Микрополосковый аттенюатор

(19) (И) 118 А Р 1/22 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТ олосжки 1,ено ои 5 по- с ДН 4, П 4 равы, 1 ил,ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИ ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(71) Научно-исследовательский инсти тут механики и физики Саратовского государственного университета и Саратовский филиал Института радиотехники и электроники АН СССР (72) Б,П.Безручко, Д.А.Усанов и Г.А.филиппов(54) МИКРОПОЛОСКОВЫЙ АТТЕНЮАТОР (57) Изобретение относится к радиотехнике и обеспечивает расширение диапазона регулирования ослабления. Устр-во содержит отрезок микропковой линии, состоящий из подлона одной стороне к-рой расположметаллич. заземленное основание 2,а на другой - микрополосок (МП) 3,и регулирующий эл-т, имеющий клинообразную форму, установленный состороны МП 3 с возможностью перемещения в направлении, перпендикулярномк нему, в плоскости, параллельнойему, и состоящий из диэлектрич. пластины (ДП) 4 и нанесенного на нее слоя5 поглотителя, толщина к-рого меньшескин-слоя. Диэлектрич. проницаемостьматериала ДП 4 больше диэлектрич.проницаемости подложки 1, Слглотителя нанесен на сторонуобращенную к МП 3. Площадь Дна площади слоя 5. 1 з,п.ф-л131 9118 Изобретение относится к радиотехнике, а именно к устройствам длярегулирования уровня мощности, и может быть использовано в радиоизмерительной аппаратуре.Целью изобретения является расширение диапазона регулирования ослабления,На чертеже представлен микрополосковый аттенюатор, общий вид.Микрополосковый аттенюатор содержит отрезок микрополосковой линии,состоящей из подложки 1, на однойстороне которой расположено металлическое заземленное основание 2, ана другой - микрополосок 3, и регулирующий элемент, имеющий клинообразную форму, установленныи со стороны микрополоска 3 с возможностью перемещения в направлении, перпендикулярном к нему, в плоскости, параллельной ему, и состоящий из диэлектрической пластины 4 и нанесенногона нее слоя 5 поглотителя, толщина1которого меньше толщины скин-слоя.Диэлектрическая проницаемость материала диэлектрической пластины 4больше диэлектрической проницаемости материала подложки 1. Слой 5 поглотителя нанесен на сторону диэлектрической пластины 4, обращенную кмикрополоску 3. Площадь диэлектрической пластины 4 равна площади слоя5 поглотителя,Полосковый аттенюатор работаетследующим образом.В отсутствии регулирующего элемента над микрополоском 3 поле сконцентрировано в промежутке между микрополоском 3 и металлическим заземленным основанием 2, а на поверхнос"ти микрополоска 3 вдоль него протекает электрический ток. При толщине микрополоска 3 больше толщиныскин-слоя волна по отрезку микрополосковой линии распространяетсяпрактически без затухания. Введение в область, промыкающую к микрополоску 3, слоя 5 поглотителя приводит к перераспределению поля, Поле выходит за пределы микрополоска 3 и часть его оказывается в области слоя 5 поглотителя, толщина которого меньше толщины скин-слоя, Возникающий в области слоя 5 поглотителя продольный ток, вследствие высокого сопротивления слоя 5 поглотителя, приводит к росту затухания 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 2волны, которое тем больше, чем больше протяженность участка микрополоска 3, перекрытого слоем 5 поглотителя. Наличие над слоем 5 поглотителядиэлектрической пластины 4, диэлектрическая проницаемость материалакоторой больше диэлектрической проницаемости материала подложки 1,способствует эффективному "вытягиванию" поля из промежутка между микрополоском 3 и металлическим заземленным основанием 2 и концентрацииего в слое 5 поглотителя и в диэлектрической пластине 4,Поскольку эффективность поглотителя тем выше, чем меньше расстояние от микрополоска до слоя 5 поглотителя, он нанесен на стороне диэлектрической пластины 4, обращенной к микрополоску 3. Выполнениедиэлектрической пластины 4 и слоя 5поглотителя с равными площадями также способствует расширению диапазона регулирования ослабления из-зафуменьшения потерь на излучение, авыполнение регулирующего элементаклинообразной формы с перемещениемего в направлении, перпендикулярноммикрополоску, обеспечивает плавность,регулирования ослабления,Формула изобретенияМикрополосковый аттенюатор,содержащий отрезок микрополосковойлинии и регулирующий элемент, установленный со стороны микрополоскас возможностью перемещения относительно него и состоящий из диэлектрической пластины и нанесенного нанее слоя поглотителя, толщина которого меньше толщины скин-слоя.причем диэлектрическая проницаемостьматериала диэлектрической пластиныбольше диэлектрической проницаемости материала подложки отрезка микрополосковой линии, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью расширения диапазона регулирования ослабления, слой поглотителя нанесенна сторону диэлектрической пластины, обращенной к микрополоску.2. Аттенюатор по п. 1, о т л ич а ю щ и й с я тем, что регулирующий элемент установлен с возможностью перемещения в направлении,перпендикулярном к микрополоску, вплоскости, параллельной ему, и имеетклинообразную форму, причем площадислоя поглотителя и диэлектрическойпластины равны между собой.