Патенты опубликованные 30.03.1991
Насадка для разложения амальгамы щелочных металлов
Номер патента: 1122010
Опубликовано: 30.03.1991
Авторы: Демин, Комаров, Коротя, Косинский, Сасин, Чвирук, Шипков
МПК: C25B 1/44
Метки: амальгамы, металлов, насадка, разложения, щелочных
...содеркании гидрида титана 97 и менее каталитическое влияние ее недостаточно, В свою очередь при количестве этой добавки 16% и более каталитическая активность элементов не возрастает по сравнению с верхним заявленным пр еделом.Количество декстрина выбрано из необходимости обеспечения сыпучести массы при прессовании элементов. При со держании декстрина 0,2% и менее не обеспечивается нужная сыпучесть. Увеличение содержания декстрина до 1,1% и более приводит к умельчению гранул; массы, что обуславливает снижение ее 45 сыпучести и повышенную дефектность элементов при ее обжиге.Содержание графита или прокаленного кокса выбрано исходя из необходимости регулировать усадку элементов. Введение добавки в количестве 97 и менее не приводит к...
Способ радиографического контроля изделий в виде тел вращения
Номер патента: 1122102
Опубликовано: 30.03.1991
Авторы: Декопов, Петухов, Цобенко, Шиленко
МПК: G01N 23/18
Метки: виде, вращения, радиографического, тел
...иэображения, по которому судят о дефектах иэделия,Недостатком этого способа является низкая достоверность контроля дефектов, расположенных в одном свче 1122102нии изделия, что обусловлено наложением изображений траекторий дефектовдруг на друга. По этой причине отсутствует возможность измерения глубинызалегания подобных дефектов,Цель изобретения - повышение достоверности контроля и обеспечение воэможности измерения глубины залеганиядефектов, расположенных в одном сече нии изделия, перпендикулярном оси вращения.Эта цель достигается тем, что вспособе радиографического контроля изделий в виде тел вращения, включающем,5вращение изделия вокруг своей оси,просвечивание иэделия пучком излучения, проходящим через сечение...
Устройство для измерения магнитного поля
Номер патента: 1178207
Опубликовано: 30.03.1991
Автор: Лачинов
МПК: G01R 33/07
Метки: магнитного, поля
...току, реализуемой с помощью второгооперационного усилителя 8. Начальноезначение напряжения источника опорного регулируемого напряжения 6 вы 55бирается таким образом, чтобы компенсировать падение напряжения натоковых электродах ДХ при работе вслабых полях. Собственно компаратор-преобразователь напряжения в ток имеет линейную характеристику, однако из-за нелинейного изменения сопротивления ДХ в магнитном поле в преобразователе возникает небольшая (л 10 ) нелинейная добавка в 1в соответствии с положительной обратной связью устройства. Для тока компенсации 1справедливо соотношение1 ьК мй1 = ------- , причемК - К - КмЙс О КмЙК 1где К м - магниторезисторная частьвходного сопротивления ДХ(при малых полях КЙ= О);К - входное сопротивлениеоДХ...
Устройство для переработки радиоактивных отходов
Номер патента: 1538798
Опубликовано: 30.03.1991
Авторы: Арустамов, Ожован, Ширяев
МПК: G21F 9/16
Метки: отходов, переработки, радиоактивных
...которого блок реле 38 реверсирует электродвигатель 32 и привод 12 закрывает заслонку 20. Закрывание заслонки 20 фиксируют датчиком 23, по сигналу которого блок реле ЗЯ включает электродвигатель 33 приводя 13 и открывает за 1538798 65 1 О 5 20 25 ЭО 35 40 45 50 55 слоцку 21, Отходы подают во внутренний объем злектроплавителя 1 нарешетку 8, Удариьге нагрузки, возникающие при падении гранулированныхили кусковых отходов на решетку 8,гасятся демпферами 17. Полное открытие заслонки 21 Фиксируют датчиком25, По его сигналу блок реле 38 реверсирует электродвигатель 33 и привод 3 закрывает заслонку 21, По сигналу датчика 26, Фиксирующего закрывание заслонки 21, блок реле 38 отключает электродвигатель 33, а блокрегулирования 41 подает сигнал...
Узел крепления подвесного кранового пути
Номер патента: 1239980
Опубликовано: 30.03.1991
Автор: Мандров
МПК: B66C 7/06
Метки: кранового, крепления, подвесного, пути, узел
...стержнем второго опорного элемента, причем узел снабжен фиксаторами,выполненными в виде горизонтальныхстержней, однц из которых прикреплены к пластинам тяг и установленыс возможностью опирания на пластинупервого опорного элемента, а другиеприкреплены к ребрам жесткости пластины первого опорного элемента иразмещены с возможностью опиранияна первую стяжку. тины 3 с прорезью 4 и ребрами жесткости 5, расположенной вертикально,а второй опорный элемент 6 шарнирносоединен с вертикальными пластинами. О7, прикрепленными к подвесному крановому пути 1, и выполнен в видестержня, пропущенного через отверстия в пластинах 7, Тяги выполнены ввиде двух пластин 8 с отверстиями,через которые пропущены соединительные элементы, представляющие...
Штамм гриба тriсноdеrма наrziаnuм rifai n вкм f-2477, используемый для защиты растений огурца от аскохитоза
Номер патента: 1124473
Опубликовано: 30.03.1991
МПК: A01N 63/00
Метки: f-2477, rifai, аскохитоза, вкм, гриба, защиты, используемый, наrziаnuм, огурца, растений, тriсноdеrма, штамм
...Предл аг аемыйшт аммНеобработанные 4,66 0,9 20,600,41 2,88) растНорТрих анныхет данных тоти данныхнетданных оль данныхнет Но,юныхет биохимии и физиологии микроорганиз- На среде сусло - агар колония широмов АН СССР), используемый для защи- кораспростертая, быстрорастущая,дерты растений огурца от аскохитоза, новинки, густо расположенные вначале,Штамм имеет следующие характеристи- белые, а на 7 сутки роста синевато 5ки. зеленые или темно-зеленые. ОбратнаяИорфологические признаки. сторона колонии бесцветная,Физиологические признаки,На агаризованной среде Чапека об- Отношение к углеводам, Хорошо усразует быстрорастущую, достигающую О ваивает глюкозу, сахароэу, маннит,в диаметре 9,0-9,5 см колонию на 4 - плохо рамноэу, мальтозу, лактозу,5...
Способ определения содержания элементов и их соединений в материалах на основе эффекта мессбауэра
Номер патента: 1124696
Опубликовано: 30.03.1991
Авторы: Бабикова, Бойдаченко, Грузин, Евстюхина, Филиппов, Штань
МПК: G01N 23/02
Метки: материалах, мессбауэра, основе, содержания, соединений, элементов, эффекта
...измерения ленточных материалов.Поставленная цель достигается тем, что при определении содержания элементов и их соединений в материалах на основе эффекта Мессбауэра,состоящем 40 в облучении материала, определении интенсивностей резонансно взаимодействующего и не взаимодействующего резонансно с элементом или его соединениями Гамма-излучения, величины эф фекта Мессбауэра и нахождении содержания элемента или его соединения по величине эффекта Мессбауэра,исследуемую ленту облучают двумя потоками гамма-излучения, проходящими че 50 рез один и тот же участок ленты,причем один поток составляет с плоскостью ленты угол, обеспечивающий максимальную величину эффекта резонансного.поглощеиия для определяемого соединения, другой - угол,обеспечивающий...
Способ радиационного контроля плотности тепловыделяющих элементов
Номер патента: 1124697
Опубликовано: 30.03.1991
Авторы: Косарев, Кузелев, Майоров, Юмашев
МПК: G01N 23/06
Метки: плотности, радиационного, тепловыделяющих, элементов
...(практически не более 1/1 О широкого), и шагом между измерениями, равным ширине узкого пучка. Измеренные наборы интенсивностей прошедшего через твэлы излучения запоминают.Измерения контролируемого твэла проводят при просвечивании широким пучком, регистрируя излучение,прошедшее через твэл. Используя зависимость (1) с полученными при калибровке К 1 и К, получают значение плотности в предположении гомогенного распределения материала.Дополнительно проводят измерения каждого слоя твэла, облучаемого широким пучком, и при просвечивании узким пучком. Полученный набор сигналов при сканировании узким пучком последовательно вычитают из наборов,Ьсоответствующим пяти калибровочным измерениям. По наименьшей разности находят тип гетерогенности...
Погружной электродвигатель
Номер патента: 1124856
Опубликовано: 30.03.1991
Авторы: Александров, Снетков, Терновенко, Удовиченко, Федоров, Чертов, Чехович
МПК: H02K 5/12
Метки: погружной, электродвигатель
...типа из камеры 7 в зазор 24 и гидроуплотнение в виде кольцевого зазора 25. 1.олость в камере 7 при помощи полого цилиндрического элемента 26 разделена в верхней части на внутреннюю и наружную, сообщающиеся между собой внизу общей зоной. Внутренняя зона соединена с одной сто 1124856,роны с полостью в нижней камере 9 средствами сообщения, в которые входят система отверстий 21, лабиринтный канал в колпаке 23 зазор 24 заФ Ф5 зор 13 и отверстия 27 одновременно с зоной 28, расположенной в полости статора-ротора, зазором 14, и с другой стороны - с полостью 12, системой отверстий 22, зазором 29,образованным вокруг вала при помощи элемента 30 и средствами сообщения лабиринтного типа, образованными концом элемента 30 во втором колпаке...
Аппарат для управляемой кардиоплегии
Номер патента: 1125811
Опубликовано: 30.03.1991
Авторы: Ведерников, Воинов, Захаров, Малышев
МПК: A61F 7/00
Метки: аппарат, кардиоплегии, управляемой
...14 и емкость 15 с теплоносителем. Нагревательный элемент 16 установлен в канале подвода теплоносителя в тенлообменник 5 и подключен к устройству 1 7 для автоматического регулирования мощности нагревательного элемента 16. Устройство 17 соединено с датчиками температуры 1 О и 18, а также с регулятором 19 для автоматического изменения градиента температур между перфузионной жидкостью имиокардом.Трубопровод 20 соединен с тепло 50 обменйиком 5 и. змеевиком 21, установленным на внутренней поверхности оболочки 22, которая выполнена из тепло- изоляционного материала с возможностью размещения в ней миокарда. Змеевик 21 трубопроводом 23 соединен с емкостью 15 устройства 12 дляобеспечения минимально необходимой температуры теплоносителя. Датчик...
Способ определения распределения плотности состояний в запрещенной зоне аморфных полупроводников
Номер патента: 1127488
Опубликовано: 30.03.1991
Авторы: Андреев, Коньков, Теруков
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: аморфных, запрещенной, зоне, плотности, полупроводников, распределения, состояний
...К Егде е - заряд электрона,Ч 1 - функция распределения плотности состояний в запрещенной зоне полупроводника,смэВэнергия, эВ;Ц(х) - профиль потенциала в ОПЗ,В.При приложении к структуре внешнего напряжения "-" на электроде 1,"+" на электроде 4 (см.фиг.1), происходит изменение профиля потенциала в полупроводнике, что иллюстрируется Фиг.З.При таком профиле потенциала плотность заряда в ОПЗ определяется выражением 25 Г.щ(х)На фиг. представлена исследуемая структура; на фиг.2 - профиль распределения потенциала в структуре с барьером Шоттки в отсутствии внешнего напряжения; на Фиг.З - профиль распределения потенциала при приложении к структуре внешнего напряжения; на Фиг. 4,5,6 - представлена временная диаграмма, разъясняющая порядок...
Установка для исследования динамики агрегации тромбоцитов плазмы
Номер патента: 1075813
Опубликовано: 30.03.1991
Автор: Калмыкова
МПК: G01N 33/96
Метки: агрегации, динамики, исследования, плазмы, тромбоцитов
...через коллектор к гневмопульсатору, при этом отношение длины меньшей трубки к длине большей трубки составляет от 0,68 до 0,73,а источник света и Фотоэлемент расположены по обе стороны кюветы так, что обеспечивактпроход луча между трубками,На чертеже показана установка дляисследования динамики агрегациитромбоцитов плазмы.Установка для исследования динамики агрегации тромбоцитов, включаеткювету 1 для плазмы, перемешивающееустройство, содержащее две трубки2 и 3 разной длины из антиадгезионного Материала, нижняя кромка которыхнаходится ниже предлагаемого уровняплазмы, в кювете, и приспособлениедля оптической регистрации плотностиплазмы, включающее источник света 4и фотоэлемент, связанный с органом5 графической регистрации трубки 2и 3...