Газоразрядная матрица для полупостоянного запоминающего устройства

Номер патента: 362350

Автор: Басалыга

ZIP архив

Текст

рованных поверхностей, являющихся, например, катодами диодов тлеющего разряда, расположенных по обе стороны от электрода 2. Так как в цепи ячейки имеется резистор для ограничения тока, то тлеющий разряд не может быть одновременно на обоих диодах одной запоминающей ячейки ввиду того, что при зажигании разряда на одной половине ячейки напряжение на электроде 2 падает до величины, меньше той, которая требуется для зажигания разряда на второй половине ячейки. С целью записи информации лицевая пластина б закрывается светотрафаретом, который представляет собой фотопленку или перфокарту, и освещается лампой-вспышкой. В зависимости от положения окна на светотрафарете освещается участок металлизированной поверхности по одну или другую сторону от электрода 2 в каждой запоминающей ячейке накопителя. Под влиянием интенсивного освещения металлизированная поверхность, находящаяся под окнами светотрафарета, испускает электроны, которые, вызывая ионизацию газа, возбуждают тлеющий разряд, несмотря на то, что напряжение смещения, подаваемое на диоды, ниже их напряжения зажигания. Поскольку все ячейки разделены друг от друга диэлектрическими полосками 8, то влияние ячеек друг на друга через освещение окна светотрафарета отсутствует. В газоразрядной матрице могут быть использованы и другие формы индивидуальных электродов и не сплошная прозрачная пластина б, а пластина, выполненная из светочувствительного темно- окрашенного стекла с двумя прозрачными окнами на каждую ячейку (остальной материал пластины в этом случае должен иметь намного менее прозрачную структуру). При такой конструкции лицевой пластины устраняется опасность засветки участков, расположенных рядом с выбранной запоминающей ячейкой, через толщу прозрачного материала.Верхние металлизированные поверхности 8 подключены непосредственно к источнику смещения 9, а нижние металлизированные поверхности 10 к источнику смещения 9 через электронныйпереключатель 11.Предположим, что если в запоминающей ячейке тлеющий разряд имеет место между электродом 12 и верхней металлизированной5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 поверхностью 8, то это равносильно тому, что в запоминающую ячейку записан код О, если тлеющий разряд имеет место между электродом 12 и нижней металлизировапной поверхностью, то в запоминающей ячейке находится код 1. При выборке определенного слова в накопителе соответствующая нижняя метал- лизированная поверхность 10 подключается к шине 18 нулевого потенциала на 50 - 200 исек.Подключение одной из выбранных нижних металлизированных поверхностей 10 на время, не превышающее 1 мк/сек, к шине нулевого потенциала, не ведет к выключению тлеющего разряда и, следовательно, к стиранию информации в запоминающих ячейках, хранящих код 1 по этому адресу, так как для этого необходимо время около 100 лк/сек. При выборке определенного слова в режиме считывания в результате закорачивания одной из шин 14 на шину 13 ячейки, хранящие код 1, изменяют ток в шинах 14 на величину, равную их статическому току, что фиксируется нагрузочными резисторами 15, которые другими контактами подключены к шине нулевого потенциала 1 б. Предмет изобретения 1. Газоразрядная матрица для полупостоянного запоминающего устройства, содержащая запоминающие ячейки, представляющие собой последовательное соединение диода тлеющего разряда и резистора, связанные адресными и разрядными шинами, отличающаяся тем, что, с целью увеличения надежности, она содержит керамическую пластину-основание с впаянными в нее рядами электродов, вдоль которых расположены диэлектрические полоски с металлизированными поверхностями; дополнительные вводы, впаянные в пластину-основание на концах диэлектрических полосок, каждый из которых соединен с металлизированной поверхностью одной полоски, и лицевую стеклянную пластину и рамку, соединенные с пластиной-основанием.2. Матрица по пункту 1, отличающаяся тем, что, с целью улучшения оптических свойств, лицевая пластина выполнена из светочувствительного темноокрашенного стекла с двумя прозрачными окнами на каждую ячейку.

Смотреть

Заявка

1646527

В. Ф. Басалыга

МПК / Метки

МПК: G11C 11/26

Метки: газоразрядная, запоминающего, матрица, полупостоянного, устройства

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-362350-gazorazryadnaya-matrica-dlya-polupostoyannogo-zapominayushhego-ustrojjstva.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Газоразрядная матрица для полупостоянного запоминающего устройства</a>

Похожие патенты