Патенты с меткой «локальных»

Номер патента: 1464725

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Безрук, Киселев, Киселева, Куликов, Сахарова, Федотов

МПК: G01V 3/08

Метки: выделения, локальных, неоднородностей

СПОСОБ ВЫДЕЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ, включающий измерение электромагнитного поля, возбуждаемого горизонтальным электрическим диполем, отличающийся тем, что, с целью увеличения разрешающей способности и повышения производительности, электромагнитное поле возбуждают неподвижным источником поля с линией АВ, длина которой LAB 3lа, где lа линейные размеры мешающих локальных неоднородностей вблизи источника поля, измерения выполняют в интервале времен Hмин Sмин

Номер патента: 1783911

Опубликовано: 20.08.1995

Автор: Каликов

МПК: G01N 1/28, G01N 21/62

Метки: анализа, лазерным, локальных, методов, отбором, приготовления, проб, эталонов

1. СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЭТАЛОНОВ ДЛЯ ЛОКАЛЬНЫХ МЕТОДОВ АНАЛИЗА С ЛАЗЕРНЫМ ОТБОРОМ ПРОБ, включающий приготовление порошка, измельчение его, добавление элементов примесей и воздействие на полученную смесь давлением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества эталонов и снижения трудозатрат, на полученную смесь воздействуют давлением 13 16 кбар в 2 3 цикла, осуществляют лазерное воздействие энергией 0,02 0,03 Дж при плотности потока 0,5 105 1 105 Вт/см2, а затем энергией 0,6 0,65 Дж при плотности потока 1,5 ...

Номер патента: 1316488

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авдеев, Гантман, Колмакова, Матвеев, Пащенко

МПК: H01L 21/26

Метки: локальных, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР в хлоридном газотранспортном процессе, включающий заращивание углублений в подложке от боковых граней при подаче входного давления треххлористого мышьяка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества локальных эпитаксиальных структур GaAs за счет уменьшения толщины переходного слоя, перед заращиванием углублений подложки облучают протонами дозой 6 12 мКл/см2 и проводят заращивание при входном давлении треххлористого мышьяка 20 66 Па.

Номер патента: 1373232

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Пащенко

МПК: H01L 21/20

Метки: индия, локальных, структур, фосфида, эпитаксиальных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР ФОСФИДА ИНДИЯ, включающий создание защитной маски, формирование углублений в подложке, удаление защитной маски и эпитаксиальное заращивание углублений в подложке, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества локальных эпитаксиальных структур за счет устранения высокоомного слоя в переходной области подложка - эпитаксиальный слой, перед эпитаксиальным заращиванием углублений подложку обрабатывают в плавиковой кислоте при 80 - 106oС в течение 5 - 15 мин.

Номер патента: 1144566

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Берлин, Колоскова, Нисневич, Попова, Почуева

МПК: H01L 21/316

Метки: алюмосиликатного, локальных, пленок, создания, стекла

Способ создания локальных пленок алюмосиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины, включающий осаждение пленки по всей площади пластины, формирование на пленке маски из фоторезиста, травление пленки при температуре 15 - 30oC в водном растворе фтористоводородной кислоты, фтористого аммония и ортофосфорной кислоты и удаление фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества рисунка пленок алюмосиликатного стекла толщиной 0,3 - 1,5 мкм при содержании в нем окисла алюминия 7 - 70 мас.%, травление проводят при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Фтористый аммоний - 13 - 18Фтористоводородная кислота 49o - 4 - 7

Номер патента: 1181461

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Даровский, Лозовский, Майстренко, Скоков

МПК: H01L 21/208

Метки: зон, локальных, металлических

1. Способ изготовления локальных металлических зон для зонной перекристаллизации в поле температурного градиента, включающий нанесение на поверхность кремниевой подложки защитного слоя, вскрытие в нем окон, приведение подложки в контакт с жидким металлом - растворителем и удаление жидкой фазы с поверхности защитного слоя, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и улучшения качества зон за счет повышения их однородности и уменьшения потерь летучих компонентов, изготавливают окна в защитном слое шириной 4,5·10-4 ÷ 4·10-3 см, а контактирование осуществляют при температуре 670-1200°C в течение 0,01 ÷ 10 с.2. Способ по п.1,...

Номер патента: 1662298

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Зеленин, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/66

Метки: величины, границе, локальных, механических, напряжений, образцов, приготовления, раздела

Способ приготовления образцов для контроля величины локальных механических напряжений на границе раздела Si - SiO 2, заключающийся в том, что пленку оксида кремния отделяют от подложки путем травления кремния в смеси водорода и хлористого водорода через сформированные методом фотолитографии окна в оксиде кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет повышения скорости травления, травление осуществляют при температуре 950-1220°С при концентрации хлористого водорода 0,5-10 об.%.