Жаропрочный сплав

Номер патента: 111382

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Гавриленко, Захаркин, Охлобыстин

МПК: C01G 1/04, C01G 37/00, C01G 39/00, C01G 41/00

Метки: вольфрама, карбонилов, молибдена, хрома

...хрома и вольфрама из хлоридов этих металлов и окиси углерода в присутствии восстановителей, о т л и ч а ю ц и й с я тем, что, с целью увеличения выхода, в качестве восстановителя применяют триалкилалюминий или лиалкиля- Оь ицийги три т Отв. редактор И. 8. Макаров Стапдартгиз. Поди. к печ. 21/1 1958 г. Объем 0,17 п. л. Тираж 500. Цена 25 коп,Тииографи Еоиигета ио делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, 11 еггиииаи. 23. Зак. 3426, рода 30 - 40 ат, и температуре до 120.Выход карбонилов при примепе 1 ни трпэтилалюмцнця составляет 5-1 "4 для карбошла хрома, 70",о для карбонила молибде а н 88 о кярбоц 1 ла вольфрама,П р и м с р 1. 15 г безводного хлористого хрома и 52 г триэтилялюхиния, 1 эастворепЫс В 10 дл...

Номер патента: 1763507

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Дидык, Жаворонков, Жалдак, Серпик, Сильман

МПК: C22C 37/10, C22C 38/24

Метки: сплав

...причинам; вопервых, образуя большое количество карбидов ЧС, он обезуглероживает твердыйраствор и ухудшает закаливаемость сплава;во-вторых, высокое содержание ванадияприводит к удорожанию сплава, 45Содержание марганца в сплаве должнобыть не ниже 1,85 для обеспечения прокаливаемости тонкостенных отливок при ихохлаждении в литейной форме. Чем большетолщина стенки отливок, тем больше должно быть марганца в составе сплава. Дляотливок с толщиной стенки 30 - 40 мм содержание марганца в сплаве должно быть повышено до 3,2,. Более высокое содержаниемарганца в сплаве нецелесообразно из-за 55существенного увеличения в структуре количества остаточного аустенитаиснижениятвердости сплава,Кремний в количестве 0,90 увеличивает склонность сплава к...

Номер патента: 1828461

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Адам, Марк

МПК: C04B 35/65

Метки: композиционного

...элемента из композиционного керамического материала нагреванием элемента при температуре приблизительно 1000 С в атмосфере, представляющей собой смесь паров тетрахлорида циркония (ЕгС 4), углекислого газа, окиси углерода и водорода.Покрытие из окиси циркония обладает достаточно высокой твердостью, износостойкостью и коррозиестойкостью,В другом варианте осаждение указанных окислов может быть произведено методом физического осаждения паров. Так,например, осаждение окиси циркония может быть произведено распылением.Одним иэ вариантов реализации принципов настоящего изобретения являются способ получения формоустойчивой керамической массы, включающей модифицированный металлосодержащий компонент, и образуемый способами. описанными в...

Номер патента: 999439

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Гетман, Кацай, Шульженко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, монокристаллов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА, включающий воздействие высокого давления при температуре, соответствующей термодинамической устойчивости алмаза, на реакционную смесь порошков графита и растворителя сплава углерода с марганцем, никелем и/или кобальтом, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости монокристаллов алмаза, используют сплав с 0,04 0,4 мас. углерода.

Номер патента: 1540578

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Елютин, Лазарев, Мараканов, Мушакова, Осипов, Чеботаренко

МПК: H01C 7/00

Метки: кремния, основе, резисторов, сплавов, тонкопленочных, хрома

1. Способ изготовления тонкопленочных резисторов на основе сплавов хрома и кремния, включающий нанесение на диэлектрическую подложку резистивного и проводникового слоев, формирование рисунка резистивных и проводниковых элементов и стабилизацию термообработкой на воздухе с последующим формированием защитного слоя путем нанесения металлического слоя и его оксидирования, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности резисторов, в качестве металлического слоя используют сплав на основе титана с добавками циркония, ниобия и молибдена, а операцию стабилизации и оксидирования металлического слоя совмещают.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что стабилизацию резистивного слоя осуществляют при температуре 350...