Пеностекло

Номер патента: 913762

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Водаков, Мохов

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбида, кремния, политипа, эпитаксиального

1. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4Н путем пересублимации исходного материала на монокристаллическую подложку карбида кремния в присутствии паров вещества, трансформирующего ее в политип 4Н, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов, их совершенства и чистоты, в качестве трансформирующего вещества используют олово, или свинец, или германий, или их смесь.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины переходного слоя, пересублимацию ведут со скоростью нагрева исходного материала 100 1000oС/мин.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что, с целью легирования кристаллов, пересублимацию ведут в присутствии паров легирующего вещества из ряда:...

Номер патента: 136328

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Шашков, Шушлебина

МПК: C30B 29/36, C30B 9/06

Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов

...его осуществляют под вакуумом, обеспечивающим необходимое для роста монокристаллов карбида кремния пер- сыщение раствора. Известен способ выращивания монокристаллов карбида кремния В атмосфере аргона посредством их кристаллизации из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщении кремния карбидом кремния, за счет уменьшения температуры расплава,С целью получения более чистых и совершенных монокрпсталлов карбида кремния предлагается способ пх выращивания из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщенпи расплава карбида кремния, за счет преимущественного испарения кремния в вакууме прп постоянной температуре расплава 1600 вместо 2500 в известном способе). Для осуществления процесса бекетовский монокристаллический...

Номер патента: 1729086

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Воронин, Осипов, Шульженко

МПК: C01B 31/06, C01B 31/36

Метки: алмаза, карбида, композиционного, кремния

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА ИЗ АЛМАЗА И КАРБИДА КРЕМНИЯ, включающий формирование трехслойной системы из слоя алмазного порошка, пластины из кремния и промежуточного между ними слоя, нагрев этой системы под воздействием давления не менее 25 кБар до температуры, достаточной для плавления кремния, и выдерживание при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости алмазосодержащего слоя композиционного материала, в качестве промежуточного слоя используют порошок или пластину со сквозной пористостью из карбида элемента из группы, включающей бор, кремний, переходные металлы IV VI групп Периодической системы или из смеси карбидов или из твердого сплава карбида вольфрама и кобальта, а нагрев...

Номер патента: 1730035

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Динельт, Ливенец

МПК: C01B 31/36

Метки: карбида, кремния

...определяют процесс грануляции. При содержании связки менее 15% сближение частичек пыли затруднено и уплотнение гранул недостаточно. При избытке же (более 25%) происходит слипание гранул, а при значительном переувлажнении - образование сплошной пастообразной массы,При уменьшении концентрации жидкого стекла или лигносульфонатов в водном растворе прочность и плотность высушенных гранул уменьшаются. Это приводит к тому, что при содержании растворенного вещества в связующем ниже 5% термическая стойкость гранул при нагреве заметно снижается, что приводит к ухудшению газо- проницаемости слоя шихты,Увеличение концентрации растворенных веществ (жидкого стекла или концентрата лигносульфонатов) в связующем, подаваемом на окомкование,...

Номер патента: 194783

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Витюгин, Карлин, Прохорович, Рыбаков

МПК: C01B 31/36

Метки: карбида, кремния

...зоне печи путем брикетирования,агломерации и обычной грануляции не далиположительных результатов.Предложенный способ заключается в термообработке реакционного шихтового материала, содержащего кварцевый песок и углеродистый материал. Этот материал гранулирован таким образом, что вначале получаютгранулы из кварцевого песка, а затем на них5 наносят слой углеродсодержащего материала,что дает возможность поддерживать газопроницаемость шихты на равномерном постоянном уровне и, кроме того, значительно интенсифицирует процесс,10 Такая двухслойная грануляция шихтовыхматериалов предусматривает образованиекварцевых ядер гранул с последующим накатыванием на них углеродистой оболочки.Причем количество углеродистого материала15 в оболочке...