167837

Номер патента: 1387798

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Ковешников, Редькин, Старков, Юнкин, Якимов, Ярыкин

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерирования, кремния, металлических, пластине, примесей

Способ геттерирования металлических примесей в пластине кремния, включающий обработку нагретой пластины в электрическом разряде в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса геттерирования путем снижения температуры геттерирования, обработку пластины проводят в разряде высокой частоты, в атмосфере смеси кислорода с фторсодержащим соединением при их объемном отношении (0,1-1) : 1 соответственно величине удельной мощности на единицу поверхности 0,4-1,3 Вт/см2 и рабочем давлении 6 10-3 - 6

Номер патента: 1157412

Опубликовано: 23.05.1985

Авторы: Дубовский, Романов, Семенов, Фотченков, Шапошников

МПК: G01N 21/00

Метки: добротности, искусственного, кварца, кристаллов

...является способопределения добротности Й кристалловискусственного кварца, включающий рризмерение поглощения кристалломИК-излучения и определение добротности по результатам измерений Я .Недостатком известного способаявляется низкая точность определения р 5добротности кристалловЦель изобретения - повышение точности определения добротности кристал.лов искусственного кварца,Поставленная цель достигается темчто согласно способу определениядобротности кристаллов искусственного кварца, включающему измерениепоглощения кристаллом ИК-излучения и определение добротности крис 35талла по результатам измерений,измеряют площадь диффузной полосыпоглощения кристалла с Максимумомв области 3400 см.Независящий от температуры уровеньакустических потеоь Й...

Номер патента: 273175

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Золотухин, Цветков, Шустов

МПК: C30B 29/22, C30B 7/00

Метки: вырашивания, искусственных, кальцита, кристаллов, оптического, шихты

...искусственных кристаллов оптического кальцита путем использования всех отходов от обогащения и обработки естественных кристаллов оптического кальцита, полученных из одного месторождения.Основным недостатком известного способа является невозможность обеспечения химической и оптической однородности выращиваемого кристалла.Для устранения этого предложено исходную шихту обогащать материалом из пирамид роста граней одной простой формы,П р и м е р. Из кристаллов месторождения Крутое вырезают, пластины, нормальные к оптической оси, плоскости пластин полируют. Пластины просматривают при помощи люминоскопа, в котором ультрафиолетовые лучи, образованные лампой БУВ, пропускают через фильтр из стекла УФС, поглощающий видимое излучение.Объем...

Номер патента: 298015

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Чигринский, Шуваев

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, проскрайбированных, разделения

...получить замкнутый объем. После этого из. под мембраны откачивается воздух, под действием атмосферного давления мембрана прогибается, и пластина раскалывается на кристаллы.Известный способ разделения имеет следук 1- щие недостатки; необходимость ориентации кристаллов относительно отверстий в мембране, что усложняет устройство для осуществления способа и снижает производительность, а также ограниченность использования мембраны, определяемой размерами пластин и кристаллов,Предложенный способ позволяет использовать пластины и кристаллы различных размеров. Сущность способа состоит в том, что пластиу помещают без ориентации на мелкоячеечную сетку, изолируют ее от атмосферногления с помощью эластичной воздухонецаемой пленки, из-под...

Номер патента: 587533

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Саркисян, Чубич

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разламывания

...прокатывают по поверхности разламывающего валика, повернув предварительно на 900 .Недостатком описанного устройстваявляется его сложность,так как для надежности работы устройства необходимо применение дополнительных механиз"мов прижима пластины к разламывающему валику и регулировки натяжениятранспортирующей и прижимной лент.Кроме того, . не исключено проскальзывание бесконечной транспортирующей ленты относительно разламывающего валика, что приводит к поврежде.нию рабочей поверхности кристалла впроцессе разламывания.пластины.Цель изобретения . - упрощение конструкции устройства и улучшениек ачества,разделяемых кристаллов .Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для. разламыванияполупроводниковых пластин на кристаллы, содержащем...