H01J 37/02 — элементы конструкции

155572

Загрузка...

Номер патента: 155572

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01J 37/02

Метки: 155572

...поверхностями 1 вплотную к ннм) диэлектрических пластин или установкой перед защищаемыми поверхностями ка 1 ода проводящего экрана, э.-,ектрически соединенного с анодом.Е 1 редложенный защитный экран выполнен в виде двух нлн более проводящих пластин, укрепленных на диэлектрических держателях и электрически изолированных друг от друга и от электродов.Конструкция экрана приведена на чертеже, где 1 - катод с держателем, 2 - диэлектрическая пластина, 8, 4 - пластины экрана, 5 - диэлектрическая плита.Е пластинах имеются отверстия, выполняющие две функции - через них производится откачка и с их помощью дозируется количество плазмы, которое может проникнуть в объем между пластинами.Благодаря экранирующему эффекту н заряду пластин разряд...

Устройство для травления органических объектов

Загрузка...

Номер патента: 260026

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Березин, Передериенко

МПК: H01J 37/02

Метки: объектов, органических, травления

...стороны области травления насажено электропроводное кольцо.На фиг. 1 и 2 изображено предлагаемое устройство, продольный и поперечный разрезы.Рабочая камера 1, предназначенная для активации кислорода и травления образца, соединена с вакуумной системой и системой напуска кислорода, обеспечивающими при работе устройства динамическое равновесие между 10 напуском и откачкой при давлении в области2 травления порядка 10 т торр, С наружной стенкой рабочей камеры скреплены пластины конденсатора 3, являющиеся обкладками выходного конденсатора высокочастотного гене ратора и обеспечивающие высокочастотныйактивирующий разряд в области 4 активации рабочей камеры 1. Цилиндрическая диафрагма 5 отделяет область активации от области травления. Со...

277962

Загрузка...

Номер патента: 277962

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Источник, Соколов

МПК: H01J 37/02, H01J 37/08

Метки: 277962

...необходим в случае применения вещества, подлежащего ионизации, в газообразном состоянии. При жидком веществе электрод не нужен, его роль выполняет сама жидкость. жля разогрева иоцизатора служит нагреватель б.Разность потенциалов по толщине иоцизатора, необхсдимая для перемещения через него ионов, и напряжение, вырывающее ионы из иоцизатора и ускоряющее их, создаются путем подачи высокого напряжения на внутренний электрод 4 и на электрод б системы ускорения, Электрод б может располагаться как на поверхности ионизгтора, так и вне его. В рассматриваемом источнике ионов электрод напылен на цеэмиттирующие области. Высокое напряжение создае 1 ся источником 7.Таким образом, внутренний электрод 4 ока. зывается электрически соединенным через...

378996

Загрузка...

Номер патента: 378996

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Голубков, Кабанов, Кафафоз

МПК: H01J 37/02

Метки: 378996

...электронной бомбардировки, содержащее систему формирования электронного пучка, блок управления интенсивностью пучка, рабочую камеру, столик с изделием, сканирующую систему, шаблон, причем сканирующая система состоит из электроннолучевой просвечивающей трубки (ЭЛТ), характеризуется геометрическими искажениями, вносимыми отклоняющей системой трубки, нестабильностью питающих напряжений и разъюстировкой электроннооптической системы в процессе работы.Предлагаемое устроиство позволяет повысить точность обработки благодаря исключению ЭЛТ, которая является дополнительным источником ошибок воспроизведения шаблона, для чего в нем сканирующая система выполнена в виде узла, содержащего изделие, подлежащее обработке, и последовательно...

Способ электронно-лучевого экспони-рования диэлектрических обектов

Загрузка...

Номер патента: 803044

Опубликовано: 07.02.1981

Авторы: Ванников, Гришина, Заумыслов, Иванов, Смоляницкий

МПК: H01J 37/02

Метки: диэлектрических, объектов, экспони-рования, электронно-лучевого

...электронным лучом,Цель изобретения - упрощение технологического процесса и обеспечение сохранностиобъекта,Укаэанная цель достигается тем, что в кчестве проводящего слоя используют органические полупроводники,Э 1 Слой нан ойСоставитель В. ГаврюшинТехред А. Бабинец Корректор Г. Назарова Редактор М. Стрельникова Тираж 795 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5(полимер) выбирают нз условий, при которыхнанесенный слой сообщает диэлектрическомуобьекту поверхностную проводимость на уровне 10сим/см, а растворитель полимеране растворяет вещество объекта, После сушкиобъект на несколько часов помещают в рабочую камеру электроннолучевой установки,проводящую...

Электронно-лучевое испарительное устройство

Загрузка...

Номер патента: 980560

Опубликовано: 23.07.1984

Авторы: Зинченко, Соколова

МПК: H01J 37/02

Метки: испарительное, электронно-лучевое

...и брызг от тигля катушкинагреваются, и вследствие испаренийот нагретых катушек камера загрязняется, что ухудшает качество наносимыхпокрытий,Целью изобретения является повышение качества покрытий. умной камеры, а полюсные наконечники отклоняющей системы соединеныс электромагнитом посредством магнитопровода. 2Указанная цель достигается тем, что в электроннолучевом испарительном устройстве, содержащем вакуумную камеру, электронную пушку, тигель, электромагнитные фокусирующую и отклоняющую системы, электромагниты которых защищены экраном, а полюсные наконечники отклоняющей системы размещены в вакуумной камере, фокусирующая система выполнена в виде линзы с арочной гео-. метрией магнитного поля и размещена под тиглем соосно последнему....

Способ юстировки рентгеновского микроанализатора

Загрузка...

Номер патента: 1697139

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Аверков, Бульба, Волнухин, Рыбак

МПК: H01J 37/02

Метки: микроанализатора, рентгеновского, юстировки

...на кристалланалиэатор,Составитель Е Сидохин Техред М.МО 11,;. - : ал Корректор М,Демчик Редактор Н, Гунько Заказ 4310 Тираж Подписное ВНИИХИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, ,:1-35, Раушская наб 4/5 Проиэводсгвенно-издательский ком 5 инат "Г 1 атент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 Изобретение о 1 носится к техническойфизике, конкоетнее к средствам настройкии контроля работы Оентгеновских микрос.анализаторов,Известен способ юстировки рентгено 5вского микроандлиэаторэ, эаклк 1 чающийсяв том, что включают источник света, направляют свеговэй пучок через поляризаторандлиэатоо и систему зеркал в оптическиймикроскоп, т;чка оокуса которого располагается на к те Роуланда, и определяет местоголожен...

Ионно-оптическая система для ионной обработки

Загрузка...

Номер патента: 1428100

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Агеев, Братчук, Кохан

МПК: H01J 37/02

Метки: ионно-оптическая, ионной

...питания отклоняющей системына чертежах не показан,Ионно-оптическая система работаетследующим образом.Перед началом работы откачиваютустройство до требуемой степени раэ 15 режения, производят напуск рабочегогаза. Затем включают источник 18 "зажигается тлеющий разряд, Включаютвысоковольтный источник 19. Поскольку электрод 2 заряжен отрицательно,он своим потенциалом вытягивает изотверстия газоразрядной камерыионный луч 5. Электроны в ионном луче практически отсутствуют, поэтомуобъемный заряд луча 5 способствует25 его расхождению и, как следствие,уменьшению плотности ионного токамежду газораэрядной камерой 1 и извлекающим электродом 2. Для сниженияэтого эффекта в извлекающий элект 30 род 2 через прокладку 3 вставляюткольцевую вставку...