Способ получения многослойных lc-структур

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(23) Приоритет -Р 1 М Кз Н 01 6 4/26 Н 01 Г 41/00 Государственный комитет СССР но делам изобретенийи открытий(72) Автор изобретения В.В. Александров з Харьковский институт радиоэлект оникй(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ С-СТРУКТУР Изобретение относится к микро.электронике и может быть использовано при создании частотно-избирательных устройств.Известен способ создания многослойных структу, включающий формирование пространственно разделенных структур на противоположных сторонах гибкой диэлектрической пленки, Формирование в пленке основания и сборку путем сворачивания в рулон с зазором, заливаемым диэлектриком для.обеспечения изоляции слоев 111. Однако способ характеризуется большим числом операций, сложностью сборки, низкой надежностью устройства,Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ,получения многослойных структур, включающий Формирование пространственно разделенных структур на противоположных сторонах гибкой диэлектрической пленки, Формирование в пленке основания и сборку путем перегибания основания на 180 о в противоположные стороны 23.Недостатком известного способа является невозможность создания изоляции между структурами, трудность и нетехнологичность сборки.Цель изобретения - повышение технологичности и упрощение процесса сборки.Поставленная цель достигается тем, что в способе получения многослойный С-структур, включающем создание пространственно разделенных структур на противоположных сторонах гибкой диэлектрической пленки, формирование в пленке основания и сборку путем перегибания основания на 180 о в противоположные стороны на границах пространственно разделенных структур, при формировании основания напротив структур создают выступы, а при сборке закладывают их между структурами, причем при формировании основания и выступов в основании на границах структур, а также между основанием и выступами формируют пазы. На чертеже иллюстрируется способ создания многослойных резонансных Ес-структур.На гибком диэлектрическом основании 1 имеются выступы 2, на границах пространственно разделенных.Проектная Филиал ПП г. Ужгоглд структур 3, а между основанием и выступами сформированы пазы 4.Сборка многослойной резонансной С-структуры осуществляется путем поочередного перегибания основания 1 на 180 О на границах пространствен но разделенных структур, причем выступы 2 закладываются между структурами 3, а пазы 4 служат для облегчения процесса сборки.Выступ 1 накладывается на выступ 10 2 основания путем перегибания на 180 О по границе паза, полученная конструкция накладывается на структуру 3 основания путем перегибания по стрелке на 180 по границе паза в основании и т,д.Выступы могут быть сформированы с двух сторон основания.Их общее число определяется расстоянием между структурами конструкции.В результате получается многослойная конструкция, содержащая резонансные структуры, расположенные друг над другом и разделенные слоями диэлектрика выступами.25 Способ изготовления многослойных структур включает напыление сплошного слоя между толщиной 0,5 мкм (подслоем хрома для обеспечения адгезии) методом термовакуумного ис 30 парения на установке УВНМ на противоположные стороны гибкой полимндной пленки толщиной 20 кмк; двухстороннее гальваническое наращивание слоя меди до толщины 10-30 мкм из сернокислого электролита; Формирование кетодамифотолитограФии в проводящем слое пространственно разделенных структур с двух сторон гибкой диэлектрической пленки; Формирова 40 ние,в гибкой диэлектрической пленке методами фотолитографии основания выступов, а на границах перегибов пазов; сборка путем поочередного перегиба" ния основания на 180 в противополож"45 ные стороны на границах пространственно разделенных структур, причем выступы закладывают между структурамиНа основании полученной многослойной конструкции могут быть реализованы различные микроэлектронные частотно-избирательные устройства, особенно аналоговые наносекундные линии задержки с малой дискретностью отводов.Использование предлагаемого способа создания многослойных резонансных С-структур обеспечивает уменьшение габаритов иэделия, упрощает технологический процесс изготовления, повышает выход годных изделий до 100, и повторяемость электрических параметров устройств. Способ получения многослойныхС-структур, включающий созданиепространственно разделенных структурна противоположных сторонах гибкойдиэлектрической пленки, Формированиев пленке основания и сборку путемперегибания основания на 180 О в противоположные стороны на границахпространственно разделенных структур, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью повышения технологичности и упрощения процесса сборки,при формировании основания напротивструктур создают выступы, а при сборке закладывают их между структурами,причем при формировании основанияи выступов в основании на границахструктур, а также между основаниеми выступами Формируют пазы.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент Англии Р 1391.038,кл. Н 01 Г 17/02, 1975.2, Патент Франции М 1596154,кл. Н 01 0 5/00, опублик. 19.01.70