H01S 1/02 — содержащие твердое активное вещество

Номер патента: 724031

Опубликовано: 15.06.1981

Автор: Кондрашин

МПК: H01S 1/02

Метки: волны, квантовый, парамагнитный, усилительбегущей

...это отверстие, нри,этом волноводный изгиб включен между сигнальным волноводом и согласукаим пере. ходом, а диэлектрический волновод - вторец между водноводом накачки и активным элементом. На чертеже изображен квантовыйпарамагнитный усилитель бегущей волны,в котором диэлектрический волноводсоединен с волноводом накачки черезотверстие в стенке волноводного изгиба,фДиэлектрический вопновод 8 соединен с волноводом 7 накачки через отверстие в широкой стенке волноводного изгиба 9, включенного между согласующим переходом 2 и сигнальным волнова" дом 4.КПУ БВ работает следуищим образам.Сигнал поступает из сигнального волновода 4 в согласующий переход 2 через волноводный изгиб 9. Из перехода 2 сигнал поступает в замедляющую систему 1, где...

Номер патента: 852123

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Лавринович, Мышенко, Смирнова, Черпак

МПК: H01S 1/02

Метки: бегущей, волны, квантовый, парамагнитный, усилитель

...предлагаемого КПУ БВ; на фиг. 2 - схема магнитных силовых линий в замедляющей структуре с невзаимным элементом; на фиг. 3 - схема магнитных силовых линий в замедляющей структуре с дополнительными ферритовыми пластинками; на фиг, 4 - график зависимости коэффициента усиления и полосы усиливаемых частот от величины неоднородности статического магнитного поля.Предлагаемый КПУ БВ содержит замедляющую структуру (см. фиг. 1), представляющую собой периодическую штыревую структуру 1, нагруженную активным кристаллом 2 и невзаимным элементом в виде ферритовой пластинки 3. Элементы 1, 2, 3 размещены на основании 4, которое вместе с крышкой,5 образует корпус замедляющей структуры. Замедляющая структура нагружена дополнительной ферритовой...

Номер патента: 791153

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Брик, Литовченко, Матяш

МПК: H01S 1/02

Метки: возбуждения, мазер

...дефектного тетраздра, в котором атом Б 14+ замещен атомомА Вз+, буквой 1. обозначена кристал лографическая ось второго порядка,буквами А,Б,В,Г - кристаллографические позиции, занятые атомами кислорода, Е - вектор внешнего постоянного электрического поля, р - век тор электрического дипольного момента.На фиг. 2 представлена блок-схемаэкспериментальной установки для регистрации спектров поглощения СВЧмощности; на фиг. 3-12 - графики,подтверждающие наличие у морионафизических свойств, позволяющих использовать его в качестве рабочеговещества квантовых усилителей и генераторов и подтверждающие электродипольную природу этих свойств. Экспериментальная установка собрана по стандартной схеме регистрации спектров ЭПР. Она содержит СВЧ...

Номер патента: 1704205

Опубликовано: 07.01.1992

Автор: Кондрашин

МПК: H01S 1/02

Метки: мазер

...ПостаВлен 11 ЗЯ цель достиГастсл тем, что о КУ, оключаюгций в геГЯ активный кристалл, находящийся В стагическом л 1 лгнитном поле Рс, о кзчсгтое АК использован алскса 11 дрит (Ф ВеО.НСГ ).Кроме того, о пр; дложсннол усилителе АК ориентирован относительно поля Нс таки "1 обрззом, ч 1 о для л 1 обой конкретной частоты С 11 г;1 элэ т"соо.остстгу 1 о цсй члсуоте пс,"вход 1-2, и угла р л 1 ежду крисгзт 1 логра. -0,7 Зб 10 -4,2 10 1 б 10 17 10 4,4 10 По анализу патентной и научно-технической литературы автору не известен КУ. в 15котором в качестве активного кристаллаиспользуется александрит (А 2 Ве 04:Сг ).Кроме того, неизвестен КУ, в котором активный кристалл ориентирован относительное магнитногополя Н таким образом, 20что для любой...

Номер патента: 1764481

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Хасанов

МПК: H01S 1/02

Метки: активного, вещества, квантового, парамагнитного, рабочего, создания, состояния, усилителя

...возможность увеличения параметра 01 А (Ъ)1- 3 1 р эа счет использоваН 2ния ионов второго типа с более высоким Язначением магнитного момента р активного перехода в направлении магнитной составляющей усиливаемойволны. При этом сохраняетея преимущество, заключающееся в возможности концентрационного расширения спектральной полосы. усиления,Предлагаемый способ поясняют фигуры1 и 2, на первой из которых показаны расположение и неравновесные населенности рабочих энергетических уровней, а на второй - соответствующая функция А (ю) активной среды с параметром 1 - 3/2.Изобретение осуществляется следующим образом, Берут кристалл содержащий парамагнитные ионы, например, трехзарядные ионы редкоземельной группы элементов в позициях с аксиальной...

Номер патента: 1720453

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Князьков, Мышенко, Песковацкий, Шульга

МПК: H01S 1/02

Метки: квантовый, резонаторного, типа, усилитель

КВАНТОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬ РЕЗОНАТОРНОГО ТИПА, содержащий помещенный в корпус прямоугольной формы активный кристалл, ограниченный металлическими стенками, одна из которых представляет настроечный плунжер, а две другие противолежащие стенки имеют отверстия связи с волноводами накачки и сигнала, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы и экономичности за счет уменьшения мощности накачки, настроечный плунжер выполнен из трех частей, при этом средняя часть соединена с одним приводом перемещения, а две другие с другим приводом перемещения, все части плунжера установлены в соприкосновении по плоскостям, параллельным широкой стенке волновода сигнала, а противолежащая плунжеру металлическая стенка параллельная широкой стенке волновода...