672134

Б. В. Панин, Б. А. Атабек, Ю. С. Вассерман, В. С. Золотарев, В. А. Рыжков, Ю. П. Юсов

МПК / Метки

МПК: H01C 17/00

Метки: резистивного, слоя

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-395906-sposob-polucheniya-rezistivnogo-sloya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения резистивного слоя</a>

Похожие патенты