Источник ионов

Номер патента: 1429829

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Галль, Кормилицын, Кузьмин

МПК: H01J 37/08

Метки: ионов, источник, масс, основе, разряда, скользящего, спектрометрии

Источник ионов на основе скользящего разряда для масс-спектрометрии по авт. св. N 1132726, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода ионов, он снабжен дополнительным электродом, соединенным с катодом, расположенным над областью разряда на расстоянии, большем половины межэлектродного расстояния, и имеющим щель для экстракции ионов.

Номер патента: 1132726

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Галль, Дашук, Краснов, Кузьмин, Лукашенко, Николаев

МПК: H01J 37/08

Метки: ионов, источник, масс, основе, разряда, скользящего, спектрометрии

...превышает толщину стенки диэлектрика, Электроды могут быть выполнены с возможностью перемещения вдольоси цилиндрического диэлектрика, атокопроводящий заземленный элементвыполнен в виде цилиндра с наружнымдиаметром в 2-5 раз меньшим внутрен3 113него диаметра диэлектрика и расположен на внутренней поверхности диэлектрика по образующей так, что упомянутая образующая и образующая наружной поверхности диэлектрика, покоторой расположен один из электродов лежат в одной плоскости, приэтом диэлектрик выполнен с возможностью вращения вокруг оси,На фиг, схематически изображенпредлагаемый источник ионов, содержащий источник импульсного электрического питания 1, подключенный кэлектродам 2 и 3, разделенным разделительным диэлектриком 4, на...

Номер патента: 1774391

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Зосим, Пузиков, Семенов

МПК: H01J 27/10

Метки: дуоплазмотронного, ионов, источник, типа

...щелевых отверстий формы и расположен в50 плоскости симметрии отверстий,Таким образом, предлагаемый источникионов с щелевидной системой электродовпредназначен для генерации ленточногопучка ионов и является по существу щеле 55 видным дуоплазмотроном. Это позволяетустранить вышеуказанные недостатки прототипа и улучшить его характеристики,Так согласно решения, величина полного тока пучка ионов, формируемого в щелевидной системе, пропорциональна длине а50 55 выходной щели, что позволяет значительно увеличить величину ионного тока по сравнению с аксиально-симметричным дуоплазмотроном.Кроме того ленточный пучок вдоль координаты большего размера пучка имеет практически однородную плотность ионного тока, причем. степень однородности тем выше, чем...

Номер патента: 294545

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Плешивцев, Семашко, Чухин

МПК: F03H 5/00, H01J 15/00, H01J 3/06

Метки: «антипробкотрон», ионов, источник, плазменный

...сильное электрическое поле (1 О п/с.ц), перпецдцк лярное магнитному полю.25 На чертеже изображена схема предлагаемого источника.В корпусе вакуумной камеры / размещенкатод 2, состоящий из двух соединенных с одной стороны коаксцальцых цилиндров. ВоЗО круг катода установлен анод 3, изготовлен3ный из двух конических дисков. Внешняя поверхность наружного цилиндра катода покрыта веществом 4 с хорошей эмиссионной способностью (например, гексаборидом лантана) таким образом, чтобы покрытие находилось по обе стороны медианной поверхности б магнитного поля. Между катодом и анодом образуется радиальный разряд, плазма которого б имеет форму диска, утоньшающегося по мере увеличения его диаметра. Вокруг анодных дисков, напротив зазора между ними,...

Номер патента: 1762678

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Маков, Ярцев

МПК: H01J 27/04

Метки: ионов, источник

ИСТОЧНИК ИОНОВ, содержащий разрядную камеру с отверстием для извлечения ионов в форме щели, катод прямого накала, подключенный к источнику электропитания и электрод-отражатель, расположенные у противоположных торцов разрядной камеры, магнитную систему, систему извлечения ионов, систему подачи рабочего вещества в разрядную камеру и источник разрядного напряжения, положительный полюс которого подключен к разрядной камере, а отрицательный - к катоду и электроду-отражателю, при этом силовые линии магнитного поля внутри разрядной камеры параллельны продольной оси симметрии щели для извлечения ионов и пересекают поверхности катода и электрода-отражателя, отличающийся тем, что, с целью повышения ресурса и газовой экономичности источника ионов,...