Розум

Номер патента: 1026550

Опубликовано: 30.04.1986

Авторы: Погребняк, Розум

МПК: G01T 1/02

Метки: дозиметр

...1, представляющий собой монокристалл 2 с нанесенной на него3 1пленкой 3. Пластина чувствительногоэлемента закреплена одним концом вкорпусе 4, шкала 5 и стрелка 6 насвободном конце чувствительного элемента являются измерителем деформа-.ции изгиба пластины чувствительногоэлемента. Нагревателем в данном дозиметре служит источник 7 тока, подключенный одной клеммой к шкале 5,выполненной из металла, а второйклеммой - непосредственно к пластинечувствительного элемента. Ионокристалл выполнен из токопроводящего ма"териала и нагревателя при прохождении через него тока,Устройство работает следующимобразом,Поток ионизирующей радиации падает на чувствительный элемент 1 истимулирует в монокристалле 2 и нанесенной пленке 3 образование...

Номер патента: 1118083

Опубликовано: 30.04.1986

Авторы: Воробьев, Гриднев, Погребняк, Розум, Углов

МПК: C23C 14/00

Метки: вещества, имплантации, материалы

...так,что выполняется условне осевого или плоскостного каналирования электронов,На фиг. 1 схематично изображеноустройство для имплантации, на1 О фиг. 2 - график расчетного распределения плотности локализации потокаэлектронов относительно атомной(грань 110) при энергии электронов10 МэВ на фиг. 3 - график зависимости требуемого времени имплантации от угла ориентации мишени изалюминия относительно направленияэлектронов.2 О Устройство содержит источник ускоренных электронов 1, монокристаллическую фольгу 2 из имплантируемого материала, установленную на обрабатываемом материале 3Монокриср 5 талличес:ая фольга ориентированатак, что ее кристаллографическиеоси совпадаютс направлением пучка,Фольга 2 и материал 3 помещены вохлаждаемый...

Номер патента: 1056867

Опубликовано: 30.04.1986

Авторы: Воробьев, Каплин, Розум

МПК: H05H 5/00

Метки: варианты, генератор, его, импульсный, нейтронов

...Е = Е+ Ч(х,), т.е. зависит от положения х точки влета час 1тицы в кристалл относительно атомнойплоскости. Величина х; лежит в пределах от 0 до д/2, где й- расстояние между атомйыми плоскостями,поэтому имеем ьЕ = 2 Е 1. Крометого, ЬЕ зависит от угловой расхо 2 2димости пучка Ь 9, д Е =2 Е(+Еьдкоторая не является малой .с самогоначала, а с глубиной кристалла ещевозрастает вследствие многократногорассеяния дейтронов. При большойширине эоны ЬЕ дейтроны потолка зоныбудут слабее взаимодействовать сядрами кристалла, чем дейтроны дназоны поперечных энергий. Учет расплывания зоны ЬЕ объясняет причину,почему прямое использование эффектаканалирования дейтронов в околобарьерных состояниях не позволяетдостигнуть ожидаемую величину повышения выхода...

Номер патента: 1009234

Опубликовано: 30.04.1986

Авторы: Воробьев, Потылицын, Розум

МПК: G21K 1/06, H05H 9/00

Метки: гамма-излучения, источник, линейно-поляризованного

...достигаетсятем, что в известном источнике линейно-поляризованного пучка-излучения, включающем источник пучка ре-лятивистских электронов и монокрис таллический радиатор, радиатор выполнен из монокристалла, структуракоторого имеет сдвоенные атомные це"почки, ориентированного так, чтоугол 0 между направлением сдвоенных 45 атомных цепочек.и осью пучка электронов лежит в пределах 0 4 0где 1, - критический угол каналирования,На чертеже дана функциональная 50 схема предложенного источника.Пучок релятивистских электроноввылетает из источника 1. На оси пучка установлена система коллиматоров2, формирукщая квазипараллельный 55 пучок электронов с угловой расходи"мостью меньше критического угла каналирования3 10где Е - атомный номер кристалла;о 1...

Номер патента: 1222705

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Иванов, Кавицкий, Леках, Лысов, Никитин, Розум, Столяров, Хорошко, Черкасов, Шамов

МПК: C22C 37/10

Метки: высокопрочный, чугун

...240 9 О. Верхний 60 60 240 980 ВНИИПИ Заказ 1671/25 Тираж 567 Подписное Произв.-полигр, пр-тие, г, Ужгород, ул. Проектная,Изобретение относится к металлургиив в частности к разработке составов высокопрочного чугуна.Целью изобретения является повы- шение ударной вязкости улучшениежидкотекучестив снижение отбела при сохранении уровня механических свойств. Изобретение иллюстрируется приме О рами конкретного выполнения. Составы известного и предложенного чугунов, а также их свойства приведены в табл. и 2.Повьппение жидкотекучести предла гаемого сплава по сравнению с известным достигается в основном за счет определенного более низкого содержания алюминия в сплаве. Дополнительный совместный ввод кальция и суммы церия, лантана и неодима...

Номер патента: 1215632

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Вахер, Герасимович, Грибец, Канаев, Розум, Чичиков, Ширвель

МПК: A01B 63/10

Метки: гидросистема, навески, трактора

...14 клапана 13 с клапаном 16 и торцовой полостьк 1 11 сервозолотника 10.В позиции гидрораспределителя 4 Зона регулирования магистраль, соединяющая гидронасос 9 с гидрораспределителем 4, перекрыта последним от слива, а управляемая полость клапана 19 сообщена со сливом, при этом масло от гидронасоса 9 через дроссели 29 32 поступает на слив. При равенстве давлений в полостях 1 и 2 сервозолотника 3 последний удерживается пружинами в среднем положении, сообщая со сливом управляемые полости клапанов 16 и 25. При отсутствии давления в управляемых полостях клапаны 19 и 25 закрыты; а клапан 16 открыт, при этом из-за отсутствия перепада давлений на дросселях 20 и 24 клапан 18 закрыт, а сервозолотник 10 находится в положении, определяемом...

Номер патента: 1186684

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Бестужев, Леках, Розум, Счисленок, Шитов

МПК: C22C 37/10

Метки: высокопрочный, чугун

...магния менее 0,047. в структуре наблюдаются включения пластинчатого и вер-,микулярного графита. Ввод магния 45более 0,01% нерационален, так какухудшается форма графита (эффектперемодифицирования) увеличиваетсярасход модификатора и количествовредных газовыделений при модифициро вании. Для получения высокой пластичности сплава содержание марганца в нем ограничено в пределах О, 15- 0,47. Увеличение концентрации крем" ния (2,3-2,9%) способствует кристаллизации сплава по стабильной диаграмме состояния, без структурно-свободных карбидов, Нижний предел по кремнию 2,37 установлен, исходя из требований исключения отбела в отливках. При содержании кремния более 2,9% наблюдается резкое снижение пластических свойств ВЧШГ за счет легирования...

Номер патента: 1088557

Опубликовано: 07.08.1985

Авторы: Воробьев, Каплин, Погребняк, Розум

МПК: G21G 4/00

Метки: варианты, его, излучения, ионизирующего, источник

...выполнения конструк тивной интерференции излучения. Отбор получаемого излучения может быть осуществлен коллиматором 5, установленным в направлении 2, в котором совпадают вышеупомянутые касательные и имеющим угловой растворД л 1 ф- Чг сг = )Второй вариант устройства показан схематично на Фиг. 2 и содержит источник пучка релятивистских заряженных частиц 1, входной коллиматор 2, два равномерно изогнутых кристалла 3 с регулируемым промежутком (зазором) 6 между кристаллами, выходной коллиматор 5 и устройство 7 для регулирова ния ширины зазора. Принципиальные размеры и характеристики кристалла 3 и его расположение относительно пучка частиц 1 остаются те же, что и в первом варианте устройства. Дополнительно для плавного регулирования частоты...

Номер патента: 1165721

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Гетман, Лабинский, Мазепа, Розум

МПК: C25D 1/22

Метки: гальванопластическом, изготовлении, разделительного, раствор, слоя, создания

...от модели заключается в опиливании или обрезке (обточке) края нарощенной моделй до обнажения разделительного слоя, Затем лезвие ножа вводится в линию раздела и проводится по периметру модели с неболь-. шим нажимом. Трубку с цилиндрическоймодели снимают обкаткой между косорасположенными .валками.В случае медной "рубашки" производят обрисовку торца цилиндра.В линию раздела вводят нож из мягкого металла, разрывают "рубашку по образующей цилиндра и снимают (отделяют) вручную.Составы используемых растворов приведены в ч"абл. 1.Раствор 1 рекомендуется для создания разделительного слоя на поверх-, ности медных формных цилиндров глу- бокой печати, на которые затем наращивают гальванопластическое медноепокрытие, тиражную...

Номер патента: 1101050

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Воробьев, Каплин, Розум

МПК: G21G 4/04

Метки: генерации, излучения, электромагнитного

...взаимодействия пучка позитронов с поверхностью кристалла достигнет несколько метров и изготовление совершенных кристаллов для такого ондулятора практически невозможно. В-третьих, необходимо ориентировать кристаллы так. чтобы кристаллографические направления одного кристалла г пределах критического угла Линдхарда были параллельны со-. ответствующим кристаллографическим направлениям др" гого кристалла что представляет при больших энергиях заряженных частиц и малых расстояниях между кристалламп значительную трудность. Более того, интенсивность получаемого излучения определяется кратностью отражения частиц от поверхностей кристаллов, которая в при" веденном способе с кристаллами реаль- - ных размеров составляет величину не более...

Номер патента: 1138739

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Запрометов, Розум, Сидорова, Чигрин

МПК: G01N 33/48

Метки: активности, пшеницы, тканях, эстераз

...ФРГ (150 мг/мп), после чего центрифугируют. Очищенный субстракт,содержащий смесь эфирносвязанных фенолкарЬоновых кислот, сохраняют на .холоде.Для определения эстеразной активности из зараженных и незараженных листьев пшеницы выделяют цитоплазматические белки путем гомогенизации листьев в 0,05 М пирофосфатном буфере (рН 9,3) с последующим, высаливанием центрифугата сульфатом аммония при 90 . насыщения.Берут 10 мп раствора белка, 4 млраствора ингибитора гликозидаз (-лактон глюконовой кислоты) и 4 млвытяжки, Смесь инкубируютч при 35 С, реакцию останавливают подкисолением смеси до рН 2,0. Накопившиесяв результате гидролиза эфиров.,свободные фенолкарбоновйе кислоты извлекаютдиэтиловым эфиром и проводят их количественное определение с...

Номер патента: 1064792

Опубликовано: 15.01.1985

Авторы: Воробьев, Каплин, Розум

МПК: G21K 1/02

Метки: заряженных, пучками, частиц

...медианной плоскости мишени и прижаты концами друг к другу, а на выходной стороне зубья изогнуты такимобразом, что каждый и -ный из нихсмещен к медианной плоскости на 45величину 1 п =(1-2 п 3) /28" где 1 -заданное фокусное расстояние для выходящего пучка, Д - расстояние междузубьями у их основания. Кроме того,ось коллиматора лежит в медианной 50плоскости,На фиг.1 показана половина монокристаллической мишени перед изгибами, на Фиг.2 - симметричная половина изогнутой монокристаллической .55мишени.Пучок частиц пацает на монокристаллическую пластину, состоящую из 792 4монолитной 1 и гребенчатых - входной 2 и выходной 3 частей. Перед монокристаллической пластиной стоит коллиматор 4. Ось 00 определяет положение медианной плоскости пласти....

Номер патента: 1122449

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Волощук, Плотников, Розум, Тиньков

МПК: B23C 3/12

Метки: зачистки, кромок, листов

...фиг. 4 - разрез Б-Б на фиг. 3; на фиг, 5 - вид В на фиг.4.Устройство состоит из двух зачист 45 ных агрегатов 1, стола 2, на котором размещены четыре упора 3, два ориентирующих механизма 4, механизм 5 фиксации и блок роликов 6. 50Зачистные агрегаты 1 помещены на направляющих 7 с возможностью перемещения с помощью цепи, последовательно огибающей приводную, натяжную звездочки и связанной с приводом 8. 35Зачистной агрегат 1 содержит маятниковые эачистные головки с рабочим инструментом (например, иглофрезой),В исходном положении упоры 3 подняты и настроены на ширину обрабатываемого листа. Если ширина листа больше ширины стола 2 то лист базируется симметрично продольной оси стола 2, а продольные кромки его обрабатываются одновременно...

Номер патента: 1116083

Опубликовано: 30.09.1984

Авторы: Андреев, Белый, Бестужев, Железнов, Зайко, Лазарев, Леках, Розум, Рысс, Шитов

МПК: C22C 35/00

Метки: комплексный, модификатор

...0,17). Остаточное содержание магния измельчает металлическую матрицу и улучшает Форму графитньк вклю25 3 111608чений. Пределы содержания его 0,1-37.выбраны исхо,я из необходимостиобеспечения достаточной степени рафинирования расплава (с учетом суммарного рафинирующего воздействия всехкомпонентов модификатора) при достаточной технологичности ввода модификатора - отсутствие дымовьщеленияк пирроэффекта (более 3,07) .Известно положительное влияние 10РЗМ цериевой группы и иттрия на веськомплекс механических свойств чугуна.Они оказывают существенное рафинирующее влияние на расплав чугуна. Оста-,точное содержание этих элементов15способствует перлитизации металлической матрицы, улучшению формы и характера распределения графита. Как следствие,...

Номер патента: 1037786

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Воробьев, Пак, Розум

МПК: G21K 1/08

Метки: высокой, зарядам, пучка, сепарации, частиц, энергии

...кристаллографическим осям (плоскостяма положительно заряженные частицыотбирают по направлению касательнойк выходящим на заднюю поверхностькристалла этих же кристаллографических осей (плоскостей),При падении пучка, состоящего изположительно, отрицательно заряженных и нейтральных частиц, на изогнутый монокристалл по касательной квыходящим на облучаемую поверхностьизогнутым кристаллографическим направлениям, происходит захват заряженных частиц в изогнутые плоскостныеили осевые каналы (эффект каналирования). Движение заряженных частиц приканалировании в зогнутом монокристалле осуществляется вдоль изогнутыхкристаллических направлений и в результате, пройдя по изогнутому подуге радиуса Нщканалу длиной 1отклоняется от первоначального...

Номер патента: 1066738

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Андреев, Добриян, Клют, Леках, Нецветаев, Розум, Русаков, Фонштейн, Цедрик

МПК: B22D 27/20

Метки: вставка, литейной, модифицирования, форме, чугуна

...5)ми расплава топкуО верхцкно коцицескую:(асть. Заглублеие нижней нилин,Ерицской части и полуформы нд12 высоты Обспецивае ее достаточно медленцый прогрев и рдст. ворецис послслцимц порциями расплава.Такая установка позволяет такжудержать присадку цод стояком в процесс здполнеция формы рдсплдвом.Пример. Ввиду сложности .и р(гкания термолинамицеских процессов при рдл во. рении компактных вставок в Объел(е металла магематицеский расчет данного процесса явля(.тся н(:ВОЗМОжным, поэтомвьО(1 формы и размеров вставки оппеле,як)тся эксп- римецтдльцо. Практически была проверена растворимость компдктньх вставок в форме цилицдря с разным соотщиРН Рм лиаме"; - ра к высоте усеченного конуса 1 комбинированной формы, т.е. соетд;:,ия нилицлрд с...

Номер патента: 1027264

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Бестужев, Глазков, Леках, Розум, Трофимович, Фонштейн, Цедрик

МПК: C22C 37/10

Метки: чугун

...прочности и твердости высокопрочного чугуна в сочетании с удовлетворительной пластичностью при литье раэностенных отливок концентрации никеля уставов ленц в пределах 0,05-0,2. Верхний предел 0,2 ограничен, исходя из того,.что при этой концентрации никеля достигаются требуете механические свойства сплава.Магний и в приведенных, концентрациях обеспечивает нолученйе шаровидного графита и высоких механических свойств чугуна. При содержании магния менее 0,04 Ф структуре чугуна наблюдаются включения пластинчатого и вермикулярного графитадаже в низкосернистом чугуне (сера до 0,02), Ввод магния более 0,08,не рациона-. лен, так как ухудшаеся Форма графита и возрастает склонность к отбелу (эффект перемодифицирования) уйиличивается расход...

Номер патента: 1024508

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Бестужев, Добриян, Леках, Мищенко, Розум, Фонштейн, Цедрик

МПК: C21C 1/10

Метки: высокопрочного, чугуна

...ваграночной планки с низкой температурой. Кроме того, РЗМ цериевой группы, кальций и кремний, обладая большим сродством к сере, кислороду и азоту, хотя и связывают их в неметаллические включения, однако последние, обладая большой удельной плотностью, не всегда успевают перейти в шлак и остаются в расплаве, особенно при температурах менее 1400 С. Поэтомуос целью интенсификации процесса перевода неметаллических включений в шлак, дополнительного рафиниронания расплава, предлагается проводить непосредственно перед заливкой расплава дополнительную обработку в разливочном ковше железо-кремний-магниевой лигатурой, что приводит к барботированию расплава и ускорению всплывания неметаллических включений в шлак, Кроме того, производится...

Номер патента: 1024492

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Землянушнов, Козлов, Радзевич, Розум, Рубцов, Соколов, Фиговский, Черников

МПК: C09J 3/16

Метки: клеевая, композиция

...мономер, разбавитель - то 2 рлуол ксилол, минеральный наполнитель и аминный отвердитель 2).Недостаток укаэанной композициинизкая стойкость адгеэионных соединений фуранового полимербетона вкислотах при повышенных температурах.Цель изобретения - повышение химической стойкости адгеэионных соединений фуранового полимербетона вкислотах при повышенных температурах,поставленная цель достигается тем, ЗОчто клеевая композиция, включаюшаяэпоксидную диановую смолу, фурфуролацетоновый мономер, разбавитель,минеральный наполнитель и аминныйотвердитель, в качестве разбавителясодержит 2-винилоксибутадиен,3при следующем соотношении компонентов, мас,ч.фПример 2.Эпоксидная смола ЭД600 Мономер ФИ 42-Винилоксибутадиеи,3 Молотый...

Номер патента: 976509

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Воробьев, Пак, Розум

МПК: H05H 7/00

Метки: мишени, монокристаллической, ориентирования

...в плоскости, проходящей через ось вращения и ось пучка 6, 15 остается постоянным, Вид этой ориентационной зависимости й= У ( Ч) опреде-. ляется типом решетки кристалла и положением главных кристаллографических направлений относительно пучка заряженных частиц. Затем изменяют угол наклона 6 и вновь измеряют ориентационную зависимость выхода электромагнитного излучения М/6=Е(Ч), Для полной определенности необходимо измерить также ориентационные зависимости при вращении кристалла вокруг оси, перпендикулярной первой, то есть зависимости Пучок заряженных частиц с угловой расходимостью, удовлетворяющей условию каналирования, направляют на ориентированный кристалл-мишень с известным типом решетки по нормали к его поверхности, Затем, вращая...

Номер патента: 876044

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Воробьев, Каплин, Розум

МПК: H05H 7/00

Метки: излучения, источник, электромагнитного

...размере пучка а= 10-2 смдпя позитронов с энергией Е10 МэВразмер эоны рассеяния составит величину Ьп 3(Ч 1 м, что делает данное15 устройство малореальным даже дпя рентгеновской области излучения.В-третьих, получение излучения ву-диапазоне требует решения еще болеесложных технических задач; поскольку в20 атом случае необходимо использоватьпучки частиц с энергией 0,1-1 ГэВ.Тогда эона рассеяния пучка позитроновс д"10 2 см на поверхности кристаллабудет составлять до нескольких метров,25 а изготовить совершенные кристаллы .такого размера практически невозможно.Цепь изобретения - расширение диапазона излучаемых частот и повышениеКПД источника.Цель достигается тем, что в извес 1ном источнике апектромагнитного излучения пластины...

Номер патента: 854190

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Воробьев, Каплин, Розум, Савельев

МПК: G21K 1/06

Метки: излучения, источник, электромагнитного

...электромагнитцого излучсция, включающем источник реля пьчс Гских здряженцых частиц, изопутый моцокр(1- сталл, закреплеццый ца держателе с окнами для пропускация пучка заря)кециых частиц и электромагцитцого излучеция, моно- кристалл изогнут с перемеицым иепостоянцым) радиусом кривизны, а выходной коллиматор выполнен подвжцым с возможностью есо перемещения в диапазоне углов, предельно ограниченном касательными к изогнутым кристаллограф)гческим плоскостям в точках их исрсссчецця с вхс),.иой и выходной поверхностями моиокристалла.Принцип работы предлагаемого устройства заключается в следующем.Дви)кение рсг 5 тивистской час типы с энергией Е по искривленнымрдектори 5 м вызывает электромагиитиос излучеиие, 1 дстота которого...

Номер патента: 912521

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Воробьев, Розум

МПК: B28D 5/00

Метки: изгиба, кристалла

...пленки, равномерной по толщине, но имеющей больший (или меньший) коэффициент теплового расширения, на поверхность кристалла в месте контакта его с пленкой действует сжимающее (или растягивающее) усилие, одинаФормула изобретения Составитель Х.ХамидуловТехред М. Надь Корректор А.Ференц Редактор Н.Воловик Заказ 1257/23 Тираж 604 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5, счет неравномерной жесткости кристалла, - в сечении с меньшей толщиной она меньше, в сечении с большейтолщиной - больше, кристалл изгибается также неравномерно, - в местахменьшей толщины радиус изгиба меньше, в местах большей толщины радиусизгиба больше,П р и м е р. Кристалл кремния 1...

Номер патента: 758933

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Воробьев, Диденко, Каплин, Розум, Савельев

МПК: G21K 1/06

Метки: излучения, электромагнитного

...заряженной частицы; й - радиус кривизны кристалла,=(Л) ф.Частоту электромагнитного излучения регулируют путем или простого механического изменения радиуса изгиба кристалла при постоянной энергии, или изменения энергии электронов при постоянном радиусе изгиба. 4 О Диапазон получаемых частот лежит от жесткого ультрафиолетоного до рентгеновского излучения. Анализ условий каналиронания дает требуемую величину радиуса кринизны КсмЪ 10 4 ЕМэВ д 5 и толщины кристаллической пластины д см 1 й 10 ЕМэВ 1 при ограничении на угловой разброс па ающ го пучка ,электронов дЧ %1 / Е МэВ. Интенсивность получаемого излучения 50е с2/3 в2 б тем больше, чем меньше радиус кривизны кристалла. Кристаллическую пластину необходимовырезать так, чтобы...

Номер патента: 818968

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Бобров, Данилин, Дехтяр, Левин, Панкратов, Розум, Шибалкин

МПК: B65G 1/02

Метки: грузов, склад, штучных

...вилка 19 разъема. Электрокабель 12 выполнен разъемным, одна часть закреплена на тележке 11, а другая совмещена с вилкой 19 на каретке 15. Привод перемещения каретки состоит из консольно прикрепленного к каретке 15 электродвигателя 20, открытой зубчатой передачи 21, винта 22 с гайкой 23. На передаточном механизме 4 установлен привод 24 ее передвижения, рельсовый путь 25 для крана-штабелера и стыковочное устройство 26, выполненное аналогично стыковочному устройству крана-штабелера, В каждом межстеллажном проходе смонтирован выступ 27.Склад работает в автоматическом режиме, Работа осуществляется следующим образом.При загрузке склада грузовой пакет устанавливается погрузчиком (на фиг. не показан) на один из постов 5. В случае наличия...

Номер патента: 731619

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Воробьев, Каплин, Плотников, Розум

МПК: H05H 7/00

Метки: ускоренных, электронов, энергии

...формуле (1)также определяют энергию электронов. Средняя ошибка такого способа составляет до 12/оНедостатком этого способа определения энергии является невысокая точность, так 5 как значение Яэ, входящее в формулу (1), зависит от выбора линейного участка ЛВ кривой плотности окраски (см, фиг. 1) в первом случае и от визуального определения глазом размытой границы между окра-0 шенной и неокрашенной частями кристалла во втором случае.Целью настоящего изобретения является увеличение точности измерения энергии электронов, 15Указанная цель достигается тем, что прозрачный до облучения щелочно-галоидный кристалл облучают электронами под углом 40 - 90 к поверхности дозой не выше 1 О" - 10 д эл/ем 20Выло установлено, что после такого облучения в...

Номер патента: 354760

Опубликовано: 15.03.1980

Авторы: Бедова, Глембоцкий, Дудяк, Коваленко, Лазаренко, Новак, Омелянюк, Розум, Чорна

МПК: G03C 1/68

Метки: печатной, формы

...печатающую поверхность.Износостойкую добавку - дисульфид молибдена - вводят в количестве 0,01 - 5 0,1 вес. ч.Пример.1. Изготовляют фотополимеризующуюся композицию следующего состава, веч. ч.: Указанную композицию наносят пульверизацией на поверхность стереотипа или 2 О другой печатной формы, тщательно обезжиренной известными способами, в количестве 1 г/м, высушивают потоком теплового воздуха и экспонируют двумя лампамиФ (354760 5 - 350,02 - 0,2 Составитель О, Зеленова Текред К. Шуфрни Корректор Ю. Макаренко Тираж 626 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4Редактор Е. МесроиоваЗаказ 12 О 9/49 ПРК - 7...

Номер патента: 715943

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Бабудаев, Воробьев, Медведев, Плотников, Розум

МПК: G01J 1/04

Метки: микроизображением, пленок, просмотра

...с радиу.сом окружности, с которой поступил сигналоб отсутствии изображения; блоком установкикратности увеличения 7, например, путем перемещения узла крепления пленки, оптическойсистемы н источника светв 1 устанавливаетсятакал кратность увеличения микроизобракения,что размеры увеличенного микроизображенияограничиваются окружностью максимального,радиуса, на которой расположено максималь.нов число фотодатчиков,Во втором цикле производится непосред.ственно обработка информации с рентгеновскойпленки. В плоскости экрана 2 на концентричвских окружностях расположен набор фотодат чиков 3, управляемых коммутатором 4 так что каждая последующая окружность на ко. торой расположены фотодатчики, подключает ся Одновременно с запуском развертки...

Номер патента: 715051

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Зеленченок, Ксеневич, Мельник, Морозов, Раловец, Розум, Шатерник

МПК: A01D 35/00

Метки: жатка, навесная

...на шарнирах 14, установленных на раме 15 транспортного средства.Цилиндр 6 подъема жатки шарнирно соединен с точкой 16 рамы 15 транспортного средства и точкой., лежащей в области точки 13 платформы 1 или совпадающей с ней. Рама 3 жатки связана с рамой 15 транспортного средства тягой 17 со свободным ходом. Во,время работы жатка опущена на копирующие башмаки платформы, а цилиндры 6 подъема жатки установлены в плавающее положение. Копирующие башмаки платформы 1 копируют неровности почвы и заставляют поворачиваться платформу с режущим аппаратом 2 относительно центрального сферического шарнира 7.При изменении положения платформы от нижнего предела копирования до верхнего точка 12 платформы заставляет пружины блоков уравновешивания 4...

Номер патента: 711533

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Булгаков, Грудзинский, Павлов, Пасечник, Розум

МПК: G03G 16/00

Метки: записи, фототермопластической

...слоями приводит к тому,что изображение на носителе будетискажено таким образом, что глубинамикродеформаций участков носителя,которые соответствуют меньшим воздушным зазорам, будет больше глубины микродеформаций участков носителя, соответствуюШих большим воздушным зазорам,Белью изобретения является повышение равномерности фона изображения.Это достигается тем, что передэкспонированием на систему фотополупроводник - термопластик подаютвысокочастотный импульс напряжения.Подача перед экспозицией высокочастотного импульса напряжения приводит к возникновению в воздушномзазоре между фотополупроводниковыми термопластическим слоями объемного заряда, снижаюшего напряжениепробоя, Амплитуда этого импульсавыбирается такой, чтобы во...