H01J 37/317 — для изменения свойств объектов или для нанесения тонких слоев на них, например ионное внедрение

Номер патента: 1412517

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Арзубов, Ваулин, Исаев, Кузьмин, Рябчиков

МПК: H01J 37/317

Метки: имплантации, ионной

...импульсный трансосновного дугового разряда плазмапоступает в ускоряющий зазор междуускоряющим электродом 1 и анодом 4. возможчость реализации предлагаемого способа за счет многократного и поочередного проведения облучения оби соответственно на образец 2 подаютускоряющее напряжение, В процессе облучения, например, образца СаАз.на;бирают дозу Р ионов внедряемой примеси, определяемую в данном случаекак Э=6 2510 1.Е Е- (8 К Б)8 ) где 1 - ток пучка ионов;Т - длительность импульса тока;1 - частота следования импульсов.Из литературных данных или дополнительного эксперимента определяют коэффициент распыления материала выбранного образца СаАз ионами данного сорта (например, В). При ускоряющем напряжении 0=60 кВ в выбранном случае 3=3, После...

Номер патента: 1609381

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Дектярев, Компаниец, Пузыревич, Рябчиков, Шипилов

МПК: H01J 37/317

Метки: имплантации, ионов

1. Способ имплантации ионов, включающий вакуумирование объема до давления 10-2 - 10-5 Па, формирование пучка ускоренных ионов, облучение образца и измерение дозы, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения точности измерения дозы внедряемой примеси, одновременно с облучением основного образца производят облучение дополнительного образца последовательностью импульсов тока пучка ускоренных ионов, причем дополнительный образец изготавливают из материала, характеристическое рентгеновское излучение которого отлично от характеристического рентгеновского излучения внедряемой примеси, а измерение дозы осуществляют по характеристическому рентгеновскому излучению примеси в промежутке между...

Номер патента: 1565288

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Арбузов, Дектярев, Исаев, Рябчиков

МПК: H01J 37/317

Метки: имплантации, ионной

СПОСОБ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ путем периодического импульсного формирования плазмы с помощью вакуумно-дугового разряда на катоде, экстракции, ускорения ионов из плазмы дугового разряда, облучения мишени, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки за счет формирования совпадающих по глубине профилей распределения примесей, первоначально измеряют зависимость среднего заряда ионов пучка от тока дугового разряда, затем ток дугового разряда на катоде устанавливают в зависимости от соотношения массовых и порядковых номеров ионов пучка и атомов мишени так, что средние проективные пробеги ионов в мишени равны.