Библиотека 1

Номер патента: 948170

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Кантер, Сидоров, Шахина

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, полупроводниковых

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов из расплава в запаянной ампуле, включающий предварительный перегрев расплава, затравливание в носике ампулы и последующую направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода монокристаллов, предварительный перегрев ведут не более чем на 5-10oC выше температуры плавления, затравливание проводят с регистрацией температуры в носике ампулы, и при наличии пика на температурной кривой процесс затравливания возобновляют.

Номер патента: 1122462

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Голованчиков, Елисеев, Калинин

МПК: B23P 1/12

Метки: полирования, электрод-инструмент, электрохимикомеханического

...депас"сивирующий элемент 3, закрепленныйна рабочей части электрода и разделенный концентричными кольцевыми пазами 4, подпорную камеру 5, штуцеры6 и 7, уплотнительные кольца 8 и 9.Схема электрохимикомеханического полирования (фиг.З) включает также 25обрабатываемую деталь 10, поводок 11и кожух 12. Б процессе обработки электрод- инструмент подсоединяют к отрицатель 30 ному полюсу источника технологического напряжения и вращают вокругсвоей оси на шпинделе станка К его рабочей поверхности поводком 11, который является также и токоподводом, прижимают обрабатываемую детальЗ 5 10 и подсоединяют ее к положительному полюсу источника технологического напряжения. Обрабатываемая деталь 10 совершает возвратно-поступатель-. ное перемещение по...

Номер патента: 1268015

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Гладыщук, Грибковский, Гурский, Паращук, Пендюр, Таленский, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллических, кристаллографической, неоднородности, образцов, полупроводниковых

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ, основанный на возбуждении и регистрации стримерных разрядов в образце, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышения экспрессности и достоверности, возбуждение стримерных разрядов в образце производят периодическими импульсами напряжения, имеющими амплитуду 2 - 5 кВ, отрицательной полярности с крутизной фронта импульса электрического поля не менее 1016 В/см с, перемещают точку приложения импульсов напряжения по поверхности образца, а о наличии...

Номер патента: 1338987

Опубликовано: 23.09.1987

Авторы: Герцик, Голованчиков

МПК: B23H 5/06

Метки: полирования, электрод-инструмент, электрохимикомеханического

...поводок 6, имеющий шарнирное соединение с обой мой 7, в которой закреплена обрабатываемая деталь 8.Обработка предлагаемым устройст - вом осуществляется следующим образом.Катод 1 подсоединяют к отрицательному полюсу источника технологического напряжения и вращают вместе. с кожухом 5 вокруг своей оси с заданной частотой. К рабочей поверхности устройства поводком 6, подсоединен.ным к положительному полюсу источника технологического напряжения, при-. жимают обрабатываемую деталь 8, установленную в обойме 7. Обраба.тываемая деталь 8 совершает возвратно- поступательное перемещение по рабочей поверхности устройства,Кроме того, под действием сил трения обрабатываемая деталь 8 месте с обоймой 7 вращается вокруг шарнираповодка б.Рабочая...

Номер патента: 529697

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Коробов, Лупачева, Маслов, Мясоедов

МПК: H01J 21/20

Метки: источник, монокристаллов, наращивания, полупроводниковых, твердый, эпитаксиального

...состава, причем направление градиента состава будет перпендикулярно направлению перемещения источникаотносительно подложки, а содержание компонента В на расстоянии х от края подложки будет определяться отношепиемФК хЬ35при х=0 содеряание Р=0%;х=/г содержание Р = 100%,Скорость перемещения источника Ъ относительно подложки при данном соотношении переносимого количества компонентов 40должна обеспечивать создание на подложке моноатомного слоя твердого раствора.При наличии двух или 21 г зон источникавремя пребывания подложки под зоной источника, соответствующей содержанию х% 45одного компонента, равноЬКх -Ра время преоывания под всем источникомЬо --Рне должно превышать времени, требующегося для перехода в газовую фазу одного...