Модуль доменной памяти

(9) (1 61 1)5 С 11 С 11/ ОПИСАНИЕ И ОБРЕТЕНИЯ 21) 4618787/222) 09.12,8846) 30. 12,90,Бюл, " 48 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(54) МОДУЛЬ ДОМЕННОЙ ПАМЯТИ(57) Изобретение относится к вычислительной технике и момет быть использовано при построении запоминаюцих устройств на цилиндрических магнитных дисках различной информационной емкости, Цель изобретения - повышение надежности эа счет использования общего стробируюцего импульса при считывании и расширение области применения модуля доменной памяти в накопителях различной информационной емкости, Модуль доменной памяти содермнг группу до1617457 45 менных интегральных микросборок 1, блок элементов И 2, первый 3 и второй 4 блоки Формирователей токов продвижения, блок 5 формирования функцио 5 нальных импульсов, первую 6, вторую 7 и третью 8 группы усилителей считывания, регистр 9 числа, блок 10 корректирующих индуктивных элементов, блок Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающихустройств на цилиндрических магнитныхдоменах различной информационной емкости.Цель изобретения - повышение надежности модуля доменной памяти эас,ет использования общего стробирующего импульса при считывании и расширение области применения модуля доменной памяти в накопителях различной 25информационной емкости.На чертеже изображена схема модулядоменной памяти,Модуль доменной памяти содержитгруппу доменных интегральных микросборок (ДИМ) 1, блок 2 элементов И,первый 3 и второй 4 блоки формирователей токов продвижения, блск 5 Формирования Функциональных импульсов,первую 6, вторую 7 и третью 8 группы,усилителей считывания, регистр 9 числа, блок 10 корректирующих индуктивных элементов, блок 11 корректирующихрезисторов и мультиплексор 12.На чертеже показаны стробирукпий 40вход 13, вход 14 выбора модуля доменной памяти, группа входов 15 синхронизации токов продвижения, вход 16ввода, вход 17 вывода, вход 18 репликации, вход 19 генерации и группачисловых входов 20 модуля доменнойпамяти, а также группа выходов 2 1генерации блока 5 формирования функциональных импульсов.Блок 5 формирования функциональных)импульсов содержит формирователь 22ввода, формирователь 23 вывода, формирователь 24 репликации, группу генераторов 25, элементы НЕ 26-28 иэлементы И 29 и 30.Модуль доменной памяти работаетследующим образом.На группу входов 15 синхронизациипоступают управляющие сигналы для 11 корректнрукщих резисторов и мультиплексор 12. Введение блоков корректирующих индуктивных элементов и резисторов позволяет повысить надежность, а введение мультиплексора -расширить область применения модулядоменной памяти, 1 ил,формирования четырех фаэ токов продвижения, причем первый блок 3 формирователей создает токи Х, а второйблок 4 Формирователей - токи У, Навыходах элементов И блока 2 вырабатываются управлякщие потенциалы припоступлении сигнала логической "1"на вход 14 выбора модуля доменнойпамяти. Для стабилизации токов продвижения блок 3 Формирователей токовХ и блок 4 формирователей токов Уподключены к группе ДИМ 1 через блок10 корректирующих индуктивных элементов.При записи информации в ДИМ 1 навход 16 ввода подается сигнал ввода.Код числа формируется группой генераторов 25 под управлением кода нагруппе числовых входов 20 модуля доменной памяти и сигнала генерации навходе 19 генерации,При считывании информации из ДИМ 1подается сигнал вывода на вход 17,вывода либо сигнал репликации навход 19 генерации модуля доменнойпамяти, Стробирующий импульс по входу13 поступает на третью группу входовтретьей группы 8 усилителей считывания.Считанное слово заносится в реьгистр 9 числа и далее выдается черезмультиплексор 12 на числовые выходымодуля доменной памяти, которые имеюттри состояния. На управляющем входемультиплексора 12 должен при этомприсутствовать сигнал выбора модулядоменной памяти,Стабилизация токов продвижения с помощью блока 10 корректирующих индуктивных элементов позволяет использовать общий стробирующий импульс для всех усилителей считывания третьей группы 8, поскольку считанные сигналы будут повремени зафиксированы относительно токов продвижения.5 161745Использование блока 11 корректирующих резисторов позволяет регулировать коэффициенты усиления усилителейсчитывания первой 6 и второй 7 группс целью использования одного стробирукщего импульса и одного уровня дискриминации в усилителях группы 8,Использование мультиплексора 12с тремя состояниями позволяет использовать модуль доменной памяти в накопителях различной емкости, объединяявыходы аналогичных модулей,Таким образом, введение блоковкорректирующих индуктивных элементови резисторов позволяет повысить надежность, а введение мультиплексорарасширить область применения модулядоменной памяти.ЮФормула изобретения Модуль доменной памяти, содержащий группу доменных интегральных микро- сборок, блок элементов И, первый и второй блоки формирователей токов продвижения, блок формирования функциональных импульсов, первую, вторую и третью группы усилителей считывания и регистр числа, причем входы первой группы блока элементов И соединены с входами выбора модуля доменной памяти, а входы второй группы блока элементов И являются группой входов синхрониэации токов продвижения модуля доменной памяти, первый и второй выходы блока элементов И подключены соответственно к первому и второму входам первого блока формирователей токов продвижения, первый и второй40 выходы которого соединены соответственно с входами первой и второй групп доменных интегральных микросборок, входы третьей и четвертой групп которых подключены соответственно к первому и второму выходам второго блока45 формирователей токов продвижения, первый и второй входы которого соединены соответственно с третьим и четвертым выходами блока элементов И,50 первый, второй, третий четвертый входы и группа пятых входов блока формирования функциональных импульсов являются соответственно входами ввода,вывода, репликации, генерации и группой числовых входов модуля доменнойпамяти, выходы ввода и вывода блокаформирования функциональных импульсовсоединены соответственно с входамипятой и шестой групп доменных интегральных микросборок группы, входыседьмой группы которых подключены кгруппе выходов генерации блока формирования функциональных импульсов, выходы первой и второй групп доменныхинтегральных микросборок группы соединены с входами первых групп усилителей считывания первой и второйгрупп соответственно, выходы которыхподключены соответственно к входампервой и второй групп усилителей считывания третьей группы, входы третьейгруппы которых соединены со стробируацим входом модуля доменной памяти,выходы усилителей считывания третьейгруппы подключены к группе разрядныхвходов региСтра числа, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности модуля за счет использования общего стробирующего импульса при считывании и расширенияобласти применения модуля доменнойпамяти в накопителях различной информационной емкости, в него введеныблок корректирующих индуктивных элементов, блок корректирующих резисторов и мультиплексоров, управляющийвход которого подключен к входу выбора модуля доменной памяти, информационные входы соединены с выходами регистра числа, а выходы мультиплексораявляются числовыми выходами модулядоменной памятп, входы первой и второй групп блока корректирующих индуктивных эгементов соединены с третьимивыходами соответственно первого ивторого блоков формирователей токовпродвижения, выходы первой н второйгрупп блока корректирующих индуктивных элементов подключены соответственно к входам восьмой и девятой группдоменных интегральных микросборокгруппы, выходы первой и второй группблока корректирующих резисторов сое- .динены с входами группы усилителейсчитывания первой и второй групп соответственно,