H01S — Устройства со стимулированным излучением

Номер патента: 1720453

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Князьков, Мышенко, Песковацкий, Шульга

МПК: H01S 1/02

Метки: квантовый, резонаторного, типа, усилитель

КВАНТОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬ РЕЗОНАТОРНОГО ТИПА, содержащий помещенный в корпус прямоугольной формы активный кристалл, ограниченный металлическими стенками, одна из которых представляет настроечный плунжер, а две другие противолежащие стенки имеют отверстия связи с волноводами накачки и сигнала, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы и экономичности за счет уменьшения мощности накачки, настроечный плунжер выполнен из трех частей, при этом средняя часть соединена с одним приводом перемещения, а две другие с другим приводом перемещения, все части плунжера установлены в соприкосновении по плоскостям, параллельным широкой стенке волновода сигнала, а противолежащая плунжеру металлическая стенка параллельная широкой стенке волновода...

Номер патента: 1771367

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Горобец, Петухов, Точицкий, Чураков

МПК: H01S 3/10

Метки: выбранную, генерации, лазера, линию, настройки

СПОСОБ НАСТРОЙКИ CO2 -ЛАЗЕРА НА ВЫБРАННУЮ ЛИНИЮ ГЕНЕРАЦИИ, включающий регистрацию спектра генерации лазера, определение реперной линии и установку селектирующего элемента в заданное положение относительно известной реперной линии, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и упрощения настройки, регистрируют длинноволновую часть спектра генерации, содержащую эквидистантно расположенные линии колебательно-вращательных переходов, варьируют условия возбуждения рабочей среды и потери оптического резонатора до появления в спектре генерации двух линий, расположенных со спектральным интервалом между ними, кратным эквидистантному, при этом линию с большей длиной волны идентифицируют как реперную линию Р(56) полосы 0001...

Номер патента: 1018573

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Григоров, Мартынович, Токарев

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазерная, пассивных, среда, элементов

ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ на основе монокристалла с центрами окраски, отличающаяся тем, что, с целью повышения устойчивости кристалла к действию оптического излучения и расширения спектрального диапазона, она выполнена на основе монокристалла окиси алюминия.

Номер патента: 1671103

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Геворкян, Егоров, Смирнова, Хуторщиков

МПК: H01S 1/06

Метки: газовой, радиоспектроскоп, ячейке

1. РАДИОСПЕКТРОСКОП НА ГАЗОВОЙ ЯЧЕЙКЕ, содержащий магнитный экран, катушку для создания постоянного однородного магнитного поля, теплоизолирующую камеру, внутри которой размещены спектральная лампа, ячейка-фильтр и резонатор с СВЧ-диодом, нагревателем, датчиком температуры, фотодектором и газовой ячейкой, наполненной парами рубидия и буферным газом, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, в резонатор введены две металлические пластины толщиной не менее 2 мм, установленные в электрическом контакте с ним, газовая ячейка установлена между двумя металлическими пластинами в тепловом контакте с ними, а СВЧ-диод размещен между одной из пластин и поверхностью резонатора, причем расстояние между каждой пластиной и поверхностью...

Номер патента: 1565321

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Васильев, Добрынина, Дубинский, Игнатьева, Корягина, Кузнецов, Кулешов, Семашко, Серова, Сулейманов

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО, содержащее органический краситель родамин 6Ж или родамин С и сополимер метилметакриалата с метакриловой кислотой с соотношением компонентов 9 1 (мас.), отличающееся тем, что, с целью увеличения фотостойкости, оно дополнительно содержит карбонат эрбия при следующем соотношении ингредиентов, мас.Родамин 6Ж или родамин С 0,010 0,015Карбонат эрбия 0,5 1,0Сополимер метилметакрилата с метакриловой кислотой 98,985 99,490

Номер патента: 1676409

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Григоров, Мартынович, Миронов

МПК: H01S 3/16

Метки: алмазе, нз-центров, образования, окраски

СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ НЗ-ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В АЛМАЗЕ, включающий облучение алмаза с А-агрегатами азота ионизирующим излучением с энергией не менее 1 МэВ, отжиг алмаза в инертной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации НЗ-центров при одновременном снижении концентрации паразитных центров поглощения в полосе люминесценции НЗ-центров, облучают алмаз с однородным распределением по объему А-агрегатов и с их концентрацией не менее 1018 см-3 дозой ионизирующего излучения 100-120 част/см2 на каждый А-агрегат, воздействуют на алмаз в течение 0,1 1 ч и инфракрасным излучением с длиной волны 7 12 мкм, при этом разогревают алмаз до температуры 700 800 К и отжигают алмаз в инертной...

Номер патента: 797504

Опубликовано: 09.06.1995

Автор: Рагульский

МПК: H01S 3/10

Метки: волновым, излучения, лазерного, фронтом

СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ВОЛНОВЫМ ФРОНТОМ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, включающий предварительное освещение объекта лазерным излучением, усиление отраженного излучения и обращение его волнового фронта, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности излучения, концентрируемого на объекте, усиление осуществляют в оптическом устройстве, основанном на вынужденном рассеянии, накачку которого производят когерентным излучением.

Номер патента: 1102458

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Иванов, Хулугуров, Чепурной, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазеров, пассивных, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ ЛАЗЕРОВ на основе монокристалла фтористого лития, содержащего ионы гидроксила, включающий облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД генерации и эффективности модуляции лазеров, облучение производят при температуре от -195 до -40oС дозой в интервале 108 109Р.

Номер патента: 1123499

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Васильев, Волкова, Исянова, Лобанов, Максимова, Парфианович, Симин, Цирульник

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, аподизирующих, диафрагм, затворов, лазерных, лазеров, материал, пассивных, элементов

МАТЕРИАЛ ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ЛАЗЕРОВ, ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ И АПОДИЗИРУЮЩИХ ДИАФРАГМ на основе монокристалла LiF с центрами окраски, содержащего ионы гидроксила OH-, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД лазера при комнатной температуре, он дополнительно содержит примесь кислорода О-- при следующем соотношении ингредиентов, мол.ОН- 10-1 1О-- 10-3 10-2LiF Остальное

Номер патента: 1812905

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Верховский, Тарасенко

МПК: H01S 3/08

Метки: газовый, лазер

...пластине 3) и ф( пластине 2). Поверхность пластины 2, обра щенная к рабочему объему 1, расположен под углом ф по отношению к плоскости сим метрии параллелепипеда. Поверхность пла стины 3, обращенная к рабочему обьему 1 расположена перпендикулярно плоскост симметрии параллелепипеда. При этом ли нии пересечения поверхностей пластин 2 3 параллельны. На поверхности пластины нанесены в виде покрытий выходное 4 глухое 5 зеркала. На поверхности пластин 3 нанесены в виде покрытий два поворо ных зеркала 6 и 7. Покрытия зеркал 4- ограничены по линиям пересечения плоско сти симметрии параллелепипеда с поверх ностями пластин 2 и 3 и расположен напротив друг друга. Глухое 5 и выходное 4 зеркала расположены, соответственно, на обращенной к рабочему...

Номер патента: 814225

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Бубнова, Иванов, Хулугуров, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, лазера, твердотельного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА на основе монокристалла фторида лития, включающий загрузку шихты, выращивание монокристалла из расплава с последующим облучением его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения оптического коэффициента усиления за счет увеличения концентрации рабочих центров, шихту дополнительно измельчают и увлажнаяют, а облучение монокристаллов производят с дозой 107 4 107 рентген при температуре от 50 100oС.

Номер патента: 1152475

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Иванов, Михаленко, Парфианович, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, кристалла, лазера, лития, окраски, основе, фторида, центрами, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, содержащего примесь, включающий выращивание кристалла из расплава и облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона генерации лазера, в расплав фторида лития вводят двухвалентные катионозамещающие примеси магния, или никеля, или кобальта при концентрации от 5 10-3 до 10-1 мас. затем кристалл охлаждают до (-196oС) - (-30oС), облучают дозой 108 Рентген с последующим отжигом его при 20oС в течение 0,5 2 ч.

Номер патента: 1064835

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Иванов, Михнов, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Янчук

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазерной, пассивных, среды, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ на основе монокристалла фторида лития с F-2 центрами окраски, включающий облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентраций F-2 центров окраски, монокристалл облучают дозой (0,02 1) 109. Рентген при поддержании температуры кристалла -25 +25oС.

Номер патента: 658638

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Лобанов, Максимова, Мартынович, Парфианович, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, окг, элемент

...содержащем ионыла, хорошо растворимого в воде. ОН, выше,Известен активный элемент, на основе . Проведены испытаййя работы двух ак-.монокристалла, содержащего центры окра- тивных элементов в оптическом квантовомски. Активный элемент, изготовленный из 40 усилителе на длине волны 928 нм, Измеремонокристалла фторида лития, содержащий ны коэффициенты усиления и полученнйеэлектронные центры окраски, обладает ши- данные сопоставлены с результатами исслерокой полосой люминесценции в ближней . дования активного элемента из монокриинфракрасной области спектра и позволяет сталла фторида лития, не содержащегоплавно перестраивать частоту ОКУ и ОКГ в 45 ионы гидроксила. Испытания проведены.напределах этой полосы, установке, схема которой представлена...

Номер патента: 1814475

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Долотов, Колдунов, Мазурин, Роскова, Ситников, Хапланова, Цехомская, Шатохина

МПК: H01S 3/11

Метки: блочного, затвора, лазерного, пассивного, состав, типа

...импульсов.Дпя определения лазерной стойкостиРн использовался лазер на неадимовом стекле с длиной волны 1,06 мкм. длительностью импульса на полувысоте 20 нс и энер гией излучения Е = 0,35 Дж.Излучение, прошедшее через набор калиброванных нейтральных светофильтров, 5 фокусировалась линзой с фокусным расстоянием 117 мм. Для определения плотности энергии излучения в фокусе линзы проводилось измерение диаметра пятна ожога. на фотобумаге, расположенной в фокусе лин зы. Предварительно подбирался такой набор светофильтров, при котором на фотобумаге возникал ожог минимального размера, Затем из набора светофильтров вынимался светофильтр с коэффициентом 15 пропускания 0,5 и производилось облучение фотобумаги лазерным импульсом. После этого...

Номер патента: 1331394

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Иванов, Михаленко, Непомнящих, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЭЛЕМЕНТА на основе кристалла фтористого лития LiF с примесью магния, включающий выращивание кристалла из расплава, облучение его ионизирующим излучением для создании центров окраски, отличающийся тем, что, с целью повышения фотоустойчивости рабочих центров окраски и расширения диапазона генерируемых длин волн, кристалл выращивают в инертной или восстановительной атмосфере, а его облучение производят при одной из температур в диапазоне 80 300oС.

Номер патента: 1414266

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Иванов, Иншаков, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: излучения, когерентного, кристалле, лития, фтористого, центрах

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОГЕРЕНТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА F+2 -ЦЕНТРАХ В КРИСТАЛЛЕ ФТОРИСТОГО ЛИТИЯ, включающий облучение кристалла ионизирующим излучением и накачку его излучением импульсных газоразрядных ламп, отличающийся тем, что, с целью повышения энергии излучения путем увеличения концентрации рабочих центров окраски при одновременном упрощении способа, облучают кристалл ионизирующим излучением при температуре 78 243 К.

Номер патента: 1816175

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Панченко, Тарасенко

МПК: H01S 3/097

Метки: импульсный, лазер, поперечным, разрядом

...от генератора накачки. С помощью резонатора 1 формируется лазерное излучение. При разряде газ между алек тродами 3 и 4 нагревается и во все стороны распространяются ударные волны, которые отражаются от боковых стенок рабочей камеры 2 и направляются в верхнюю ее часть, Также перемещение нагретого газа в верх нюю часть рабочей камеры 2 осуществляется за счет конвекции. С другой стороны через сетку в сетчатом электроде 3 газ из верхней части рабочей камеры 2 поступает в разрядный промежуток между основными 45 Формула изобретения ИМПУЛЬСНЫЙ ЛАЗЕР С ПОПЕРЕЧНЫМ РАЗРЯДОМ, содержащий оптический резонатор и цилиндрическую рабочую камеру из диэлектрика, внутри которой расположены два основных электрода, один из которых сетчатый, отличающийся...

Номер патента: 1276207

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Ахвледиани, Иванов, Михаленко, Хулугуров, Шкадаревич

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерной, среды

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ на основе кристалла фторида лития с примесью магния, включающий облучение кристалла ионизирующей радиацией, отличающийся тем, что, с целью получения генерации в области 0,64 0,72 мкм и увеличения срока службы лазера в указанном диапазоне, кристалл облучают при температуре от 196 до 40oС дозами 108 109 P, после чего выдерживают его при температуре 90 100oС в течение 1,5 2 ч.

Номер патента: 1316519

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Вайнер, Зинченко, Иванов, Качан

МПК: H01S 3/036

Метки: лазера, парах, поперечным, разрядная, разрядом, трубка, химических, элементов

РАЗРЯДНАЯ ТРУБКА ЛАЗЕРА НА ПАРАХ ХИМИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ С ПОПЕРЕЧНЫМ РАЗРЯДОМ, содержащая по крайней мере один полый катод, образующий разрядную полость, аноды, рабочее вещество и два концевых участка, каждый из которых включает патрубок и выходное окно, отличающаяся тем, что, с целью увеличения мощности излучения лазера, к патрубкам трубки подсоединен разрядный канал с дополнительными анодами и катодом, при этом рабочее вещество расположено в патрубке между местом подсоединения разрядного канала, ближайшим к дополнительному аноду, и разрядной полостью.

Номер патента: 1028100

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Волкова, Исянова, Князев, Лобанов, Максимова, Щепина

МПК: C30B 17/00, H01S 3/16

Метки: лазеров, оптических, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ на основе монокристаллов фторида лития, включающий выращивание монокристалла на воздухе из расплава исходного материала на затравку путем его охлаждения с последующим облучением монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения лучевой прочности отптического элемента без снижения концентрации рабочих центров, исходный материал берут в виде мелкодисперсных частиц, которые получают предварительным выращиванием кристаллов фторида лития из расплава в вакууме, измельчением их на воздухе и отмучиванием.

Номер патента: 807961

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Лобанов, Максимова

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, лазера, твердотельного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА на основе монокристалла фторида лития с примесями, включающий облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью оптимизации энергетических параметров активного элемента, монокристалл перед облучением ионизирующим излучением подвергают термической обработке в температурном интервале 250 - 450oС в течение не менее 2 ч.

Номер патента: 1031397

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Вайнер, Зинченко, Иванов, Сэм

МПК: H01S 3/036, H01S 3/227

Метки: газовый, лазер, парах, химических, элементов

ГАЗОВЫЙ ЛАЗЕР НА ПАРАХ ХИМИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, содержащий разрядную трубку с электродами, один из которых выполнен в виде полого катода, испаритель с рабочим веществом, нагреватель испарителя и источник напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности мощности излучения лазера, нагреватель испарителя включен между источником напряжения и одним из электродов.

Номер патента: 646729

Опубликовано: 27.08.1995

Автор: Ляшенко

МПК: H01S 3/11

Метки: добротности, лазера, модуляции, резонатора

СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ ДОБРОТНОСТИ РЕЗОНАТОРА ЛАЗЕРА, основанный на внесении потерь в резонатор в начале импульса накачки, отличающийся тем, что, с целью повышения пространственной однородности многомодового моноимпульсного излучения лазера, устанавливают уровень потерь, обеспечивающий возникновение импульса пичковой генерации, и включают полностью добротность резонатора после окончания последнего пичка через отрезок времени, превышающий длительность этого пичка не менее, чем на порядок.

Номер патента: 1362378

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Вайнер, Иванов, Прозоров

МПК: H01S 3/22

Метки: веществ, газовый, лазер, парах, химических

1. ГАЗОВЫЙ ЛАЗЕР НА ПАРАХ ХИМИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ, содержащий разрядную трубку с полым катодом и анодом, подключенными к источнику питания, испарители, в которых размещены по крайней мере два рабочих вещества, нагреватели испарителей, устройства измерения и регулирования давления паров рабочих веществ, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности мощности и обеспечения возможности управления спектром излучения, устройство измерения давления образовано датчиком суммарного давления и датчиком парциального давления, каждый испаритель выполнен в виде двух сообщающихся резервуаров, один из которых сообщен с полостью разрядной трубки, а во втором установлен измерительный электрод, соединенный через переключатель с входом датчика парциального...

Номер патента: 845721

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Иванов, Кузаков, Парфианович, Хулугуров

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО на основе фторида натрия с центрами окраски, отличающееся тем, что, с целью повышения концентрации рабочих центров, излучающих при комнатной температуре, в него введена окись европия Eu2O3 в следующей концентрации 1 10-1 2 10-2 мас.

Номер патента: 1759211

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Сиротинкин, Сытых, Шапиро

МПК: H01S 3/0977

Метки: возбуждения, импульсном, лазере, разряда, электроионизационном

СПОСОБ ВОЗБУЖДЕНИЯ РАЗРЯДА В ИМПУЛЬСНОМ ЭЛЕКТРОИОНИЗАЦИОННОМ ЛАЗЕРЕ, включающий подачу ускоряющего напряжения на ускоритель электронов и подачу напряжения на электроды газоразрядной камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы лазера, после подачи ускоряющего напряжения на ускоритель электронов измеряют ток пучка электронов на выходе ускорителя и ускоряющее напряжение, при этом напряжение на электроды газоразрядной камеры подают при наличии заданных значений тока пучка электронов и ускоряющего напряжения.

Номер патента: 1648226

Опубликовано: 20.09.1995

Автор: Кузнецов

МПК: H01S 3/02

Метки: газовый, лазер

1. ГАЗОВЫЙ ЛАЗЕР, содержащий разрядную камеру, образованную корпусом прямоугольного сечения, оптическую скамью, выполненную в виде двух плит с расположенными на них зеркалами резонатора, жестко соединенных между собой штангами из материала с низким температурным коэффициентом линейного расширения, и элементы крепления оптической скамьи к корпусу разрядной камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности характеристик выходного излучения и упрощения конструкции, одна из несущих плит оптической скамьи прикреплена к боковой стенке корпуса разрядной камеры посредством двух сферических опорных шарниров, один из которых выполнен неподвижным, а другойс возможностью перемещения вдоль боковой стенки корпуса в горизонтальной...

Номер патента: 1769667

Опубликовано: 27.09.1995

Автор: Беломестнов

МПК: H01S 3/22

Метки: газа, газовый, замкнутой, лазер, системой, циркуляции

ГАЗОВЫЙ ЛАЗЕР С ЗАМКНУТОЙ СИСТЕМОЙ ЦИРКУЛЯЦИИ ГАЗА, содержащий размещенные в герметичном трубообразном кольцевом корпусе вентиляторы-теплообменники, выполненные в виде дисков, установленных с промежутками между ними на охлаждаемых валах, оси которых параллельны оси корпуса, и установленные на одной окружности, и электродные системы, размещенные в корпусе между вентиляторами-теплообменниками, отличающийся тем, что, с целью увеличения мощности лазера, в корпусе по окружности, соединяющей оси вентиляторов-теплообменников, установлены дугообразные перегородки, разделяющие корпус на два кольцевых канала, при этом перегородки снабжены гребенками зубьев, которые введены с зазором в промежутки между дисками вентиляторов-теплообменников, а...

Номер патента: 986268

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Григоров, Мартынович

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, активных, варианты, его, лазер, лазера, приготовления, элемент, элементов

1. Активный элемент лазера на основе монокристалла, содержащего центры окраски, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона изменения выходных характеристик лазерного излучения и расширения возможностей управления ими, он выполнен с изменяющейся концентрацией центров окраски в направлении, перпендикулярном к рабочей оси активного элемента.2. Активный элемент лазера на основе монокристалла, содержащего центры окраски, отличающийся тем, что, с целью увеличения диапазона изменения выходных характеристик лазерного излучения и расширения возможностей управления ими, он выполнен в форме цилиндра, а центры окраски в нем имеют градиент концентрации по окружности.3. Способ приготовления активных элементов твердотельных лазеров,...