Способ изготовления пассивного лазерного затвора

Номер патента: 1694716

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Мельникова, Сафин, Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02, C30B 33/04

Метки: кристаллов, молекулярных, примесей, щелочно-галоидных

...электрод заменяли на плоский, Замена острийного электрода на плоский осуществлялась для прекращения введения электронных центров и осуществления дальнейших процедур очистки. Температуру в ячейке поднимали до 610 С, а через образец пропускали ток 10 мА (при больших1694716 Формула изобретения Способ очистки щелочно-галоидных кристаллов от молекулярных примесей путем введения электронных центров окраски, о т л и ч а ю щи й с я тем, что, с целью повышения степени очистки, центры вводят с помощью острийного электрода, после чего проводят отжиг кристалла при температуре на 10 - 15 С ниже температуры плавления при пропускании электрического тока не более 10 мА и одновременном облучении светом УФ-диапазона до исчезновения полос поглощения...

Номер патента: 912779

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Быков, Ивченко, Кузнецов

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

....выдержать кристалл без растрескивания. Недостатком . гндроэкструзии является трудность первоначального уппотнения очка матрицы, особенно при сложном профиле экструдата.Известно устройство, реализую способ получения поликристалличес сцинтилляторов иэ ионных монокристаллов 21.В этом устройстве монокристаллическую заготовку помещают в канал контейнера, имеющего на одном конце матрицу, а на другом - жесткий плуни.ер. Нагретая до высоких температур заготовка под действием жесткого плунжера выдавливается через матрицу меньшего поперечного сечения. Полученное методом горячей экструзии иэделие имеет прочность по крайней мере вдвое превышаю. щую исходную, а оптические свойстваЬ 91277гаемом устройстве под действием жидкости высокого давления,...

Номер патента: 1590485

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Балякин, Борисенко, Ерофеев, Кистерев

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

...кристаллов и пбростить технологию процесса. КС, КВг, выколотые по плоскоакрепляют в тефлоновом держаещают в жидкость (керосин) на 0,1 - 2;0 мм от торца волновода, ют ультразвуком в режил)е кавилитудой колебаний 5 - 20 мкм в 0 мин при комнатной темпера- проводят деформацию сжатием ению с 100до величины отноеформации 60-80%. 1 табл. щую 5 мкм, контролируют элек ческим датчиком. Время обрабо Температуру поддерживают на у натной.Обработанный образец вы зажима и деформируют сжатием лению с 100до значения отн деформации 80%,В таблице представлены характеристики предлагаемого способа,Использование предлагаемого способа упрочнения кристаллов КВг и КС), включающего одноосную деформацию сжатием по направлению с 100 до значений относительной...

Номер патента: 1604873

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Криштопов, Куличенко, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

...увеличения предела текуче- сти в 3 - 5 раз. 2 табл. сти электрического поля Е. Определяют по ней, что пороговая величина Епор электрического поля, при которой эта зависимость начинает отклоняться от линейности, равна 25 кВ/см. Измеряют по дислокационным ямкам травления скорости перемещения краевых дислокационных диполей Ч при напряженности электрического поля 140 кВ/см и устанавливают, что она равна 1 мм/с. Берут кристалл КС в виде пластины толщиной Ь, равной 2 мм. Определяют для него минимальную 1 мин и максимальную 1 макс длительность воздействия электрическим полем напряженностью 140 КВ/СМ, раВНуЮ СООтВЕтСтВЕННО тмин ==,23 с.Воздействуют на кристалл постоянным электрическим полем напряженностью 140 кВ/см в течение 5 с. Для...

Номер патента: 1018573

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Григоров, Мартынович, Токарев

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазерная, пассивных, среда, элементов

ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ на основе монокристалла с центрами окраски, отличающаяся тем, что, с целью повышения устойчивости кристалла к действию оптического излучения и расширения спектрального диапазона, она выполнена на основе монокристалла окиси алюминия.