Патенты с меткой «проводимостью»

Номер патента: 1205063

Опубликовано: 15.01.1986

Авторы: Биржанов, Векслер, Орлова, Тонконогов

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, значительной, куметрами, потерь, проводимостью, радиочастотах, релаксационной, составляющей, тангенса, угла, удельной, электрической

...что,с целью получения достоверных результатов измерения, вычисляют 1 Ьсри, изменяя параметры индуктивногодатчика, добиваются выполнения условия1205063 полнения условия Е 10,е нер помо можн тчиыполне де обеспечить ка уменьш или исполь я коэ ения, разна аемость; рами ными диа Составитель .СорокинаТехред С.Мигунова Корректор В,Бутяг Редактор А.Лежнина каз 8523/4 Тираж 747 ВНИИПИ Государственного комитета ССС по делам изобретений и открытий 035, Москва, ЖРаушская наб., д, одписное филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,Изобретение относится к определению электрических свойств материалов а именно тангенса угла диэлектрических потерь.Способ осуществляют следующим образом.Исследуемый материал помещают в индуктивный датчик резонансного...

Номер патента: 1206819

Опубликовано: 23.01.1986

Автор: Герасимов

МПК: G06G 7/24

Метки: закону, логарифмическому, проводимостью, управляемой, элемент

...от относительной длительности 9 управляющего широтно-импульсного сигнала имеет вид Сц+ Сгзц+тгФзС 5)С, С СъС 35 1 ф 1(гфсь) го импульсно-управ,- ляемых резисторов,ь С, Св - проводимости резисторов соответственНО первого и второ Составитель Н. Фирсов Редактор П. Коссей Техред Т,убинчак КорректоР С, ШекмарЗаказ 8716/52 о Тираж 673 Подписное ВНИИПИ Государственного. комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Филиал ППП "Патент" г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может найти применение в устройствах автоматического управления и регулирования, в системах и устройствах, где необходимо дискретно-аналоговое преобразование сигналов,Цепью изобретения является...

Номер патента: 886672

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Гуле, Климовская

МПК: H01L 29/86, H01L 47/00

Метки: дифференциальной, отрицательной, полупроводниковый, прибор, проводимостью

...ностным полем: носители заряда одного знака вытягиваются на геометрическую поверхность, носители другогознака удаляются от нее. Когда к пластине вдоль ее поверхности прикладыЗ 0 вается электрическое поле, то в этомполе возникает добавочная поляризация флуктуации в направлении поля.Концентрация свободных носителейзаряда, локализованных на геометри/ческой поверхности при условии, чточастота захвата носителей больше частоты выброса .(практически все носители, вызвавшие флуктуацию, захватились поверхностными центрами), независит от координаты или же в области флуктуации меньше, чем за ее пределами.Тогда ток, создаваемый носителями,локализованными на геометрической по 45 верхности, за пределами флуктуацииравен886672 Редактор С.Титова Техред...

Номер патента: 1211761

Опубликовано: 15.02.1986

Авторы: Герасимов, Рохленко

МПК: G06G 7/12

Метки: проводимостью, управляемой, элемент

...673 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может найти применение в устройствах автоматического регулирования и управления, винформационно-измерительных системахи устройствах, где необходимо выполнение функционального дискретноаналогового преобразования сигналов,а. в частности оно может испольэоваться в фармацевтической, химической,пищевой и других отраслях промьппленности, в устройствах анализа дисперсных систем-эмульсий и суспензийс различными параметрами.Цель изобретения - повьппениеточности,На чертеже приведена функциональная схема элемента с...

Номер патента: 1233178

Опубликовано: 23.05.1986

Автор: Герасимов

МПК: G06G 7/12

Метки: проводимостью, управляемой, элемент

...переменному току, что позволяет в установившемся режиме рассматривать только средние значенияих проводимостей и пренебречь пульсациями напряжения на первом и второмсглаживающих конденсаторах 5 и 6.Так, первый сглаживающий конденсатор 5 обеспечивает развязку по переменному току второго импульсно-управляемого резистора и третьего масштабного резистора 15, второй сглаживающий конденсатор 6 - развязку первого и третьего импульсно-управляемыхрезисторов, а также внешней по отношению к второй сигнальной шине элемента с управляемой проводимостьюцепи,Значение проводимости элемента:р - , (2)2где 1 - ток, поступающий во внешнююцепь со стороны второй сигнальной шины 13;,ц - средние значения напряженийна первой и второй сигнальных шинах 12 и...

Номер патента: 1267438

Опубликовано: 30.10.1986

Автор: Герасимов

МПК: G06G 7/12

Метки: проводимостью, управляемой, элемент

...1 = й - ц ) С О (3) 50 выходное на.пряжение повторителя 12, которое при единичном коэффициенте передачи равно напряжению на конденсаторе 9;проводимость резистора 6импульсно-управляемого ре"зистора 2. где 116(7)Сб на них в сравнении с уровнем входногонапряжения элемента, поступающегона информационный вход 17, можно пренебречь. Благодаря такому предпопожению в пределах практически допустимой погрешности Функционированияэлемента импульсно-управляемые резисторы 1-4 можно считать "развязанными" по переменному току. Это 1 О обстоятельство позволяет в установившемся режиме рассматривать толькосредние значения их проводимостей,а также средние значения напряженийна сглаживающих конденсаторах 9-11.15 Значение передаточной проводимости элемента...

Номер патента: 1275750

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Миронов, Смолов

МПК: H03M 1/00

Метки: проводимостью, управляемой, элемент

...преобразователь 4 кодав ток в течение времени с, пока первый ключ 6 замкнут, определяется выражением 1 с +с И+с Н =(с 1,+с 1,И+й М ) с.К моменту времени с токи 1, и Е заряжают усредняющий конденсатор 5 до величины=-(й,+с 1, 11+й 11 ) (Ь+с)-.,первый ключ 6 размыкается, а второйключ 7 замыкается.Ток Т на выходе второго квадратичного преобразователя 4 кода вток, равный сумме тока разрядногоусредняющего конденсатора 5 и тока1 опрецеляется выражением21=(й +й Ю+й Н )(Ь+с -),о Т Так как этот ток коммутируется спомощью второго ключа 7, то егосреднее за период значение 2 1=(й +й К+й В)(Ь+с -,)(1- -")= о 1 2Т Т 2 .-2Как видно из полученного выражения, предлагаемый элемент позволяет воспроизводить полиномиальную функцию двух переменных, одна из...

Номер патента: 1307465

Опубликовано: 30.04.1987

Автор: Герасимов

МПК: G06G 7/12

Метки: проводимостью, управляемой, элемент

...ключей 14 импульсно-управляемых резисторовБлагодаря этому вустановившемся режиме можно рассматривать только средние значения эапериод ШИН-сигнала проводимостей импульсно-управляемых резисторов. Конденсатор 9 обеспечивает развязку попеременному току элемента в целоми внешней по отношению к нему цепи.30 Значение проводимости элемента Для функцииу=в 1.п -112(х) (5), являющиеся соответствейно полюсами функции К ,ь (х) 50 =1 /КЗр,(х); Х =-4,0622, Хр=3,652210Х =1,8641,10" - вычеты функции К 2/ (х) соответственно в полюсах 55При х= 8 из соотношений (1), (3)(6) к управляющим входам последовательносоединенных второго и третьего импульсно-управляемых резисторов, первый сигнальный вывод первого импульсно-управляемоГо резистора черезпервый...

Номер патента: 1334164

Опубликовано: 30.08.1987

Автор: Дорух

МПК: G06G 7/12

Метки: проводимостью, управляемой, элемент

...выходе операционного усилителя 20;С - проводимость импульсно-управляемого резистора из масштабного резистораи ключа 6.Учитывая, что ток через второйсглаживающий конденсатор 11 в установившемся режиме равен нулю, суммарный входной ток операционного усилителя 20 равенВт = Хп.с, (3)где С. - проводимость импульсно-управляемого резистора.Проводимости (т,е, сопротивления)первого 1, второго 2, третьего 3,четвертого 4 и пятого 5 масштабныхрезисторов выбираются одинаковыми и1равными С,Поскольку операционный усилитель20 имеет достаточно высокое входноесопротивление, то проводимость импульсно-управляемых резисторов равна(4) (5) (6) Сэ С сСВ=С,=С ВВ р где 8, - скважность второго сигналасомножителя со входа 16;6 - скважность первого...

Номер патента: 1295975

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Александров, Бойко, Ломтатидзе, Подрезов

МПК: H01L 47/00

Метки: дифференциальной, нелинейный, отрицательной, проводимостью, элемент

...Государственного комипо делам изобретений и3035, Москва, Ж, Раушская исное та СССР крыти 5 еск изводственно-полигр едприятие, г.ужгород, ул.Проек 4 Изобретение относится к приборам сотрицательным объемным сопротивлением и может быть использовано вэлектро- и радиотехнических устройствах различного назначения, в част 5ности в ограничителях постоянного илипеременного тока, модуляторах, атакже в качестве реле систем управления, датчиков теплового и светового потоков и т дЦелью изобретения является управление критическим током нелинейногоэлемента.На фиг,1 изображен нелинейный элемент в виде трубки; на фиг,2 - то же,в виде кольца.На фиг,1 и 2 приведены следующиеобозначения: рабочая часть - 1, нагреватель - 2, теплопровод - 3.В...

Номер патента: 1469430

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Тибилов, Томилов, Томилова

МПК: G01N 27/46

Метки: катионам, металла, проводимостью, твердых, щелочного, электролитов, электропроводности, ячейка

...см. В электродные камеры помещены жидкие обратимые электроды 5 и 6 из литияили литнйсодержащего сплава на основе галлия Сац 1 и металлические токо- подводы 7 и 8 из вольфрамовой проволоки для присоединения ячейки к измерительному прибору 9.Приводят измерения электропроводфности твердого электролита 8=1 ЛАМО при температурах 200, 300, 400, 500ои 600 С, при которых электроды 5 и 6 находятся в жидком состоянии. 10 При измерениях на п ременном токе, к ячейке от измерительного прибора 9 прикладывают переменное напряжение заданной частоты в интервале 10- 10 Гц и фиксируют значения активной и реактивной составляющих импеданса ячейки. Из графИка частотной зависи" мости реактивной и активной составляющих импеданса ячейки находят элект...

Номер патента: 1539963

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Мерзлов, Ширяев, Эйрих

МПК: H03F 3/60

Метки: двухполюсниках, настройки, отрицательной, проводимостью, синхронных, усилителей

...соответственно на частотах м)Р 1 и Ф, при различных значениях амплитуды напряжения другой частоты.С увеличением амплитуд напряжений Ч и Ч величина средней прово,димости днухполюсника с отрицательной проводимостью на каждой из частот ы и ы, уменьшается, и при достижении значений амплитуд Ч = Ч и1 11 Ч = Ч, (Аиг. 2 и 3) суммарная проводимость на частоте ыстановится равной нулю (1 Г,1 = С ,) и дальнейший рост амплитуды Ч прекращается, На частоте ы, суммарная проводимость остается отрицательной (1 С )) С, так как С р ( С , и амплитуда напряжения Ч продолжает расти, однако при этом величина средней проводимости Сч 1 продолжает уменьшаться, и при Ч) Ч , суммарная проводимость на частоте ь, станоа 1 вится положительной и амплитуда...

Номер патента: 1555779

Опубликовано: 07.04.1990

Авторы: Баранников, Габриэлянц, Голубев, Гордеев, Капустин

МПК: H02M 1/08

Метки: выключения, ключевого, отрицательной, проводимостью, термоэмиссионного, элемента

...блок 7 управления и нагрузку 8, причем источник 3 питания минусовым выводом соединен с одним выводом нагрузки 8, второй вывод ко" торой соединен с плюсовым выводом источника 3 питания через последователь 25 но соединенные датчик 2 тока и ТКЭ и ОП 1, параллельно цепи из датчика 2 тока и ТКЭ и ОП 1 подключена цепь, состоящая из последовательно соединен. ных дросселя 5, вспомогательного ключевого элемента 4 и вспомогательного источника б напряжения, при этом минусовый вывод вспомогательного источника напряжения соединен с нагрузкой и катодом ТКЭ с ОП 1, а плюсовый вывод - с анодом вспомогательного ключевого элемента 4. Кроме того, выходы блока 7 управления соединены с управляющими электродами ТКЭ с ОП 1 и вспомогательного ключевого...

Номер патента: 1599874

Опубликовано: 15.10.1990

Автор: Галкин

МПК: G06G 7/20

Метки: проводимостью, управляемой, элемент

....системах иустройствах, где необходимо выполнять нелинейные дискретные преобразования сигналов.Цель изобретения - повышение точности за счет повышения порядка воспроизводимой рациональной функции,На чертеже приведена функциональная схема элемента с управляемой проводимостью,Элемент с управляемой проводимостью содержит первый. сглаживающийконденсатор 1, первый 2 и второй 3информационные выводы элемента с управляемой проводимостью, первый 4,второй 5, третий 6 масштабные резисторы, первый 7 ключ, второй 8 сглаживающий конденсатор, второй 9 ключ,третий 10 ключ, четвертый 11, пятый-12 и шестой 13 масштабные резисторы,третий 14 и четвертый 15 сглаживающиеконденсаторы управляющий вход 16элемента с управляемой проводимостью,Элемент...

Номер патента: 1610476

Опубликовано: 30.11.1990

Автор: Риффель

МПК: G05F 1/44

Метки: активного, потребитель, проводимостью, управлением, цифровым

...ключей 6,Величина потребляемого тока определяется текущими значениями входного напряжения и суммарного сопротивления,образованного набором резисторов 4,Подключение того или иного наборарезисторов 4 осуществляется с помощью управляемых ключей 5 и в зависимости от поданного на них двоичногокода с выходов запоминающего регистра 15. Напряжение с датчика 2 тока,пропорциональное двухполупериодновыпрямленному потребляемому току,поступает на инвертирующий вход суммирующего усилителя 6, На неинверти"рующий вход этого усилителя подаетсянапряжение задания зондирующего сигнала с входа управления устройства,соответствующее требуемой амплитудепотребляемого тока. Полученная арифметическая разность этих напряженийс выхода суммирующего усилителя 6...

Номер патента: 1629264

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Александров, Борисова, Тверьянович

МПК: C03C 3/32

Метки: ионной, проводимостью, стекло, халькогенидное

...материалове птическим халь неи и среди Максимально прозрачным в широком интервале длволн, которые находят применение лия в этих вышьет макс рида натрия в различных оптически в частности в оптичес дах для медицинских и Целью изобретения ширение области прозр Указанные стекла птроист ах,их волндругихвляется е ормула и Халькогенидное роводимостью, нк хлорид щелочног и ч а ю щ е е с обр текло ности.учают пр ючающ мета мым синтез серы и хло рованных к германи м из галлия,ида калия в е ку те вакууми ах. Ва 00 С в асти лью расширения обв качестве хлоридсодержит КС 1 принии компонентов,арцевых пу щелочледующас.Е; 26 стекол производят и оотнош чени К,7-37,9 4,1-20,2 26,7-36,2 16,9-31,3 х стекол кретные сост войства представлены в таблице Как...

Номер патента: 1636797

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Вайткус, Лякас, Пранайтис

МПК: G01R 27/26

Метки: емкости, зашунтированной, проводимостью

...объекта и элемента с регулируемой ДП, управляемого напряжением (фиг.2), приводит к следую щим выражениям для эквивалентных значений измеряемой емкости Сэкв и проводимости О,экв.С, - эквивалентаня емкость элемента (ДП) при установленном напряжении смещения;Оэ,экв - эквивалентная дифференциальная проводимость элемента (ДП) при установленном напряжении смещения.Для элемента с регулируемой ДП, управляемого напряжением, значения.Сэ,экв и Оэ,экв ОПрвдЕЛяЮТСя ВЫражЕНияМИ Сэ,экв(1 + йэ Бэ-В 1.э Сэ) +СО (1 эбэ+йэ Сэ) где Оэ - эквивалентная дифференциальная проводимость элемента (ДП); в - круговая частота; Йэ - паразитное сопротивление элемента (ДП);Ь - паразитная индуктивность элемента (ДП);Сэ - эквивалентная емкость элемента (ДП).Анализ...

Номер патента: 1675237

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Пестов, Петровых, Шишкина

МПК: C03C 3/066

Метки: проводимостью, стекло, электронной

...а затем полученные заготовки отжигают в электрическом муфеле при температуреС в течение 0,5 ч. Пластинчатые электроды необходимых размеров получают из заготовок путем механической обра 5 О, 1675237 А 1 пользования в основном в качестве электродов искровых счетчиков, применяемых в ядерной физике высоких энергий. С целью повышения проницаемости стекла для электронных пучков и у -квантов стекло содержит, мол; 3 Ог 35,0-45,8, ВгОз 16,3-24,5, РегОЗ 10,5-13,5, АгОЗ 1,6-2,4, ЛпО 11,8- 16,7, СаО 11,2 - 14,8. Проницаемость стекла 21 25-21 37 Гр/см; электропроводность 3 .10 -2 10 Ом см; 19 Тч 9,5-10,2 Ом см; диэлектрическая проницаемость 7,3: химическая устойчивость не нижекл; ТКЛР (57-62) 1 О град, 1 табл,ботки (резки, шлифовки и полировки)....

Номер патента: 1715725

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Байдаков, Борисова, Гутенев, Оркина, Тверьянович

МПК: C03C 3/32

Метки: ионной, проводимостью, стекло, халькогенидное

...галлия, германия, серы и фгорида натрия в вакуумираванных кварцевых ампулах, Варка стекол производилась при температуре до 1100 С в течение 7 ч, Мерой величины 3 является толщина образовавшегося в результате контакта с водой поверхностного слоя стекла с пониженной по сравнению с объемом концентрацией щелочного металла,(54) ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ СТЕНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ(57) Изобретение относится к полифункциональным стеклам, С целью повышения устойчивости к воздействию влаги стекло имеет следующий состав, мас, О/О: галлий 5- 45; германий 10-50; сера 30-50; фторид натрия 1-20. Показатель неустойчивости стекла 005-5,2 мкм, ионная проводимость (10 -10 ) Ом .см, 1 табл. В таблице приведены конкретные примеры стекол и их свойства.Как видно из таблицы,...

Номер патента: 1734193

Опубликовано: 15.05.1992

Автор: Шкатов

МПК: H03K 3/281

Метки: отрицательной, проводимостью

...в частности в кабельных автогенераторах, Целью изобретения является повышение широкополосности безувеличения динамического сопротивления. Устройство с отрицательной проводимостью содержит два транзистора разного типа проводимости, резистор отрицательной обратной связи, эмиттер первого транзистора соединен с выходной шиной устройства, через соединенные последовательно резистор и цепочку диодов с базой первого транзистора, эмиттер второго транзистора соединен с второй шиной устройства. 1 ил. рого транзистора 2 соединен с ной 7 устройства,Устройство работает следующ зом.При питании его от источника кающего в вывод 4 и величине которой падение напряжения на р недостаточно для отпирания транз формируется растущий участок В зистор 2...

Номер патента: 1737469

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Бондаренко, Войтенко, Резниченко

МПК: G06G 7/62

Метки: моделирования, нелинейных, односторонней, проводимостью, электрических, элементов

...соответственно, входу, вторые выводы первогорвого и второго С целью расширения функциональных возмасштабных резисторов являются входом и можностей за счет моделирования характевыходом устроиства соответственно отли- ристик нелинейных элементов сч а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения 40 односторонней проводимостью с углом по- функциональных возможностей за счет мо- ворота от - 90 до +90 введены третий и делирования характеристеристик нелинейных четвертый 4 сумматоры, первый 7, второй 8, элементов с односторонт о носторонней проводимо- третий 9, четвертый 10 и пятый 11 умножистью с углом поворота от - 90 до+90, ввве- тели напряжения, вход устройства подклюдены третий и четвертый сумматоры, 45 чен к первому входу первого...

Номер патента: 1739402

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бодров, Виноградова, Зотов, Серов

МПК: H01L 29/06

Метки: полупроводниковая, полупроводниковой, проводимостью, структура, структуры

...отрезок ВС). Причем по сечению структуры плотность тока не одинакова: в зоне шнура она значительно больше, чем в других сечениях, При увеличении напряжения питания происходит ростдиффузионного потока дырок к границам шнура,Рекомбинация с носителями тока (электронами) в шнуре увеличивается, ток шнура уменьшается, напряжение на структуре увеличивается, начинается процесс разрушения шнура тока. Однако при этом напряжение на структуре увеличивается и при достижении некоторого значения напряжения О (фиг.2) процесс разрушения шнура тока (у его границ) приостанавливается, рекомбинировавшие электроны вновь активируются полем при напряжении на структуре О 1, начинается новый процесс ударной ионизации и шнур тока расширяется до первоначального...

Номер патента: 1825767

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Морозова, Попов, Тихонов

МПК: C04B 35/50

Метки: высокоогнеупорный, ионной, материал, проводимостью

...свойства образцов при раввинна теьетератураи Спи КиО(ь) 600 К 1200 К 1400 К3(с сн )( с ион(,") Г(сн сн с ион(т-:)1 б(Сн сн) с ион(2) 24 1 5 83 2 7 67 5,0 10 2, 2 1 05,8 1 О 2 1, 7 1 О 2 3 210 3 4,2 10 3 1, 3 1 О 1,1 С1,3 1 С2,0 1 С2,7 10 1 О 56 44 32 3 Е 2 5 3 Е 78 4 24 36 12 2 С 3 Е 36 5 23 40 6 20 46 29 33 98 Псототип б "Оепьнзи пооапйинпть обазиз ,ион - и ннаа попа от обцей провоаиности щие значительной величиной удельной проводимости и стабильным значением ионной доли проводимости в интервале температур 700-1600 К.Согласно предварительным исследова ниям, были выбраны вышеприведенные интервалы концентраций оксидов РЗЗ, позволяющие получить материалы, обладающие кубической или моноклинной структурой. Концентрация оксида...

Номер патента: 1838318

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Емельянова, Лопатина

МПК: C07F 7/28

Метки: 3-тригидроксипропаном, 4-дигидроксипропил)титана, гидроксотетракис(окси-3, декан-1, добавок, медикаментозных, обладающего, проводимостью, тетракоптан, тизоля-комплекса, транскутанной

...Т 2,31.Найдено: по 1,4780ИК-спектр вещества получен аналогично по примеру 1, содержит характеристические полосы валентных и деформационныхколебаний всех основных групп атомов (м,см ): 3380 (ОН), 1042 (Св С-Н перв.);1110 (Св С-Н втор.); 990, 1042, 1110(ассоциир, связь Т 1-0"С); 1640 (Н-ОН); 2930,2882 (С-Н); 1220 (СН 2).П р и м е р 3, К 72,99 г (0,793 моль)глицерина при перемешивании порционнодобавляют 19,24 г (0,057 моль) тетрабутоксититана. Отгоняют образующийся бутиловыйспирт в постепенно увеличивающемся вакууме до 5 - 10 мм рт.ст. и температуре 60110 С; К остатку в количестве 75,46 гприливают при перемешивании порционно39,70 г подкисленной (рН 3,5) воды (весовоесоотношение вода;остаток 1:1,9) и нагревают при 30-60 С и...

Номер патента: 1653433

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Бурмакин, Смольников, Шехтман

МПК: G01N 27/416

Метки: проводимостью, рубидий-катионной, твердый, электролит

ТВЕРДЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТ С РУБИДИЙ-КАТИОННОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ, содержащий оксид трехвалентного металла, оксид четерехвалентного металла и оксид рубидия, отличающийся тем, что, с целью снижения удельного сопротивления, он содержит в качестве оксида трехвалентного металла оксид железа (III), а в качестве оксида четырехвалентного металла диоксид германия при следующем соотношении компонентов, мол.Fe2O3 20 55GeO2 5 30Rb2O Остальное

Номер патента: 1530033

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Баталов, Зелютин, Обросов

МПК: H01M 6/18

Метки: литийкатионной, проводимостью, твердый, электролит

Твердый электролит с литий-катионной проводимостью, содержащий оксид лития, оксид бора и стеклообразующий оксид, отличающийся тем, что, с целью повышения термодинамической устойчивости, в качестве стеклообразующего оксида взят оксид бериллия и компоненты взяты при следующем соотношении, мас. %:Li2O - 33 - 39BeO - 57 - 66B2O3 - Остальное

Номер патента: 1619980

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Бурмакин, Шехтман

МПК: H01M 6/18

Метки: проводимостью, твердый, цезий-катионной, электролит

Твердый электролит с цезий-катионной проводимостью, содержащий оксид трехвалентного металла, диоксид титана и оксид цезия, отличающийся тем, что, с целью снижения удельного электросопротивления, в качестве трехвалентного металла взято железо при следующем соотношении компонентов, мол.%:Оксид железа - 15 - 55Диоксид титана - 5 - 30Оксид цезия - Остальное

Номер патента: 913869

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Бурмакин, Степанов, Шемякина, Шехтман

МПК: H01M 2/16, H01M 6/18, H01M 8/10 ...

Метки: источника, калий, катионной, проводимостью, твердый, химического, электролит

Твердый электролит для химического источника тока с калий-катионной проводимостью, содержащий окись калия, окись титана и окись трехвалентного металла, отличающийся тем, что, с целью снижения удельного электросопротивления, в качестве окиси трехвалентного металла взята окись железа при следующем соотношении компонентов, мол.%:Fe2O3 - 25 - 45TiO2 - 5 - 25K2O - 45 - 55

Номер патента: 1258263

Опубликовано: 20.02.2002

Авторы: Горбатюк, Грехов, Коротков, Яковчук

МПК: H01L 29/74

Метки: обратной, переключения, проводимостью, тиристора

Способ переключения тиристора с обратной проводимостью из прямого блокирующего состояния управляющим импульсом обратного анодного тока с последующим приложением импульса прямого нагрузочного тока, отличающийся тем, что, с целью уменьшения энергии управляющего импульса, перед приложением импульса прямого нагрузочного тока прикладывается дополнительный импульс прямого анодного тока, при этом заряды, вносимые токами управляющего и дополнительного импульсов, удовлетворяют условиямQ1 + Q2 = (10 - 15)Qкр,где -...

Номер патента: 1570580

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Гудков, Махов

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсоновского, непосредственной, перехода, проводимостью

Способ изготовления джозефсоновского перехода с непосредственной проводимостью, включающий последовательное нанесение на подложку в едином вакуумном цикле сверхпроводящей пленки нижнего электрода, аморфной полупроводниковой пленки, легирование ее до вырождения на всю толщину атомами материала верхнего электрода, нанесение сверхпроводящей пленки верхнего электрода и формирование площади перехода методами тонкопленочной литографии, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров переходов, нанесение аморфной полупроводниковой пленки осуществляют в режимах, обеспечивающих относительную атомную плотность материала пленки не менее 5%, а нанесение сверхпроводящей пленки...