Способ электронно-лучевого экспони-рования диэлектрических обектов

О П И С А Н И Е (в 803044ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советски вСоцивнис тически аРеспублик(53) УД К 621.385. .8.032.2 (088,8) Опубликовано 07.02.81 Бюллетень и 5Дата опубликования описания 07.02.81 2) Авторы изобрете ни Смоляницкий, Ю, В, ЗаумысловА. Д. Гришина и В. Ф. Иванов 7) Заявите Я 54) СПОСОБ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОГО ЭКСПОНИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ОБЪЕКТОВ Однакообразец подветемпературыа материалы,пленки объе ае осят,на воздухе прн комнатн с помощью центрифуги илиунания. Толщина слоя ооставля ме.т температуре тодом окмкмИзобретение относится к электронике и может быть использовано для генерации изоб. ражения электронным лучом, а также при наблюдении за диэлектрическими объектами с помощью электронного микроскопа.В современнон электронике широко применяются электроннолучевые системы для записи электронным лучом, Накопление заряда в объекте вызывает отклонение электронного луча от осн. Поэтому во всех случаях, когда к качеству изображения предъявляются высо кие требования, применение электронного луча связано с обеспечением стока зарядов с по. верхности облучаемого объекта.Известен способ электроннолучевого наблю. дения диэлектриков, в котором стабнлизацао потенциала поверхности осуществляют с помощью тонких пленок полупроводника или металла 1.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ электроннолучевого экспонирования диэлектрических объектов, включающий операцию нанесения 2проводящего слоя на диэлектрический объек ри использовании этих способовргают действию повышенной, которую выдерживают ие всеа при напылении металлическойкт локально прожигается часпщами металла. Это повышает дефектность изображения, Кроме того, такие способы требуютдорогостоящего напылительного оборудованияф и усложняют технологический процесс создания фотошаблонов с диэлектрическими маскирующими покрытиями электронным лучом,Цель изобретения - упрощение технологического процесса и обеспечение сохранностиобъекта,Укаэанная цель достигается тем, что в кчестве проводящего слоя используют органические полупроводники,Э 1 Слой нан ойСоставитель В. ГаврюшинТехред А. Бабинец Корректор Г. Назарова Редактор М. Стрельникова Тираж 795 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5(полимер) выбирают нз условий, при которыхнанесенный слой сообщает диэлектрическомуобьекту поверхностную проводимость на уровне 10сим/см, а растворитель полимеране растворяет вещество объекта, После сушкиобъект на несколько часов помещают в рабочую камеру электроннолучевой установки,проводящую экспонирование его электроннымлучом и обеспечивающую прижим проводящегослоя к токосьемному контакту, Заряды, принесенные в объект электронным лучом, стекают по нанесенному на него полупроводникуна металлический контакт, что обеспечиваетэлектронейтральность обрабатываемой структуры,П р н м е р. В качестве органическогополупроводника используется поли-й-винилимидазол, который растворяется в этиловом спиртеи концентрации 1-20%. Раствор с помощьюцентрифуги наносится на готовый фотошаблонна основе хрома или окиси железа.Толщина покрытия 1 мкм.После сушки при комнатной температурев течение 1 ч поверхностный слой имеет проводимость порядка 10 а сим(см. Затем фотошаблон помещается в камеру электронногомикроскопа, в котором контролируются лн.нейные размеры и дефектность изображенияна фотошаблоне,4Предлагаемый способ сохраняет топологический контраст диэлектрического объекта прн наблюдении за ним с помощью электронного микроскопа, дает возможность экспонировать диэлектрические объекты в электроннолучевых установках для микрообработкн при генерации изображения на фотошаблонах и улрощает технологический процесс создания фотошабло. нов, так как нанесение слоя органического полупроводника не требует высоких темпера. тур и вакуумного оборудования. Формула изобретения Способ электроннолучевого экспонированиядиэлектрических объектов, включающий операшпо нанесения проводящего слоя на диэлектрический объект, о т л и ч а ю щ и й.с я тем, что, с целью упрощения технологического процесса и обеспечения сохранностиобъекта, в качестве проводящего слоя нсполь.зуют органические полупроводники.Истащщки информации,принятые во внимание при экспертизе1, Шульман А, Р, и Фридрихов С. А. Вто.рнчно.эмиссиониые методы исследования твердого тела, М"Наука," 1977, с. 391.2, Заявка Великобритании Яо 1340403,кл, Н 01,3 37/02, опублик. 1973 (прототип).