Мучак

Номер патента: 1377253

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Молочко, Мучак, Раков, Соловей, Шалимо

МПК: C03C 29/00

Метки: металлостеклянных

...при 65-70 С, т.е.формируют внешний вид проходногоизолятора, При этом шликер подается втребуемые места под давлением, в результате уменьшается вероятность образования незаполненных объемов,вследствие чего повышается надежностькорпуса.Шликер может быть приготовлен из87 мас.Х .стеклянного порошка, раэмолотого в шаровой мельнице в течение16 ч, 12,5 мас.Х парафина и 0,5 мас.Холеиновой кислоты.После охлаждения сформированногоузла последний подвергают термообработке для удаления технологическойсвязки,При последующей термообработке проводят формирование спая, а также геометрических размеров проходного изолятора, Удаление связки производят на воздухе при постепенном подъеме температуры от комнатной до температуры спекания черепка, которую...

Номер патента: 1375588

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Ермоленко, Карпович, Котов, Лавринович, Мучак, Тихонов

МПК: C03C 3/14

Метки: легкоплавкое, стекло

...коэффициента линейного расширения стекла для обеспечения его согласованности с керамической подложкой.Составы стекол приведены в табл.1.физико-химические свойства стекол 15 приведены в табл.2.Шихта состоит из материалов ква" лификации ч и чда. Варку стекол осуществляют в корундизовых тиглях емкостью 0,05 дм в электрической печи с силитовыми нагревателями с выдержкой в течение 10 мин при максимальной температуре варки (1273 К) до полного удаления газообразных;продуктов и достижения гомогенизации расплава. Отливку готовой стекломассы произ водят на формовочную подложку. Стекла отжигают при 673 К в муфельной элек" трической печи в течение 60 мин..,Йспользование описываемых стекол позволяет получить стекловидные покрытия в нейтральной...

Номер патента: 898524

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Галунов, Гальперин, Голосов, Климкович, Мучак, Храмцов

МПК: H01G 4/00

Метки: конденсатор, тонкопленочный

...1 выполнена выемка 5, например50 х 50 мкм, с глубиной по высоте канавокдо нижней обкладки 3, По краю выемки 5размещен дополнительный слой диэлектрика 6,например из фоторезиста. Дополнительный слойдиэлектрика 6 отделяет контактную площадку 7, которая образована меньшей частью верхнего проводящего слоя от большей части проводящего слоя, которая служит верхней обкладкой 8 конденсатора, перекрывающей всюплощадь канавок в подложке, Помимо этогодополнительный слой диэлектрика 6 служитдля защиты порошкообразного диэлектрического слоя 4 от внешней среды. Расстояниемежду контактной площадкой 7 и верхнейобкладкой 8 должно быть не менее чем на2 мкм ширины дополнительного слоя диэлектрика 6,При изготовлении тонкопленочного конден.сатора в подложке...

Номер патента: 517198

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Воронкина, Кирсанова, Колосов, Коренева, Мучак, Оноприенко

МПК: A61K 38/08, C12N 5/00

Метки: антибиотика, противогрибкового

...четыреххлористого углерода (9:1) при соотношении кулвтуральной жидкости и растворителя 2:1. После разделения сепарированием или центрифугированием объединенный экстракт упаривают в вакууме на роторном испарителе при температуре не выше 30 С до объема 150- 200 мл. Выпадающие при этом кристаллы белого или бледно-розового цвета отделяют Фильтрованием, Получают 0,8 г кристаллического продукта с содержанием 90 по весу антибиотика.П р и .м е р 2, Кристаллизацию очищенного препарата, полученного по примеру 1, осуществляют из смеси бенАнтибиотик имеет формулу Н НСо НВ СОМИеОН Ме К Мв НС 1 Иф и 1.т, С 02%Ие Формула изобретения- М еаза - МеЬеп - ОН,Составитель Г.СмирноваТехред С,Мигай Корректор И.Демчик Редактор Л.Письман Заказ 785 В/1 Тираж 67(...