H01J 37/02 — элементы конструкции
155572
Номер патента: 155572
Опубликовано: 01.01.1963
МПК: H01J 37/02
Метки: 155572
...поверхностями 1 вплотную к ннм) диэлектрических пластин или установкой перед защищаемыми поверхностями ка 1 ода проводящего экрана, э.-,ектрически соединенного с анодом.Е 1 редложенный защитный экран выполнен в виде двух нлн более проводящих пластин, укрепленных на диэлектрических держателях и электрически изолированных друг от друга и от электродов.Конструкция экрана приведена на чертеже, где 1 - катод с держателем, 2 - диэлектрическая пластина, 8, 4 - пластины экрана, 5 - диэлектрическая плита.Е пластинах имеются отверстия, выполняющие две функции - через них производится откачка и с их помощью дозируется количество плазмы, которое может проникнуть в объем между пластинами.Благодаря экранирующему эффекту н заряду пластин разряд...
Устройство для травления органических объектов
Номер патента: 260026
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Березин, Передериенко
МПК: H01J 37/02
Метки: объектов, органических, травления
...стороны области травления насажено электропроводное кольцо.На фиг. 1 и 2 изображено предлагаемое устройство, продольный и поперечный разрезы.Рабочая камера 1, предназначенная для активации кислорода и травления образца, соединена с вакуумной системой и системой напуска кислорода, обеспечивающими при работе устройства динамическое равновесие между 10 напуском и откачкой при давлении в области2 травления порядка 10 т торр, С наружной стенкой рабочей камеры скреплены пластины конденсатора 3, являющиеся обкладками выходного конденсатора высокочастотного гене ратора и обеспечивающие высокочастотныйактивирующий разряд в области 4 активации рабочей камеры 1. Цилиндрическая диафрагма 5 отделяет область активации от области травления. Со...
277962
Номер патента: 277962
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: H01J 37/02, H01J 37/08
Метки: 277962
...необходим в случае применения вещества, подлежащего ионизации, в газообразном состоянии. При жидком веществе электрод не нужен, его роль выполняет сама жидкость. жля разогрева иоцизатора служит нагреватель б.Разность потенциалов по толщине иоцизатора, необхсдимая для перемещения через него ионов, и напряжение, вырывающее ионы из иоцизатора и ускоряющее их, создаются путем подачи высокого напряжения на внутренний электрод 4 и на электрод б системы ускорения, Электрод б может располагаться как на поверхности ионизгтора, так и вне его. В рассматриваемом источнике ионов электрод напылен на цеэмиттирующие области. Высокое напряжение создае 1 ся источником 7.Таким образом, внутренний электрод 4 ока. зывается электрически соединенным через...
378996
Номер патента: 378996
Опубликовано: 15.06.1974
Авторы: Голубков, Кабанов, Кафафоз
МПК: H01J 37/02
Метки: 378996
...электронной бомбардировки, содержащее систему формирования электронного пучка, блок управления интенсивностью пучка, рабочую камеру, столик с изделием, сканирующую систему, шаблон, причем сканирующая система состоит из электроннолучевой просвечивающей трубки (ЭЛТ), характеризуется геометрическими искажениями, вносимыми отклоняющей системой трубки, нестабильностью питающих напряжений и разъюстировкой электроннооптической системы в процессе работы.Предлагаемое устроиство позволяет повысить точность обработки благодаря исключению ЭЛТ, которая является дополнительным источником ошибок воспроизведения шаблона, для чего в нем сканирующая система выполнена в виде узла, содержащего изделие, подлежащее обработке, и последовательно...
Способ электронно-лучевого экспони-рования диэлектрических обектов
Номер патента: 803044
Опубликовано: 07.02.1981
Авторы: Ванников, Гришина, Заумыслов, Иванов, Смоляницкий
МПК: H01J 37/02
Метки: диэлектрических, объектов, экспони-рования, электронно-лучевого
...электронным лучом,Цель изобретения - упрощение технологического процесса и обеспечение сохранностиобъекта,Укаэанная цель достигается тем, что в кчестве проводящего слоя используют органические полупроводники,Э 1 Слой нан ойСоставитель В. ГаврюшинТехред А. Бабинец Корректор Г. Назарова Редактор М. Стрельникова Тираж 795 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5(полимер) выбирают нз условий, при которыхнанесенный слой сообщает диэлектрическомуобьекту поверхностную проводимость на уровне 10сим/см, а растворитель полимеране растворяет вещество объекта, После сушкиобъект на несколько часов помещают в рабочую камеру электроннолучевой установки,проводящую...
Электронно-лучевое испарительное устройство
Номер патента: 980560
Опубликовано: 23.07.1984
МПК: H01J 37/02
Метки: испарительное, электронно-лучевое
...и брызг от тигля катушкинагреваются, и вследствие испаренийот нагретых катушек камера загрязняется, что ухудшает качество наносимыхпокрытий,Целью изобретения является повышение качества покрытий. умной камеры, а полюсные наконечники отклоняющей системы соединеныс электромагнитом посредством магнитопровода. 2Указанная цель достигается тем, что в электроннолучевом испарительном устройстве, содержащем вакуумную камеру, электронную пушку, тигель, электромагнитные фокусирующую и отклоняющую системы, электромагниты которых защищены экраном, а полюсные наконечники отклоняющей системы размещены в вакуумной камере, фокусирующая система выполнена в виде линзы с арочной гео-. метрией магнитного поля и размещена под тиглем соосно последнему....
Способ юстировки рентгеновского микроанализатора
Номер патента: 1697139
Опубликовано: 07.12.1991
Авторы: Аверков, Бульба, Волнухин, Рыбак
МПК: H01J 37/02
Метки: микроанализатора, рентгеновского, юстировки
...на кристалланалиэатор,Составитель Е Сидохин Техред М.МО 11,;. - : ал Корректор М,Демчик Редактор Н, Гунько Заказ 4310 Тираж Подписное ВНИИХИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, ,:1-35, Раушская наб 4/5 Проиэводсгвенно-издательский ком 5 инат "Г 1 атент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 Изобретение о 1 носится к техническойфизике, конкоетнее к средствам настройкии контроля работы Оентгеновских микрос.анализаторов,Известен способ юстировки рентгено 5вского микроандлиэаторэ, эаклк 1 чающийсяв том, что включают источник света, направляют свеговэй пучок через поляризаторандлиэатоо и систему зеркал в оптическиймикроскоп, т;чка оокуса которого располагается на к те Роуланда, и определяет местоголожен...
Ионно-оптическая система для ионной обработки
Номер патента: 1428100
Опубликовано: 23.06.1993
МПК: H01J 37/02
Метки: ионно-оптическая, ионной
...питания отклоняющей системына чертежах не показан,Ионно-оптическая система работаетследующим образом.Перед началом работы откачиваютустройство до требуемой степени раэ 15 режения, производят напуск рабочегогаза. Затем включают источник 18 "зажигается тлеющий разряд, Включаютвысоковольтный источник 19. Поскольку электрод 2 заряжен отрицательно,он своим потенциалом вытягивает изотверстия газоразрядной камерыионный луч 5. Электроны в ионном луче практически отсутствуют, поэтомуобъемный заряд луча 5 способствует25 его расхождению и, как следствие,уменьшению плотности ионного токамежду газораэрядной камерой 1 и извлекающим электродом 2. Для сниженияэтого эффекта в извлекающий элект 30 род 2 через прокладку 3 вставляюткольцевую вставку...