Агаханян
Способ создания теплоизоляции из пенольда
Номер патента: 1548443
Опубликовано: 07.03.1990
Авторы: Агаханян, Дудкин, Кобидзе, Копченко, Меркин
МПК: E21C 41/16
Метки: пенольда, создания, теплоизоляции
...с пеной, Зто происхо"дит за счет того, что мелкая Фракция полученных гранул быстро отдаетхолод пене, перемешиваемой с ней,что позволяет заморозить 93-957. всегообъема пены и получить монолитнуювязкую массу уже с требуемой теплопроводностью за счет закрытия пенойпор.Соотношение расхода пены и жидкого азота 14:1 - 13:1 определяетсяиз условия получения оптимально охлажденного пенольда. При увеличениииэтого соотношения количество незамерзшей пены в монолитной теплоизоляции увеличивается, что приводит 25к повышению теплопроводности, а уменьшение соотношения приводит к тому,что не получают водной массы пенольда,следствием чего являются трещины,возникающие при ее укладке.ЗОДля получения массы пенольда требуемой вязкости...
Способ получения теплоизоляционного покрытия
Номер патента: 1491929
Опубликовано: 07.07.1989
Авторы: Агаханян, Кобидзе, Меркин
МПК: E01C 3/06
Метки: покрытия, теплоизоляционного
...пеномассыкратностью 3-5. При этом толщина защитного слоя составляет 0,2-0,3 толщины теплоизоляционного слоя, а толщина корки льда 0,03-0,05 толщинызащитного слоя. Толщину защитного слоя принимают равной 0,2-0,3 толщины теплоизоляци- Св онного слоя, что позволяет обеспечить прочность покрьггия не ниже 200 кПа.Корку льда между теплоиэоляционным и защитным слоями образуют для обеспечения непроницаемости между ними, СО возможности нанесения пеномассы защитного слоя и тем самым для повышения прочности покрытия. При уменьшении топцины корки менее 0,03 толщи- (;ф ны защитного слоя корка разрушается, что ведет к снижению прочности и долговечности, увеличению теплопро-водности покрытияУвеличение толщины корки льда более 0,05 толщины защитного...
Способ получения теплоизоляционного покрытия
Номер патента: 1476138
Опубликовано: 30.04.1989
Авторы: Агаханян, Кобидзе, Меркин
МПК: E21C 41/14
Метки: покрытия, теплоизоляционного
...этих бактерий позволяет достичь указаннуюцель. Наибольший эффект достигаетсяпри соблюдении соотношения бактерийв растворе 1:1-1,5:1,При использовании бактерий рвецйошопав вуг 1 пдае в растворе в меньшемколичестве уменьшается количество 25центров кристаллизации, а при использовании их в большем количестве затягивается процесс замораживания за.счет уменьшения количества бактерийегч 1 п 1 а ЬегЬсо 1 а.30При уменьшении концентрации раствора бактерий менее 1 млн. клеток/млуменьшается количество центров кристаллизации более 2 млн. клеток/мл,эффект использования бактерий не возрастает..Введение в воду раствора бактерийв количестве менее 1от массы водыведет к уменьшению толщины одновременно замораживаемого слоя, а введение более З не дает...
Способ формирования теплоизоляционного покрытия
Номер патента: 1430531
Опубликовано: 15.10.1988
Авторы: Агаханян, Кобидзе, Меркин
МПК: E21C 41/14
Метки: покрытия, теплоизоляционного, формирования
...С за" трудняется процесс дегазации.Следствием дегазации воды является удаление растворенных в ней газов. В процессе дагазации струя распыленной воды эжектирует атмосферныи воздух,ч35 В нисходящем газожидкостном потоке осуществляется десорбция растворенных Газов и летучих веществ, так как пардальное давление их в воздухе мень 40 Фе, чем в жидкости. Дегазированная жоаким образом вода поступает в лоПастную мешалку, где создается разрежение в пределах 200.;.300 мм рт. ст, для того чтобы воздух не растворялся.Э45 в воде.Так как дегазированная вода имеет . возможность растворять в себе газы и чем ниже температура воды, тем больше эта способность, то применение дегазированной воды приводит к повышению50 стабильности пены за счет повышения...
Состав для теплоизоляционного покрытия
Номер патента: 1370243
Опубликовано: 30.01.1988
Авторы: Агаханян, Кобидзе, Меркин
МПК: E21C 41/14
Метки: покрытия, состав, теплоизоляционного
...Е снижает необходимуюкратность пены (19-21), что в своюочередь ведет к снижению прочности иустойчивости пенольда, а также к резкому увеличению теплопроводности, Содержание в составе его более 3,5 Енерационально, так как не повышаетвспениваемость смеси,Карбоксилметилцеллюлоэа (КМЦ) всмеси используется как стабилизаторпены. Содержание ее в смеси менее0,57. ведет к снижению стабильностипены и, как следствие этого, к уменьшению эамораживаемого слоя, а более3,57 - к снижению кратности пены,снижению прочности и увеличению теплопроводности пенольдаКарбамидная смола является такжестабилизатором пены. Наличие ее всоставе менее 0,057 приводит к увеличению расхода пенообразователя, аболее 0,353 нерационально,5 10 15 20 25 30 Состав готовят...
Операционный усилитель
Номер патента: 1356196
Опубликовано: 30.11.1987
Авторы: Агаханян, Кузюкин, Лубянов
МПК: H03F 1/42
Метки: операционный, усилитель
...каскада 3 использованы первый 5 и второй 6 конденсаторы, которые синхронно с моментамидискретизации входного напряженияпопеременно либо разряжаются путемсоединения через первый 7 и третий 9ключи соответственно к второй шине13 источника питания, либо разряжаются путем соединения через второй 8и четвертый О ключи соответственно.к преобразователю 11 ток - напряжение, в качестве которого может бытьиспользован, например, диод или тран 25 зистор в диодном включении, При этомв момент начала заряда первого конденсатора 5 либо второго конденса"тора 6 через него протекает большойзарядный ток, который преобразуетсяпреобразователем 11 ток - напряжениев импульс напряжения, поступающегона управляющий вход регулированиясмещения...
Оперативное запоминающее устройство
Номер патента: 959159
Опубликовано: 15.09.1982
Авторы: Агаханян, Любченко, Фирстов, Чистяков, Якобсон
МПК: G11C 11/00
Метки: запоминающее, оперативное
...передачи на выход устройс 1 ва Запроса обслуживания однобитной информации, первый 12, второй 13 к третий 14 накопители, четвертый накопитель 15, предназна" ченный. для проведения операций над массивами данных, хранящихся в накопктелях 12 и 13, первую 16 и вторую 17 группы усилителей, регистр 18 ад реса дополнительный регистр 19 адреса, предназначенный для хранения кода, определяющего номер бита информации, выводимого мультиплексором 11, регистр 20 команд, регистр 21 кода операций и блок 22 согласования уровней,. напряжений.ОЗУ может работать в режимах записи и считывания информации, а также проведения арифметических операций и операций над массивами. Возможны следующие режимы работы устройстваг запись в регистр 5 и одновременно в...
Компаратор напряжений
Номер патента: 902238
Опубликовано: 30.01.1982
Авторы: Агаханян, Кокориш, Михеев, Рогаткин, Стенин, Цеплис
МПК: H03K 5/24
Метки: компаратор, напряжений
...при этом напряжение на коллекторно-базовом переходе выходного транзистора каскада 8 близко к нулю, т.е. этот транзистор не входит в глубокое насыщение, что способствует более быстрому обратному переключению компаратора, так как не затрачивается время на рассасывание избыточных носителей заряда, накопленных в выходном транзисторе каскада. Непосредственно в момент переключения оказывается открытым лишь первый эмиттерный переход 3 90223 щения транзистора ключевого каскада заведомо большей величины, что при" водит к снижению быстродействия известнсио устройства. Снижение быст" родействия обусловливается также и значительным временем нарастания фронта сыходного сигнала.Таким образом, недостатками устройства являются малое быстродействие и...
Дифференциальный усилитель
Номер патента: 764100
Опубликовано: 15.09.1980
Авторы: Агаханян, Матавкин, Михеев, Рогаткин
МПК: H03F 3/45
Метки: дифференциальный, усилитель
...выходного каскала,согласно изобретению между соответствую-"-".щей шиной источника питания и коллекто, ром транзистора каждого выходного каскадавведены соответственно второй и третий генераторы тока на транзисторах, базы которых объединены и через четвертый генератор тока соединены с базой транзистора первого генератора тока.. На чертеже показана принципиальная схема дифференциального усилителя.Дифференциальный усилитель содержитвходной дифференциальный каскад на транзисторах 1 и 2 с генератором тока 3 в общей. эмиттерной цепи, выходные каскады на транзисторах 4 и 5, включенных по схеме с общим эмиттером, причем коллекторы транзисторов 1 и 2 соединены с базами транзисторов 4 и 5, а через резисторы б и 7 - с коллекторами...
Импульсный усилитель
Номер патента: 465710
Опубликовано: 30.03.1975
Автор: Агаханян
МПК: H03F 1/34
Метки: импульсный, усилитель
...обычного усилителя, предназначенногодля воспроизведения импульсов тока с крутыми перепадами в нагрузке. В схеме выходного каскада можно использовать не только биполярный транзистор, но и униполярный тран зистор, электровакуумную лампу.Компенсирующее напряжение Ок,м форуется вспомогательным усилителем, на которого поступает напряжение с коллек транзистора, т, е.2вых - н комсиливается в К раз елем и появляетсямпенсирующего напр ком -(в нкых)(1О К+1 ГДЕ Е вых - ВЫХОДНОЕ СОПРОТИВЛЕНЫ ВСПОМО.465710 Ц - У У - 7 В + ВВЫХВЫХ - Н КОМК+1 Составитель Т. Агаханян Корректор Л. Котова Редактор Н, Коляда Техред Т. Курилко Заказ 2150/17 Изд.1315 Тираж 902 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и...