Способ получения поликристаллической заготовки
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 695061
Автор: Худяков
Описание
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что воздействие ионизирующими излучателями осуществляется электронами энергией 1 - 50 МэВ.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что воздействие ионизирующими излучателями осуществляется гамма - квантами.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что всестороннее сжатие заготовки осуществляют под давлением 100 - 100000 кг/см2.
Заявка
2529249/02, 08.08.1977
Институт химии Дальневосточного научного центра АН СССР
Худяков А. В
МПК / Метки
Метки: заготовки, поликристаллической
Опубликовано: 10.09.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-695061-sposob-polucheniya-polikristallicheskojj-zagotovki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения поликристаллической заготовки</a>
Предыдущий патент: Пьезоэлектрический материал
Следующий патент: Способ подготовки лома свинцовых аккумуляторов к металлургической переработке
Случайный патент: Устройство для моделирования квазиотрицательного сопротивления