Кирющева

Номер патента: 1749018

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Бровков, Джагупов, Кирющева, Ядрова

МПК: B25J 13/00

Метки: импульсным, манипулятор, пьезоэлектрический, управлением

...цепях равны, Таким образом, заряд емкости пьезоэлемента ВО Соэ осуществляется постоянным током 1 о/2 через открытый токовый ключ в течение времени Ь.Разряд емкости пьезоэлемента осуществляется постоянно в течение всего периода То ЧЕрЕЭ СОПрОтИВЛЕНИя В 1, й 2.При выборе достаточно высоой частоты управляющих импульсов Тог Т, т, где хэ - постоянная времени цепи заряда, тр - постоянная времени цепи разряда, напряжение на емкости Спэ возрастает постепенно (фиг.2 б), с приходом очередного импульса пьезоэлемент получает новую порцию заряда,Причем ток заряда 1 з постоянен и равен 1 о/2, а ток разряда 1 р определяется напряжением на пьезоэлементе ВО-Ооэ и сопротивлениями йь, В 2, через которые осуществляется разряд В начале процесса заряда...

Номер патента: 1612267

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Джагупов, Ефимова, Кирющева, Пичугин, Сидорчук

МПК: G01P 15/093

Метки: акселерометр

...акселерометра; на фиг. 2 - блок,схема датчика,Акселерометр состоит из источника 1света, фотоприемника 2 пружины 3, жестко,закрепленной на вращающемся объекте 4., К пружине прикреплены инерционная мас, са 5 и биморфный пьезоэлемент 6, которыйгальванически соединен с электродами 7 и,8 жидко кристалл ическо го инди като ра.Электрод 7 имеет зеркальную поверхность,а электрод 8 - полупрозрачен.Устройство работает следующим обра зом.При вращении объекта происходит изгиб пружины под действием инерционноймассы. Деформация пружины передается, пьезоэлементу, при этом на электродах пье ,зоэлемента 6 возникают электрические за, ряды. Образующаяся разность потенциалов, передается на жидкокристаллический инди ,катор, вызывая изменение его...

Номер патента: 1359671

Опубликовано: 15.12.1987

Авторы: Кирющева, Ковалев, Тараненко

МПК: G01B 11/26

Метки: конического, отверстия, размера, углового

...за счет того, что расстояние между экстремумами интерференционной картины вдоль оси конуса больше, чем поперек10. На чертеже привежена схема осуществления способа измерения.На схеме приведены следующие обозначения: АА и ВВ - образующие конического отверстия; в зоне СЕЭР об разуется трехлучевая интерференционная картина; СР - участок, на котором производится измерение расстояния между экстремумами освещенности.Способ осуществляется следующим образом.Производят формирование трехлучевой интерференционной картины в зоне СЕЭР, при этом для каждой точки зоны СЕРР соотношение фаз трех лучей, два 25 из которых получаются при отражении от образующих АА и ВВ, и луча, не претерпевшего отражения от поверхности конического отверстия, является...

Номер патента: 918923

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Кирющева, Рабинович

МПК: G02F 1/19

Метки: мембранный, модулятор, света

...поверхность. Поверх подложки 1 нанесен слой диэлектрика 3 иэ Паклака и металлизированная алюминием полупрозрачная мембрана М из коллодиевой пленки. Толщина металлиозации составляет около 100 А.Модулятор работает следующим обФормула изобретения Составитель Н.МироновТехред И. Тепер Редактор Г. Волков рректор Н.Швыдка 134/ раж 516ственного комитета СССбретений и открытийРаушская наб., д. 4/ 30 ТВНИИПИ Госудапо делам из5, Москва, Жа писное. Филиал ППП "Па нт" жгород, ул. Проектна 3 91892ти мембраны, а частично - от нижнегозеркального электрода.Иытерференция разделенных лучей 6 и 7 дает картину, зависящую в каж-дой точке от разности фаз лучей, отраженных от мембраны и от нижнего электрода. Разность фаз определяется Фазовыми сдвигами,...

Номер патента: 853591

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Кирющева, Рабинович

МПК: G02F 1/19

Метки: cbeta, изготов-ления, мембранного, модулятора, нанесения, пленки

...н возможность металлизации мембраны напылением5в вакууме.Использование способа значительно упрощает технологию изготовления мембранных мо.дуля торов,Брак при изготовлении минимален,Экономический эффект от использованияспособа изготовления мембранных матричныхмодуляторов света с количеством ячеек 32 х 32составляет ориентировочно 50 руб. на каждыймодулятор. При изготовлении мембранного модулятора на пластину из кремния с управляющими электродами наносили слой диэлектрика, в котором методами фотолитографии делалась перфорация в виде матрицы круглых отверс. тий. При. этом отверстия перфорации расположены над управляющими электродами.Для изготовления мембраны был взят раст. вор коллодия, представляющего собой ЗУоный раствор...