Логический элемент и-не

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУр 466620 Союз Саветских Социалистических РеспуРчик(22) Заявлено 18.06,73 (21) 1936811(26-9 51) М, Кл, Н 031 с 19/3 с присоединением заявк Государственный комите Совета Министров ССС(088.8) но 05.04.75. Бюллетень1 публик по делам изооретени и открытийта опубликования описания 16,07.7 2) Авторы изобретени аумо ебар 1) Заявитель) ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТуст Изобретение относится к цифровой технике.Известен транзисторно-транзисторный логический элемент И - НЕ со сложным инвертором, содержащим дополняющие транзисторы типов п-р-п и р-п-р.Цель изобретения - повышение нагрузочной способности схемы и упрощение цепи управления сложным инвертором, содержащим дополняющие транзисторы.С этой целью в схему дополнительно ановлен транзистор типа р-п-р, эмиттер которого соединен с шиной питания, коллектор - с базой дополняющего транзистора типа р-п-р сложного инвертора и через резистор - с базой многоэмиттерного транзистора, а база дополнительного транзистора типа р-и-р соединена со средней точкой делителя на резисторах, который подключен между шиной питания и коллектором транзистора усилительного каскада,На чертеже приведена электрическая схема логического элемента И - НЕ.Логическая часть 1, выполняющая функцию И, содержит многоэмиттерный транзистор 2 и резистор 3, Сложный инвертор 4 построен на дополняющих транзисторах, 5 6 типов п-р-п и р-и-р. Цепь управления инвертором собрана на транзисторах 7, 8 и резисторах 9 - 11.Схема работает следующим образом,Когда на один или несколько входов подается низкий уровень напряжения, напряжение на базе транзистора 7 недостаточно для открывания транзисторов 7, 5. Поэтому ток 5 через резистор 11 не протекает, и транзистор8 закрыт. При этом входной ток схемы протекает через эмиттерный переход транзистора 6, резистор 3 и эмнттерный переход транзистора 2. Следовательно, транзистор 6 нахо- О дится в режиме насыщения, и высокий уровень напряжения на выходе схемы отличается от напряжения источника питания на величину напряжения насыщения этого транзистора.5 Если на всех входах схемы повышать напряжение, пропорционально повышается напряжение на базе транзистора 7, При некоторой его величине этот транзистор открывается, и через резистор 11 начинает течь ток, ко- О торый создает на нем падение напряжения,достаточное для насыщения транзистора 8.Насыщенный транзистор, шунтируя переход база-эмиттер транзистора 6, закрывает его.При дальнейшем повышении входного на пряжения транзистор 5 открывается и переходит в режим насыщения, обеспечивая на выходе схемы низкий уровень напряжения.Использование усилительного транзисторав схеме со сложным инвертором на дополня- О ющих транзисторах приводит к повышению ее466620 Предмет изобретения кп ось Составитель Ю. Наумов едактор Б. Федотов Техред М, Семенов Корректор Л, БрахнинТираж 902овета Министровоткрытийаб., д. 4/5 Изд. Мо 657И Государственного комит по делам изобретен Москва, Ж, Рауш каз 1621/19ЦНИ ПодписиСР етайка Типография, пр. Сапунова,нагрузочной способности, Кроме того, нагрузочная способность повышается благодаря подключению резистора 3 к коллектору транзистора 8 и базе транзистора 6.Когда схема закрыта, протекающий через резистор 3 входной ток, являющийся током нагрузки предыдущей схемы, уменьшается вследствие того, что резистор 3 подключен не непосредственно к источнику питания, а через эмиттерный переход транзистора 6, В открытой схеме он подключается к источнику питания через насыщенный транзистор 8.Температурная зависимость нагрузочной способности элемента меньше, чем у известных схем, вследствие большей температурной зависимости входного тока, компенсирующей изменение максимально допустимого тока нагрузки при изменении температуры. Логический элемент И - НЕ, содержащий схему И на многоэмиттерном транзи сторе и резисторе, усилительный каскад исложный инвертор на дополняющих транзисторах типа и-р-п и р-а-р, о т л и ч а ю щ и й.с я тем, что, с целью повышения нагрузочной способности и упрощения цепи управления, в 10 нем дополнительно установлен транзистор ти.па р-п-р, эмиттер которого соединен с шиной питания, коллектор - с базой дополняющего транзистора типа р-а-р сложного инвертора и через резистор - с базой многоэмиттерного 15 транзистора, а база дополнительного транзистора типа р-и-р соединена со средней точкой делителя на резисторах, который подключен между шиной питания и коллектором транзистора усилительного каскада,