Мозалис

Номер патента: 769608

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Журавлев, Лукошевичюс, Мозалис

МПК: G11B 5/09

Метки: диски, записи, информации, магнитной, цифровой

...А в регистре сдвига 4. Состояние регистра 4 (В, Г, Д, Е, Ж, 3) в каждом такте анализируется дешифратором 5 и, в зависимости от содержащейся кодовой комбинации, вырабатываются управляющие работой коммутатора 7 импульсы И, К, Л, С центрального выхода Е регистра сдвига импульсная последовательность информации, кроме входа дешифратора 5, поступает на информационный вход коммутатора 7. Синхроимпульсы Б со входа 2 подаются также на вход схемы выработки задержанных синхросерий 6, которая из них вырабатывает три задержанные на величину Ь одна относительно другой синхросерии М, Н и Р. Величина временной задержки Л определяет величину вводимых предыскажений. В зависимости от наличия на управляющих входах коммутатора 7 импульсов И, или К, или...

Номер патента: 649027

Опубликовано: 25.02.1979

Авторы: Журавлев, Лукошевичюс, Мозалис

МПК: G11B 5/09

Метки: воспроизведения, информации, магнитного, носителя, цифровой

...вход синхронизации - к выходу схемы задержки, а выход - к входу второго формирователя импульсов, выход которого подключен к выходу устройства,На фиг. 1 изображена схема устройства; на фиг. 2 - временные диаграммы его работы.Устройство для воспроизведения цифровой информации с магнитного носителя,г ," 649027 формула из)бретекия 7 а 7 аг НИИПИ Заказ 567/48 Тираж 680 Подписное илиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,содержит мгнит)1 ую о",овк 1. 1, Иодкл)оч иную к выходу счетного тоиггсра-успп):ге я записи 2, дифференци ,:1 ьпый ) с:.1 п,1, ус)аТель-Огре)ни итегь 4, фор)и 1),)11 пгсль импульсов 5, схему задержки 6, )иггер 7 и формпровае;ь им ну,ьсо Ь.УстросИ 1) 1): г)О)т с слс: ,10 ц,1 м )Ор)1- ЗОМ.Информаци 5 3311...

Номер патента: 487355

Опубликовано: 05.10.1975

Авторы: Гечяускас, Мозалис

МПК: G01R 21/06

Метки: волноводный, датчик, импульсной, мощности, свч

...СВЧ-энергию материала 5, которым наполнены защитные колпачки 6. Длина полупроводникового бруска превышает ширину волновода, Его концы пропущены в узких стенках волновода. Брусок симметрично расположен на ши. рокой стенке в плоскости, перпендикулярной продольной оси волновода. Находящиеся за пределамц волцовода части бруска с коцтактами помещены в поглощающ Сматериал 5. Один контакт бр кадцу колпачка 6 и с его помо т оскц соединен с волповодом.5 Вынесение контактов бруска за пределыволновода и защита цх поглощающим СВЧ- энергшо материалом практически до нуля снижают напряженность поля СВЧ у контакта. Прц этом цсчезаот параз 11 тцые контакг цыс явления, уменьшается погрешность измерений снижаются т 1 зебован 1 тя и контактам Симметричное...

Номер патента: 482691

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Гечяускас, Мозалис, Репшас

МПК: G01R 21/06

Метки: импульсной, напряженности, свч-поля, электрического

...так, чтобы выполнялось условие 1( Х,/10, где Х, - длина волны в волноводе, Максима.чьная глубина погружения рабочей части чувствительного э,чемента 5 10 15 20 2530(23) ПриоритетОпубликовано 30,08.75,Изобретение относится к СВЧ-технике и может использоваться для измерений импульсных значений напряженности электрического поля, мощности, а также наблюдения огибающей СВЧ-колебаний в волноводах.Известно устройство для измерения импульсной напряженности электрического СВЧ- поля, содержащее отрезок волновода, чувствительный элемент П-образной формы, выполненцый из монокрцсталла, и индикатор.Цель изобретения - повышение точности при увеличении допустимой средней мощности. Для этого на основаниях чувствительного элемента выполнены расположенные...

Номер патента: 467284

Опубликовано: 15.04.1975

Авторы: Гечяускас, Мозалис, Пожела, Репшас

МПК: G01R 21/06

Метки: мощности, свч

...датчик, включающиив себя отрезок во.1 новода 1, полупроводниковый датчик 2 с контактами 3, изолируютцую пластинку 4 и втулку 5, электронный комму татор О, задающий генератор 7, индикаторы6 и 9 импульсной и средней мощностей, а также генератор 10 СВЧ-колебаний,Работа устройства основана на измерениидвух различных видов реакции полупроводника на воздействие импульсно-модулированных колебаний СВЧ.Кристаллическая решетка полупроводника2 обладает значительной тепловой инерцией, 15 и ее средняя температура является функциейсредней мощности импульсных колебаний СВЧ. Контакты 3 чувствительного элемента датчика составляют две, соединенные последовательно, термопары металл-полупроводник, 20 Благодаря тому, что напряженность поляу контакта,...