Способ получения гранул из растворов в псевдоожиженном слое

Номер патента: 471375

Опубликовано: 25.05.1975

Авторы: Акперов, Именков, Попов, Царенков, Шер, Яковлев

МПК: C09K 1/00

Метки: раствор, твердый

...излучающей области светодиодных преобразователсй электрической энергии в световую энергию.Известен твердый раствор ба =А 1,.Аз:51 с содержанием кремния 5 10"см - , который может быть использован для изготовления излучающей области светодиодов.Однако известный материал имеет низкий 10 квантовый выход электролюминесценции в красной области спектра - 0,025%, что ограничивает область применения этого экономичного материала.Предлагаемый твердый раствор отличается 15 от известного тем, что кремний в него вводят в количестве 3 10" - 5 10"см впри следующем соотношении компонентов, ат. %: галлий 25 - 49, алюминий 1 - 25, мышьяк 50, кремний 0,0000007 - 0,000002, 2Это отличие обеспечивает увеличение внешнего квантового выхода электролюминесценции в...

Номер патента: 496873

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Коробов, Маслов, Хлебников

МПК: H01L 7/36

Метки: газовой, например, полупроводников, растворов, слоев, твердых, фазы, эпитаксиальных

...уменьшении п,гг)ц)ди неоднородных по составу пластин источника).5При достижении указанной скорости смены источников слоистая неоднородность полученного твердого раствора не превышает период, равный одному чежатомному расстоянию. Вследет зщ этого дгье медленный процесс самодиффузии в тве)одоч теле обеспечи О виет плное выравнивание концентраций комПг Ргсцт)ЛЗ; ВЕР,Г)го Р )С .Ра .:ЕЖДУ СОСЕДНИ.;:.)Точны чи с;гон )следовательно, по всем, ) оъечу эг.таса,.ьцой пленки.ЗадаРВ): . ) гав твердого раствора обес 15 печивается благодаря использованию пластин источников различных по размеру.Для иолучеция твердого раствора на основе соединений АВ ц АВ соотношение углов секторов используемых источников должно быть пропорционально их мольной доли в 2...

Номер патента: 1297523

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Нурмагомедов, Сафаралиев, Таиров, Цветков

МПК: C30B 23/02

Метки: sic)00100-00x(aln)00x, растворов, слоев, твердых, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)4-x(AlN)х сублимацией источника в атмосфере инертного газа при 1900 2100oС, отличающийся тем, что, с целью получения совершенных слоев заданного состава в интервале 0,35 0,9 и удешевления процесса, процесс ведут в контейнерах из карбида циркония, а в качестве источника используют поликристаллические спеки из SiC и AlN при следующем соотношении компонентов, мас.SiC 20 80AlN Остальное

Номер патента: 1785048

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Литвак, Моисеев, Чарыков, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, гетероэпитаксиального, индия-алюминия, наращивания, основе, раствора, слоев, твердого

...А 1-ЗЬ, Использование эвтектики позволяет перейти от гомогенного расплава к безградиентной твердой фазе и, таким образом, получить, далее, беэградиентный четырехкомпонентный расплав ойределенного состава, Отсутствие Однородности именно в твердой фазе не позволяло ранее получать гетероэпитаксиальные слои твердого раствора п-А 1-Аз-ЗЬ, Только используя эвтектический сплав А 1+ ЗЬ, авторамвпервые в миреудалось получить их,Нагрефй интервале 900 С Т1000 С позволяет получить полнестью гомогенный расплав. При Т900 С затруднено равноМерное перемешивание компонентов в жидкой фазе йз-за диффузионных ограничений, Повышение температуры увеличивает скорость перемешивания, но при Т1000 С резко возрастает давление пара ЗЬ над расплавом, что ведет...

Номер патента: 593349

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Авдиенко, Березина, Богданов, Мастихин, Сапожников, Шелопут

МПК: C30B 33/00

Метки: галогенидов, монокристаллов, растворов, таллия, твердых, термообработки

...при повышенной температуре. Отжиг кристаллов, содержащих 42 Т 0 Вг и 58 Те 1, проводится при 330 С на воздухе в течение 3-4 ч 11. Указанный способ преследует цель избавиться от термических напряжений, возникающих в кристаллах в процессе роста и обработки.Однако кристаллы твердых растворов галогенидов таллия, например кристаллы состава, ТССЕ ТЕ 1 (КРС-б) ТЕВг Т 11 (КРС) имеют еще и микронеоднородности, обусловленные Флуктуациями в процессе кристаллизации. Такие кристаллы нельзя использовать в качестве звукопроводов для акустооптических устройств, так как неоднородности приводят к,дополиительному механизму значительного затухания звука,(71) 3 Институт Физики полупроводников Сибирского отделенияЗаявительАН. СССРф 59 3349 Формула...