Красилов
Молибдена и его сплавов
Номер патента: 368348
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Красилов, Лобжеский, Цирлин
МПК: C23C 12/00
...бора ц активатора с размером частиц50 - 200 лткльВ результате химико-термической обработки молибдена и его сплавов по указанному способу на цх поверхности образуется дву слойцое покрытие, состоящее цз подслоя борида молибдена (д - МоВ) и борсцлцццдного слоя (смесь дцсилицида и борида молибдена) при соотношении толщцн борсцлпццдного и боридного слосв, равном 3 - :6/1. В процессе 1 Б эксплуатации покрытия (окисления) и взаимодействия имеющихся в нем фаз образуется тройное соединение Мов 81 В, которое является эффективным барьером для кремния, а наличие борида молибдена в дисилиццдном слое 20 обеспечивает высокую самозалечивающуюспособность покрытия. В результате жаростойкость и надежность покрытия резко возрастает и составляет (прц общей...
Среда для силицирования молибдена и его сплавов
Номер патента: 334280
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Красилов, Лобжеский, Ордена, Цирлин
МПК: C23C 10/44
Метки: молибдена, силицирования, сплавов, среда
...вПри более высоких температурах пне защищает молибден от разрушающствия окислительной среды.Для интенсификации процесса силнния и повышения жаростойкости покпредлагаемую среду в качестве актвводят фториды металлов.Процесс силицирования оссреде, состоящей из смеси порамарганца и фторидов металлов.Смесь имеет следующий состав, %:Марганец 2 -Фторид калия 1 -КремнийВ качестве исходных продуктпорошки указанных веществ с 10 П р и м е р. Образцы молибдена и сплаваЦМ - 2 А, имеющие форму шайб диаметром8 - 10 мм и высотой 4 - 5 мм, помещают всреду, содержащую, кроме кремния, 3,5%марганца и 1% безводного фтористого калия.15 Корундовые тигли конусообразной формы,заполненные шихтой с образцами, притираютодин к другому и помещают в кварцевуютрубку,...
Устройство для нагрева воздуха
Номер патента: 324456
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Евсеев, Красилов, Меклер
МПК: F24F 3/153, F24H 3/02
...равном (0,1+ 0,5) тУ, где 1 -диаметр всасывающего патрубка вентилятораОсновная масса воздухд, обраоатывдемогоустройством, направляется в вентилятор, мцЗО цуя поверхностпьш воздухоцдгревдтель, и смет тепловои клапан 1, оросительную камеру Изобретение относится к установкам ционирования воздуха, а именно к ус вам для нагрева воздуха,По основному авт. св.131063 известно устройство для нагрева воздуха систем воздушного отопления и приточной вентиляции с применением в качестве теплоносителя перегретой воды из тепловых сетей. В этом устройстве применены оросительная камера для нагрева, увлажнения и очистки воздуха путем непосредственного его соприкосновения с расцыляемой нагретой водой и поверхностньш воздухонагреватель для...
Компенсатор фазовых изменений
Номер патента: 308478
Опубликовано: 01.01.1971
Автор: Красилов
МПК: H03L 7/083
Метки: изменений, компенсатор, фазовых
...Изобретение относится к устроиствам для стабилизации параметров электрических колебаний и может быть применено для стабилизации фазы колебаний автогенератора, работающего в режиме синхронизации.Известные устройства для стабилизации фазы колебаний автогенератора, использующие методы автоподстройки, сложны, а устройства, использующие методы компенсации, имеют низкую точность.Цель изобретения - повышение точности компенсации и упрощение устройства,Для этого в предлагаемом устройстве источник компенсирующего напряжения выполнен в виде балансного смесителя, соединенного своими входами со входом и выходом синхронизируемого автогенератора.На чертеже приведена блок-схема предлагаемого компенсатор а.Устройство состоит из...
Способ изготовления, о—п-переходов
Номер патента: 237268
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Данилин, Кондратьев, Красилов, Филатов, Черн
МПК: H01L 21/02, H01L 21/04
Метки: о—п-переходов
...область 5 р-типа 3 имеет толщину менее 0,1 ттк,По предложенной технологии могут цзготовляться силовые и туннельные диоды, ВЧ- ц СВЧ-транзисторы. мет изобретения Способ цзг дом введения птпйгя тем чт 15 малой площа шоц глубине,температуре в ратуры эвтек иый материалполучен термокомИзобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов,Известные способы создания р - и-переходов (сплавление, диффузия) ц выводов к ним(пайка, сварка, терхтокохтпрессия) не позволяют получать структуры малой площади смалой глубиной залегания перехода.По предложенному способу примеси одного типа проводимости вводят в поверхностный слой полупроводника противоположноготипа провсхдихтости давлением без образования жидкой фазы при температуре...
232388
Номер патента: 232388
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Буганина, Дроздов, Зотов, Красилов, Ленин, Черн
МПК: H01L 23/48
Метки: 232388
...трещин в изоляторе, что нарушает герметичность. Кроме того, в зоне выхода из изолятора изгиб вывода производится около острой кромки, являющейся причиной его обрыва.Цель изобретения - устранить образование трещин в изоляторе и увеличить мехацическуо прочность вывода при неоднократных изгибах. Это достигается тем, что на внешней стороне вывода выполнено утолщение, вплотную примыкающее к поверхности стеклянного или керамического изолятора и спаянное с ним. 11 а чертеже изображси предложенный элекический вывод герметического устройства. Здесь 1 - изолятор, 2 - корпус, водс персходцыми диаметрами.Вывод 3 впаян в изолятор 1. Причем получаемый спай стекла с металлом образовался 5 не только по периметру меньшего диаметравывода, но и по...
Способ комбинированной обработки информации
Номер патента: 204706
Опубликовано: 01.01.1967
Автор: Красилов
МПК: G06F 7/08
Метки: информации, комбинированной
...данного порядка и данного набора исходных признаков.Б-четвертых, количественный анализ ведут не только с по.дощью систем коэффициентов, но также и по распределительным рядам каждого признака, имеющего вариации в разных группах, Таким образом, после развертывания исходной информации в модифицированной матрице производится анализ с помощью систем коэффициентов, и в обработанном виде вся рассмотренная информация синтезируется, обобщается в одном итоговом - модельном коэффициенте - индекса. Следовательно, обработка информации в самом основании статической модели - в модифицированной матрице выявляет в первоначальном приближении структуру и связи систем, В ходе обработки в системе открываются новые элементы и взаимосвязи, хотя в данном...
Полупроводниковый двухэлектродный туннельный прибор
Номер патента: 139015
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Красилов, Мадоян
МПК: H01L 29/88
Метки: двухэлектродный, полупроводниковый, прибор, туннельный
...своей вольтамперной характеристики.На фиг. 1 изображена характеристика описываемого прибора; нафиг 2 в его структурная схема,Кривая характеристики описываемого прибора (фиг. 1сплошной линией и для сравнения там же пунктиром изобрвая язве:тных туннельных диодов.Прибор обладает участком с высоким дифференциальным сопротивлением. Этот участок, образующийся при небольших (порядка долей иединиц вольт) положительных смещениях, обусловлен вторым обычным1 т. е, не обладающим туннельным эффектом) р - и переходом, работающим в области обратной ветви при указанных смещениях на всем приборе. После наступления лавинного или зиннеровского пробоя обычногоР - и перехода начинает работать туннельный р - и переход, обусловливая появление на вольтамперной...
Способ получения монокристаллов германия и кремния с заданным содержанием примесей
Номер патента: 107450
Опубликовано: 01.01.1957
Авторы: Кокориш, Красилов, Шефталь
МПК: C30B 25/02, C30B 29/06
Метки: германия, заданным, кремния, монокристаллов, примесей, содержанием
...еще далеко це совершенны ввиду трудностей регулировки концентрации и распределения примесей.13 этом гаправлеции описываемый спосоо полусци 5 аОцористаялических пленок германия ц крстпия является перспективным,С пинось способа за я в меется возможность гдллическую плсцспределением прибыл получен мо- слоИ германия с иостьо толнной гике чистого гернесколько десятых цокрцстд, иическиидыро иой проводло 40 ,иг ца пластаация толщиной вмиллиметра.Такие пласгиць)леция в гих индиядов типа Р Р игодцы для вила получения три Грсдтст цзобретени овле- соедисокоИФподя ил фазу те га- И, ко- водосте с следующем.Пленки германия и кремния,зующцеся в результатс восставцця волоролом цх хлорисаыхцсций зеС 1 и 51 С 1) при вьтемпературе, кристаллизуются...
Многоанодный ионный прибор
Номер патента: 57687
Опубликовано: 01.01.1940
Авторы: Бабат, Гуменник, Красилов, Лозинский
МПК: H01J 19/78, H01J 21/20
Метки: ионный, многоанодный, прибор
...шунтированного конденсатором (на чертеже не показанным).В случае непринятия этой меры, т.е. оставления экрана никуда не присоединенным, его потенциал мог бы изменяться в произвольных пределах (вследствие динатронного эффекта), что вызывало бы образование нитевидных разрядов и, как следствие, перегрев и даже проплавление экрана.Для получения высокой чувствительности и малых сеточных токов в приборе необходимо заэкранировать отразрядного пространства не только сетии, но и сеточные вводы. В виду большого их количества и нецелесообразности, вследствие этого, применения индивидуальных экранов в предлагаемой конструкции для этой цели используется центральная ячейка 11 экрана (фиг. 2). Вводы помещаются в этой ячейке и после укрепления...
Ионное реле
Номер патента: 48857
Опубликовано: 31.08.1936
Авторы: Бабат, Красилов
МПК: H01J 17/00, H01J 17/04
...дырчатых поверхностей.В изображенном схематически на чертеже предлагаемом ионном реле катод К окружен соединенным с ним Иласе 21 д, 13 АВТОРСНОЕ СВ циЛиндрическим экраном Э. Последний снабжен в торцевой части двумя параллельными дырчатыми поверхностями 3, и 32 с отверстиями, расположенными в шахматном порядке. Управляющая сетка С, выполненная также в виде дырчатой поверхности, оказывается защищенной при помощи такого экрана от нагревания и осаждения на ней активного вещества катода, так как частицы бария или оксида точно так же, как и лучистая теплота, распространяются по прямым ливиям и попаданию их на сетку препятствует шахматное расположение отверстий в экранах 3, и .ЗвТаким образом, в данном ионном реле при помощи описанного...
Устройство для автоматической зарядки аккумуляторов
Номер патента: 42178
Опубликовано: 31.03.1935
Автор: Красилов
МПК: H02J 7/08
Метки: автоматической, аккумуляторов, зарядки
...ла включается рубильник 18, подающий напряжение к первичной обмотке трансформатора накала тиратронов 19 и 20. Через некоторое время после прогрева катодов этих тиратронов включается рубильник 77, подающий напряжение к анодам тиратронов 19 и 20. Через тиратрон 20 и последовательно с ним включенную обмотку реле 1 проходит ток, приводящий в действие это реле. Реле 1 включает главный выключатель 5, от которого подается напряжение к выпрямитель- ному устройству.Переключатель 28 устанавливается на положение 30. Далее включают рубильник 2 б цепи постоянного тока и начинают, заряжать батарею, 32.Тиратрон 19 при этом не работает, так как разносй, потенциалов междуего катодом и анодом, задаваемая тиратроном 20 и сопротивлением 1 б, мала, в то...