Способ магнетронного напыления

(55 С 23 С 14/ ГОСУДАРСТВЕННЫПО ИЗОБРЕТЕНИЯПРИ ГКНТ СССР ОМИТЕТОТКРЫТИЯМ нститут АН БССР инский, С.О,Сели ых частиц и соудаававшимся слоем с энерпао межатомвести к локальному кр аз аваытия с обр га графита , либо сних льнага соп, ес ещяа отивявляется повыше- процесса и качестышения алмазной ким по техсоб погуче, принятыи у в качествесан или дру ержащие га м способакрытий пр гие углеродсо Недостатк ы получениянятаго заьный ра алма- ротобрас зван- апряэтом,запад тип я ых значите й эл значен ный ис жения польз разл К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ МАГНЕТРОННОГО НАПЫЛНИЛ Изобретение относится к области металлизации в вакууме и может быть использовано для получения алмазаподобных покрьггий на керамике, стекле, металлах в машиностроительной, приборостроительной и электронной промышленности.Получение алмазападобных покрытий может быть достигнута известным способом катодного распыления графита при низком давлении инертных газов (Ркрипто а=1010 Га) и низкой темпегратуре (менее 100 К) осаждения атомов графита,Иэ известных наиболее бл ической сущности является с ия алмазападабных покрыт а прототип, согласно которо еагента используется циклогектросопротивления, выванием ускоряющего нчных значений, При 1772217 А 1(57) Использование: область вакуумно-плазменной технологии и может быть использовано в машиностроительной, приборостроительной и электронной промышленности. Сущность изобретения: для осаждения углерадной пленки алмазоподобного типа распыляют углеродную мишень в скрещенных электрическом и магнитном полях и осаждают поток с плотностью частиц, превышающей плотность остаточной атмосферы инертного газа, и их энер: иеи, не превышающей 7-10 э Б. ускорение конденсируем рение их с ранее образ энергией, превышаашей ных связей способно при изменениа строения па нием структурносвобадн тественна, либо разброс значений плгпности и уд ленив,Целью изобретения ние производительности ва покрытий за счет по вфазы,Поставленная цель достигается тем, что для повьнвения производительности процесса и качества покрытий за счет повышения их плотности до значений сравнимых с плотностью природных минералов, конденсацию осуществлюот в скрещенных магнитном и электрическом полях непрерывным патокам атомарной фазы углерода с плотностыа превышающей плотность остаточной атмосферы камеры и с энергией конденсации не превышающей 7-1 О эВ, причем температура подложки не превышает1(72217 ОСТДРИт 851(. Ь Г 3" ГТВХрЕг Ь",УГ)Г 851)дКС рааТор О. Кравцсва Реда(стар Здказ 3317 И г д г ПодписноеВНИИ) И Га:,)дйрстБВн)Оскоми ) О изабо 6 те(и)тм и Открытиям паи Г)г(Т СССР1 1,"1035, Цасквд, Ж-ЗБ, Р;) нская ндб 4,р 5 П)раизвадственнздд 8 льс ий как)г)дтГ,атен, Г, У)кгапод, рл". Вои)д, 101 тЕМПЕРатУРУ РаВНаВВСИЯ гИСтеМЫ ГРЭфИТ- ар)маз,Предлагаемый способ имеет следу(ощи 8 отличительные признаки 3 срдь 1811 ии с прототипом, Во-первых, предлагаемый способ исключает процесс диссс цидции цикла гексана либо других используемых углеводородов для формирования покрытия, что обеспечивает стабильность процесса и исключает гдзонасыщ)ение покрытия,Во-вторых, использование нейтральной атомарной фазь) повышает кантролируемасть процесса напыления зд счет искл(о(8- ния п)роцессав деиОнизации нд падла)ске Г(ри подаче потенциала смеецения,Ц,-ТРВ 1 ИХ СНИжвние ЗНВРГ(1 И 1, а(1,181.(СД Оии с)ТС)МОВ у Лврагд гг) (дЧВНИИ р,Р М".Н Ь 1 ИХ Л 1 С) 1)ДВ)Ч 1.Х ЗНВР 1 И СВЯЗ 1 ДТО 1 "ОБ у( Л С- О О 1В ( О ) Ы Т и и, а б В С П 8 (И В д С) Г С) С) П М г(" равд 11 ИО окрыВ ия В с)Ояия:, пр 15)р(и)1(811- НЫХ К РДВ 1 ОБВСН11,В"(етвер(ь(х ьч:.:кд 5 плотность сс)н- ДВНСИРуеМЫХ ДТОМОЕ). СО 13 В(СР 111 Д 51 С П)г)Т-)ОС 1 1.Ю ОстдтОЧайтмосф(.Р 1, иг клГ)чде. и раЯВП 81118 с)дсарбции и Оимгс 1(ых атак(ОВ В ПаСРЫТИВ.Укдзс)н(ые п)131 д(сг( ОбесГ)ачиВВОт ми- Н(1 МВ 51 Ь 1 ае 1(СКД,)СОН(8 Ст)lс УЬ 1 3 КР)",: максимал 1).о энеасиа ПОВВООсО( :д" Т 5 ук НИ 51 и С:;:,С)8 ЛДЕ)нг)8 ИСКРС.:, Д," Вег; - г(ГНОГ), РВР г; НО.", г;ДгьА г -Д,(И; ГС. - :,Примгрг 11,; ре)О О, 1;н; 1,Изобретение осуществляется следующим образом, Стеклянные либо стальные подложки закрепляли Аротально в серийной установке УРМ, 3,279.048. Катод-ми (рень Графитс)вый, Расстояние Откатода-мишени до подложки 200 мм, Питание магнетрана осуществляли источником со стабилизацией мощности разряда 0=500 В, 1=1,5 А), После осуществления операции 10 очистки в плазме тлеющего разряда проводили ндпьление подложек. Остаточное давление Газов В каме йе для напылени 51 составляла (2:ь 0,5) 10 1 Па. Остаточное давление обеспечивало снижение знергии кан денсации частиц да 7-10 эБ, Достигнутаяпроизводительность составляла 300 Армин, Плотност 1(ондансдтз ОпределЯемдЯ ОентГОНО г)Д 1)ВС(И, СОСТВЛ 5 ЛДО 2 Гу Сг 1л Оканчнии п)ацесса напыления тамГ 3- 20 рдт рд подложки не превыВдлд комнатную,сао)рмулд изобретания Спс.соб мдгнетроннага напыления,Вгл ОЧДВ Ий РДСП ЫЛВ(ие УГЛВРОД (сй МИШЕИ В Сг,С)ВЦВННЫХ ВЛВКТрИЧВСКОМ И МдНИТ 25;)гМ Г)ар)ВХ И ОСВ;Кде)Ие ОТОКдРДСПЫРВННОГО МДТВРИДРД НД (10 ДЛО)КК О Т" л и ч д (О 1 ц и Й с яавы сания качества плеак путем увел)чения сагсерукд.иг д музОЙ фдзе,., агд;(Д 8118