G01B 7/18 — G01B 7/18

Номер патента: 1705695

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Борткевич, Дайчик, Поднебеснов

МПК: G01B 7/18

Метки: динамической, тензорезисторов, характеристики

...по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 ность результатов испытаний тензорезисторов с малыми базами.Цель изобретения - обеспечение достоверности результатов испытаний тензорезисторов с малой базой путем уменьшения времени нарастания переднего фронта волны деформации.Поставленная цель достигается тем, что в известном способе определения динамической характеристики тензореэисторов, заключающемся в определении времени реакции на ступенчатую волну деформации, возбуждаемую в образце с тензорезисторами разрушением одномерного элемента, установленного в кинематической цепи нагружения образца, в образце со стороны соединения...

Номер патента: 1717946

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Володин, Иванов, Каминский, Сосов

МПК: G01B 7/16, G01B 7/18

Метки: тензорезистор

...авторами живучестьмоносульфида самария на стекле в бетоне(фиг.,1). Именно в контакте с силикатнымстеклом, с одной стороны, и с.бетоном, сдругой, этот полупроводниковый материалпроявил наибольшую стабильность электрического сопротивления, что позволило избежать защитных покрытий,На фиг. 1 представлена зависимостьэлектросопротивления предлагаемого тензорезистора, помещенного в бетоне, от времени; на фиг. 2 - датчик локальныхобъемных напряжений в бетоне в условияхбыстроменяющихся температур, выполненный на основе предлагаемого тензорезистора; нэ фиг. 3 - график зависимостиобъемного напряжения от температуры вбетоне.Тензореэистор содержит тензочувствительный слой 1, контактные площадки 2,термопару.3, токовводы 4, подложку 5.. Нэ фиг, 3...

Номер патента: 1717948

Опубликовано: 07.03.1992

Автор: Якунин

МПК: G01B 7/18

Метки: головка, импедансная

...в сторону увеличения измеряемых сил, что достигается введением цилиндрического упругого элемента, выполненного за одно целое с фланцем и играющего роль силового шунта по отношению к датчику силы, и выполнением датчика силы в виде четырех силоиэмерительных узлов, окружающих упругий элемент.На фиг. 1 представлена импедансная головка, продольный разрез; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг, 1,Импедансная головка содержит, цилиндрический упругий элемент 1 с выполненными эа одно целое с ним двумя расположенными на одной оси симметрии фланцами 2 и 3 с резьбовыми узлами 4 и 5 крепления, один иэ которых, например узел 4, выполнен. полым, датчик б виброускорений, установленный внутри полого реэьбового узла 4 крепления, четыре консольно закрепленных...

Номер патента: 1717949

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Бутов, Демаков, Кручинин

МПК: G01B 7/18

Метки: тензорезистора, термокомпенсации

...линейного расширения тенэорезисторов и. материала компенсационнойпластины, что приводит к погрешностям измерения деформаций,Целью изобретения является повышение точности измерения за счет исключенияиэгибных термодеформаций компенсационной пластины с компенсационным тензорезистором.Поставленная цель достигается тем, что- согласно способу термокомпенсации тензорезистора, заключающемуся в том, что накреивают активный тензорезистор наисследуемое изделие и компенсационный тензорезистор на одну сторону ненагружаемой компенсационной пластины, подвергаемой температурной деформации,численно равной температурной деформа 5 ции исследуемого изделия, измеряют сопротивление тензорезисторов и вычитаютиз сопротивления активного тензорезистора...

Номер патента: 1721435

Опубликовано: 23.03.1992

Автор: Решетилов

МПК: G01B 7/18

Метки: гребня, железнодорожного, забега, касания, колеса, рельса

...тензодатчиков и учитывают скорость движения колеса по рельсу. 6 ил. Способ осуществляется следующим образом.На шейку железнодорожного рельса с обеих сторон наклеивают по два.датчика так, чтобы их продольные оси чувствительности находились в одной плоскости, пер ааайпендикулярной продольной оси. рельса.Одну пару датчиков наклеивают в зоне со Я пряжения шейки с головкой рельса (фиг, 3, ь й 1 а и Й 1 б) и включают эти датчики в смежные ф)ь плечи тензометрического моста (фиг. 6). (Д Вторую пару датчиков наклеивают на шейку (Л рельса на уровне нейтральной оси и включают датчики в противоположные плечи второго тензомоста (фиг, 3 и 6, йга и В 26)Сигналы с выходов мостов подают нагальванометры светолучевого осциллографа и регистрируют на...

Номер патента: 1740987

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Гармошкин, Голубцов, Егоров, Клюев, Сатунина

МПК: G01B 7/18

Метки: высокоэластичных, деформаций

...выполнено в виде жестких планок, установленных с возможностью поворота вокруг оси опорной ножки и фиксации в заданном положении. На фиг. 1, 2 изображено устройство для измерения деформаций высокоэластичных материалов, общий вид; на фиг. 3 - разрез А-А на фиг. 2.Устройство содержит жесткие планки 1, 2 и 3, измерительные ножки 5, б и 8 с установленными на них тензорезисторами 4, опорную ножку 7 с игольчатым узлом 10 крепления и игольчатые узлы 9 крепления измерительных ножек,Устройство для измерения деформаций высокоэластичных материалов работает следующим образом. 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Устройство устанавливается на исследуемый материал с предварительной ориентацией жестких планок вдоль структурных линий материала. Установка...

Номер патента: 1651633

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Бурка, Горбунов, Гундар, Титаренко

МПК: G01B 7/18

Метки: взаимодействия, колеей, колесной, параметров, пары, рельсовой

...колея, вид спереди; на фиг. 2 - то же, вид сверху;на фиг,3 - схема размещения датчиков на шейке рельса; на фиг.4 - график регистрируемых сигналов; на фиг,5 и 6 - схемы включения датчиков.Способ заключается в том, что на шейке одного рельса 1 размещают датчики 2-7 для измерения вертикальных и горизонтальных сил. (Датчики 2, 3. 6, 7 - для измерения вертикальных сил, датчики 4 и 5 - для измерения горизонтальных сил), Датчики размещают в одной плоскости, включая их в мостовую схему, Приводят во взаимодействие колесную пару 8 и рельсовую колею (рельсы 1 и 9) в месте размещения датчиков. Регистрируют сигналы с датчиков 2-7. устазобретение относится к иэмерительхнике и может быть использовано для ения параметров взаимодействия ной пары с...

Номер патента: 1753255

Опубликовано: 07.08.1992

Автор: Кацнельсон

МПК: G01B 7/18

Метки: пьезорезистора

...напряжений в чувствительном элементе при измерении деформации, позволяют также улучшить равномерность нагружения чувствительного элемента, однако не обеспечивают полной равномерности. Это обусловлено тем, что упругие накладки в(57) Изобретение относится к технике измерений неэлектрических величин электрическими методами, Цель изобретения - повышение качества пьезорезистора эа счет улучшения равномерности нагружения при измерениях, Способ изготовления пьезорезистора заключается в том, что чувствительный элемент с металлическими обкладками, выводными проводами и оболочкой упругого изолируют от опорных плоскостей, при этом изоляцию осуществляют путем намотки с зазором на оболочку слоев синтетической пленки, края которой...

Номер патента: 1760389

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Зубов, Лебедева, Харченко, Шевчук

МПК: G01B 7/18, G01L 1/22

Метки: градуировки, измерительной, испытательном, оснащенном, силозадающим, системы, стационарно, стенде, тензометрической, установленной, устройством

...системы 4 путем подкл 1 очения датчика 2 черсз линии связи 11 к входу измерительой системы 4, воздейстия на датчик эталонными натру:1 кями, задаваемыми с(И 1 а 1+Ь, Овх,М 2=-ж+ Ь 2 О вх 45 где ОУ, - выходной сигнал имитатора 3;М 1 - результат измерения входных сигналов измерительной системой градуировочного стенда;К, - результат измерения входных сиг налов силоиэмсрительным каналом измерительной системы испытательного стенда;а 1 и Ь 1 1=1,2) - коэффициенты функцийпреобразования соответствующих измерительных систем. 55 Ь 1Откуда Р=фа 1 г 4)+ - 182-а 2 Д - грддуиЬгровочная характеристика силоизмерительного канала измерительной системы ИСПЫтЯТРЛЬНОГО СтЕНДа. помощью силозадающего устройства 1, измерения сигналов датчика и...

Номер патента: 1762113

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Горячих, Дружинин, Заикин, Кашлев, Черторыжский, Шавер

МПК: G01B 7/18

Метки: деформации, полосы, прокатываемой, ширине

...выполнены в виде динамометров и размещены на дисках, каждая втулка закреплена на соответствующей ступени вала, диски закреплены на наружных поверхностях втулок, количество дисков, закрепленных на каждой втулке, выбрано не менее двух, динамометры, размещенные на соседних дисках, установлены с постоянным угловым смещением друг относительно друга, и излучатель закреплен на торце вала на его оси.На фиг,1 изображено устройство, общий вид; на фиг,2 - блок-модуль измерительных секций. Измерительные секции 1 содержат шесть, выполненных через 60 градусов, окон для размещения датчиков силы.Повышенная податливость балочек 2 обеспечивает практически полностью передачу усилия Р со стороны полосы на жесткий пьезоэлектрический датчик силы 3. До...

Номер патента: 1762114

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Белослюдов, Черткова

МПК: G01B 7/18

Метки: детали, закрепления, тензорезистора

...покрытие таким образом, чтобы оно не перекрывало подслой клея, после чего выдерживают деталь с тензорезистором на воздухе 2-3 сут до перехода герметика в резиноподобное состояние.Основным компонентом герметика, оебспечивающим высокие диэлектрические свойства, не меняющиеся даже в очень влажной среде, является полиизобутиленовый каучук, вследствие малой сорбции кау.-, чуком воды, В качестве гидрофобной составляющей используют вакуумную смазку. Содержание битума определяет величину липкости герметика,Герметик представляет собой вязкую тягучую черную массу. Сохраняет жизнеспособность в герметично закрытой таре в течение 6 мес. Составляющие компоненты недефицитны и нетоксичны,Использование клея на основе триизоцианатфенилметана,...

Номер патента: 1763879

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Баржанский, Дудкин

МПК: G01B 7/18

Метки: тензометр, электромеханический

...измерения деформаций или напряжений при сохранении съемной, малогабаритной и технологичной конструкции электромеханического тензометра.Эта цель достигается тем, что в известном устройстве для измерения линейных деформаций тензобалка выполнена в виде пластины, изогнутой по дуге, соответствующей одной четверти окружности, а прямолинейные участки тензобалки, предназначенные для ее крепления на рычаге и основании, ориентированы по касательной к смежным участкам дуги.На фиг,1 показан разрез тензометра; на фиг.2 - то же, вид сверху с частичным вырывом и разрезом.Электромеханический тензометр состоит из корпуса с основанием 1, в котором укреплен неподвижный опорный элемент 2 и в угловую прорезь которого установлена 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50...

Номер патента: 1768944

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Еремин, Матлахов, Царева

МПК: G01B 7/18

Метки: проволочного, тензометра

...наложением верхней изоляционной подложки и соединением ее с ниж ней, а закрепление тензорешетки и соединение подложек производят при температуре размягчения связующего и давлении, не вызывающем деформирование тензорешетки.Способ осуществляется следующим образом,Предварительно на центрифуге при строго определенных режимах формируют изоляционную подложку путем нанесения на отожженную стеклоткань марки 31-25 (толщиной 25 мкм) слоя связующего определенной вязкости, При атом равномерность толщины изоляционной подложки получается не хуже 5 мкм,Тензорешетку из тензопроволоки (диаметром 30 мкм) формируют с помощью намоточного станка с опускающимися иголками на изоляционной подложке и фиксируют ее на подложке при температуре размягчения...

Номер патента: 1768945

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Золотухин, Санников, Селиванов, Филиппов

МПК: G01B 7/18

Метки: деформации, образцов, плоских, поперечной, тензометр

...образца, силы упругости, прижимающие опоры к образцу, уменьшаются по линейному закону, и опоры могут вообще терять контакт с образцом. Чтобы этого не происходило, необходимо увеличивать предварительное натяжение прижимающих элементов, что приводит к увеличению внедрения опор в тело образца, в свою очередь, приьодит к необходимости увеличивать площадь контакта с образцом, а это ведет к увеличению весадатчика и т.д.Целью изобретения является повышение точности измерения путем обеспечения стабильности контактного давления в зоне опора - образец,Для достижения поставленной цели опоры выполнены в виде двух ферромагнитных пластин, намагниченных в противоположной полярности и предназначенных для установки на противоположные стороны образца, и...

Номер патента: 1772593

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Великопольский, Звонцов, Шаповал

МПК: G01B 5/30, G01B 7/18

Метки: инструмента, отверстий, перемещений, растачивании

...и достигаемому аффекту к изобретению является способ измерения перемещения инстру-. мента при растачивэнии отверстия, при. котором тензобалки попарно закрепляют под углом 90 друг к другу в двух сечениях и располагают параллельно продольной оси инструмента,Недостатками способа являются сложность привода вращения трубы и невозможность полного устранения возмущающего воздействия, например биение роликов люнета, на процесс измерения перемещений инструмента и как следствие недостаточная точность измерения.Целью изобретения является повышение точности путем непосредственного измерения углового перемещения и исключения влияния радиальных биений расточной головки.На чертеже представлено устройство для осуществления данного...

Номер патента: 1772605

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Капустин, Кесарийский

МПК: G01B 7/18

Метки: деформации, регистрации

...б и 5 10 15 203035 В торце держателя 1 закреплена подложка 4, выполненная из материала с высокой теплопроводностью, например, из меди. Внутри подложки размещен нагреватель 5, например, электрическая спираль,Поверхность подложки 4, на которой размещается регистрирующий материал (термопластик) б, выполнена полированной,На обратной стороне подложки 4 выполнены радиальные ребра 7. Между ребрами 7 на поверхности подложки 4 установлен тепловой выключатель 8, например, биметаллическая пластина с контактом.Для закрепления регистрационного материала 6 на подложке 4, применен фиксатор 9, установленный на держателе 1 с зазором по отношению к опорному стакану 10, Внутри держателя 1 на пилонах 11 установлен вентилятор 12, обеспечивающий...

Номер патента: 1776981

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Глотова, Иванченко, Мирошниченко, Мурзина

МПК: G01B 7/18

Метки: измерительное, тензометрическое

...является повышение точности за счет исключения влияния на выходной сигнал устройства измененийсопротивления вспомогательной линиисвязи. Указанная цель достигается тем,что тензометрическое устройство, содержащее тензометрический мост, источник стабилизированного тока, шины которого соединены питающими линиями связи с диагональю питания тензометрического моста, дифференциальный усилитель, инвертирующий и неинвертирующий входы которого соединены измерительными линиями связи с вершинами измерительной диагонали тенэометрического моста, и резистор обратной связи, один конец которого соединен вспомогательной линией связи с той вершиной измерительнойдиагонали тензометрического моста, с котррой соединен инвертирующий вход дифференциального...

Номер патента: 1776982

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Королев, Маршалко, Юрайдо

МПК: G01B 7/18

Метки: датчика, детали, закрепления

...соединение его с металлом детали за счет образования совместных окислов соединяемых материалов. Так, на тщательно очищенной от окислов поверхности детали из титана при электролизе связующего состава образуются окислы титана и кремния Т 102+ 902 в виде тонкой, золотистого цвета пленки, прочно скрепленной с поверхностью титана. Поскольку пленка содер. жит окись кремния 3102, являющуюся основой жидкого стекла Иа 290 з, на ней прочно закрепляются связующий, а затем и защитный слой, состоящий из жидкого стекла и цемента,Способ закрепления датчика на детали, в частности, изготовленной из титана, осуществляют следующим образом. На очищенную поверхность детали наносят, например, кисточкой смесь, приготовленную из двух частей жидкого...

Номер патента: 1778511

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Сутырин

МПК: G01B 7/18

Метки: деформаций, конструктивных, нагруженных, предварительно, элементов

...последовательность импульсов, поступающих с генератора импульсов 12, в цифровой код, схемыразрешения 11, пропускающей импульсы сгенератора импульсов 12 на вход двоичногосчетчика 10 при наличии на входе разрешения разрешающего сигнала с выхода компаратора 8.Генератор калибровочного напряжения1, опорный элемент 4 и генератор импульсов 12, при реализации многоканального устройства, могут быть общими для всехизмерительных каналов.Состояние устройства перед началомпроведения измерения: двоичный счетчик 10 обнулен и на его вход импульсы с генератора импульсов 12 не поступают; на входе цифроаналогового преобразователя 9 (а следовательно и на инвертирующем входе дифференциального усилителя 7) напряжение компенсации отсутствует; падение...

Номер патента: 1783288

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Касаткин, Кравченко, Смирнов, Тюрин

МПК: G01B 7/18

Метки: напряжений, остаточных

...электронной измерительной системы мод.76503 - 01 (" Микрон - 02") на образец при перемещении измерительного наконечника.Устройство содержит основание 1, на котором закреплена стойка 2, оснащенная механизмом перемещения. например в виде винтовой передачи, состоящей из ходового винта 4 и гайки-каретки 5, В ращательное движение ходового винта 4 преобразуется в поступательное движение каретки 5 вдоль стойки 2, На каретке 5 установлена подвеска 6, предназначенная для закрепления зажима 7 и измерителя деформации 8 с иэмерительным стержнем 9 и наконечником 10, В качестве измерителя деформации 8 может быть использован индуктивный преобразователь электронной измерительной системы мод. 76503 - 01 (" Микрон - 02"), На подвеске...

Номер патента: 1783289

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Миодушевский, Назаров, Парфенов, Подборонов, Соколов, Якушин

МПК: G01B 7/18

Метки: измерительное

...на базе микроэлектронных средств серий 564, 590, 140. Конкретно: коммутатор 26 может быть построен на базе микросхемы 590 КН 6, аналогично на базе уже двух микросхем 590 КН 6 может быть построен коммутатор 25. Блок 24 как и блок 27 может быть выполнен10 15 20 25 30 35 трансформаторов 3 и 4, являющихся индуктивной Нагрузкой МДП транзисторов 1 и 2. 40 45 50 55 на базе двух операционных усилителей серии 140 каждый, Фазовый демодулятор 28 может быть построен на микросхеме серии 590 КН 4, ключевой элемент 30 - на микросхеме серии 590 КН 9, усилитель мощности 32 - на МДП транзистора 2 П 901, стабилизатор 34 - на базе стабилитрона КС 814, стабилизатор 32 - на базе микросхемы 142 ЕН 6, а управляемый стабилизатор напряжения 36 -на базе...

Номер патента: 1783290

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Стяпин, Цапулин

МПК: G01B 7/18

Метки: наклейки, образец, тензорезистора

...на слое клея образец с ним помещают в герметичную жесткую камеру, выдерживают при 15- 15 35 С в течение 30 - 40 мин, вакуумируют камеру до давления 1,33 Па, заполняют ее инертным газом; избыточное давление прикладывают путем повышения давления газа в камере до давления (4-8) 10 Па, нагре вают газ в камере до 190-210 О, измеряют. иподдерживают постоянным давление . газа, а термообрабатцвают образец путем выдерживания его при постоянных давлении и температуре газа в течение 2-3 ч. 25 На чертеже изображено устройство дляосуществления предлагаемого способа.Устройство состоит из источника сжатого газа 1, вентиля для подачи повышенного 30давления 2; манометра для измерения давления 3, камеры 4, термопары 5, приборадля регистрации...

Номер патента: 1805283

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Стяпин, Цапулин

МПК: G01B 7/18

Метки: наклейки, тензорезистора

...тензорезистора, предварительно прижатого к детали с помощью эластичного элемента, заполненного сжатым газом, при достижении температуры испарения летучих компонентов клеевого слоя кратковременно на регламентированный интервал времени сбрасывают избыточное давление газа в эластичном элементе, обеспечивая тем самым активный выход летучих компонентовиз клеевого слоя, 1 ил. элемента 3, заполняемого сжатым газом, - анапример, от баллона высокого давления, О Сборку деталь - , ензорезистор - эластичный элемент помещают в термокамеру и с задан- у ным темпом нагревают до заданной температуры, При достижении температу-ры, равной температуре испарения летучих компонентов используемого клея, на регламентированное время сбрасывают избыточное...

Номер патента: 1820200

Опубликовано: 07.06.1993

Автор: Попов

МПК: G01B 7/18

Метки: деформации, конструкций

...датчиков - относительно линий минимальной, кривизны. Для плоской поверхности линиимаксимальной и минимальной кривизныпроходят произвольные по поверхности, вчастности, они могут быть взаимно ортогональиы,Тензометрические датчики могут бытьвыполнены в виде отрезков тенэочувствительного микропровода, например, констаитанового или нихромового иразмещаться на внешней поверхности конструкции 3 или закрепляться на его внутренней поверхности, например, межслойной впроцессе изготовления конструкции 3,Многоканальный регистратор 4 можетбыть выполнен, например, в виде электронно-вычислительной машины, имеющей возможность приема и обработки аналоговойинформации, или по схеме, изображеннойна фиг,2, Он содержит усилители 5, переключатели 6...

Номер патента: 1825965

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Гривков, Орлицкий, Пенявский

МПК: G01B 7/18

Метки: деформаций, образца, ударных

...питания 8 подается напряжение на плечи моста 1. Поскольку рабочий тензорезистор 2 моста приклеен к образцу, 1825965при .воздействии удара на образец на тензореэистор через клеевой слой поступает сигнал какой-либо формы, например, прямоугольный. Такой прямоугольный сигнал иэ-за полэучести клеевого слоя искажается и превращается в трапециевидный, График амплитудно-частотного искажения сигнала представлен кривой на фиг, 2. Так как обычно тензорезисторы применяют для регистрации деформаций, не превышающих 0,2 (в линейной области), то данный график справедлив для сигналов любой произвольной формы, Для коррекции погрешности необходимо в смежное плечо включить корректирующее устройство, имеющее аналогичную частотную характеристику. Это...

Номер патента: 1827534

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Каримов

МПК: G01B 7/18

Метки: кристаллов, тензочувствительности

...К =(Ьй/йой, где Во - начальное значение сопротивления кристалла, При этом исследуют ряд кристаллов, имеющих следующие геометрические размеры: длина = 0,6-1,0 мм (в направлении оси Х),ширина Ь = 0,2 - 0,4 мм(в направлении оси Е), толщина б = 0.10-0,15 мм (в направлении оси У), Параметр и/б лежал в интервале 1,5-4,0, На фиг, 3 (график 1) приведена зависимость Ьй( а )/Во для одного из кристаллов, По результатам измерения К на всех кристаллах строится график зависимости К (и/б) (фиг. 4), который затем экстраполируют в область значений (и/б) - з.О и получают точное значение Ко = 7,1 при (Ь/б) = О, что является непосредственно экспериментально недостижимым.П р и м е р 2. В отличие от примера 1 измерения проводят на кристаллах...

Номер патента: 1835044

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Журавлев, Иващенко, Коваль, Патлай, Сычев, Ткаченко

МПК: G01B 7/18

Метки: закрепления, объекте, тензорезистора

...ее напыляют металлический слой, который соединяет ее с объектом, этот металлический слой выполняют толщиной более одного микрона, а соединяют его методом пайки.П р и м е р. Тензорезистор фиксируется с помощью клея на внешней стороне изоляционной подложки, выполненной, например, иэ картона, На внутреннюю сторону подложки напыляют металлический слой толщиной более микрона и затем методом обычной пайки (свинцово-оловянистым приЫ 1835044 АЗ ОБ ЗАКРЕПЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИА ОБЬЕКТЕретение отосс к тензометрии и ть использовано при закреплении стора на объекте. Цель изобретеышение надежности закрепления спользования метода пайки, По- обеспечивается напылением на тенэорезистора металлического иной более одного микрона с пом припаиванием его к...

Номер патента: 1835045

Опубликовано: 15.08.1993

Автор: Дубровин

МПК: G01B 7/18, G01N 3/18

Метки: испытания, низких, прочность, температурах

...Б. Дляфиксации кронштейна 12 в определенномположении служит винт 15, Управление работой двигателя 13 осуществляется с помощью концевого выключателя 16;Двигатель установлен на неподвижномкронштейне 17, жестко связанном с базовой плоскостью (фланец 2),Второе плечо рычага 8 снабжено грузоприемной призматической опорой 18, на которой подвешено груэоподъемноеусгройство 19 с гирями 20, Вертикальныйход рычага 8 ограничивается винтом-арретиром 21,Устройство работает следующим образом,Образец 5 помещают в криостат 3. Приналожении гирь 20 на грузоподьемное устройство 19 через рычаг 8 на образец 5 передается усилие растяжения Р, котороесоздает линейную деформацию образца.При этом активная силовая тяга 6 перемещается вверх в направлении,...

Номер патента: 1835046

Опубликовано: 15.08.1993

Автор: Дубровин

МПК: G01B 7/18

Метки: градуировки, низких, температурах, тензорезисторов

...в котором размещен криостат 2 с жестко закрепленной пассивной тягой 3 в виде опорной З 5 трубы, установленный в криостате чувствительный элемент 4, на внешней поверхности которого установлены тензорезисторы 5, а один из концов которого связан с пассивной тягой, механизм нагружения с активной силовой тягой б, соединенной с другим концом чувствительного элемента, и отсчетный узел (не показан), регистрирующий выходной сигнал тензорезисторов.Механизм нагрукения снабжен шлице вой втулкой 7, установленной на торце пассивной тяги с возможностью поворота относительно ее оси посредством упорного подшипника 8, шлицевым валом 9, установленным во втулке коаксиально ей с возмож ностью перемещения вдоль ее оси иповорота относительно оси, гибким...

Номер патента: 1838754

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Кузнецов, Фадин

МПК: G01B 7/18

Метки: давления, датчик

...кремния с опорным осн ванием и контактной площадкой и соедин нный с ней токовывод, снабжен р змещенным на опорном основании мемб аны изоляционным слоем, медной плас иной, закрепленной на изоляционном 1838754 АЗими концами на медной пластине 4, закрепленной на изоляционном слое 5. По электрической оси Х пьезоэлемента 2 нанесены контактные площадки 6 с токовыводами 7. На мембрану 1 нанесена контактная площадка 8 с токовыводом 9, а к металлической игле 3 подключен токовывод 10.Датчик давления работает следующим образом фиг.2). В исходном состоянии конец металлической иглы 3, обращенный в сторону мембраны 1,устанавливается на малом расстоянии (от единиц до сотен ангстрем) от кремниевой мембраны 1. Если теперь приложить напряжение порядка...