Логический элемент и-не

О П И С А Н И Е (11) 5 З 1 рщзИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик(51) М. Кл.- Н 03 К 19/08 присоедин м заявки Ъ Государственный комитет Совета Министраа СССР аа делам изаарьтений и открытий(45) Дат 5.01.77 ликования описа 2) Авторы изобретения Ю.Е мов И.Ф. Пучко овский ордена Ленина авиационный институт им. Серго Орджоникидзе) Заявитель 4) ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ И к цифровой тех Изобретение относ нике,Известен логическ щий входной многоэм дополнительный р - литель напряжения иОднако известное й элемент, со терный транз стор, тор, де- торЦ.ктери- ивостьтс йвыход-транзис ой инвер ство хара ехоустойч устрой и пом зуется недостаточными быстродействием.Известен также л нт, с ический эл 2 ение нта кий элемент И-НЕ, гоэмиттерный транДля этого в логичесодержащий входной м держащий входной многоэмиттерный транзистор, дифференциальный усилитель, дополнительный О - р - и -транзистор, делитель напряжения и выходной инвертор, в котором гомехоустойчивость можно повышать примерно до величины, равной половине логического перепада Г 21.Однако это известное устройство облада ет малой помехоустойчивостью в цепях с большими уровнями помех.Целью изобретения является повыш помехоустойчивости логического элеме И-НЕ,зистор, коллектор которого подключен к базе первого О - Р - т 1 -транзистора дифференциального усилителя, коллектор которого через переход база - эмиттер дополнительного р - Л -- транзистора подключенк шине питания, база второго о - р - о --транзистора дифференциального усилителяподключена к средней точке резистивногоделителя напряжения, а коллектор - к базер - й - р -транзистора выходного инвертора, введен дополнительный и - р - о -транзистор, эмиттер которого подключен к базеО - р - б -транзистора выходного инвертора, коллектор через резистор - к среднейточке резистивного делителя напряжения, абаза - коллектору дополнительного р - о -- Р -транзистора,На фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема логического элемента И-НЕ; на фиг. 2 - передаточная характеристика элемента.Логический элемент И-НЕ 1 содержитлогическую часть, выполняющую функцию И,собранную на многоэмиттерном транзисторе3, сложный инвертор 4, собранный на транзисторах противоположного типа проводимоС ти о - р - г 1 типа 5 с резистором 6 в цепи базы и р - г 1 - Р -типа 7. К коллектору многоэмиттерного транзистора 2 подключена база транзистора 8 дифференциального усилителя 9. Другой транзистор 10 дифференциального усилителя 9 базой подключен к делителю напряжения 11 на резисторах 12 и 13, В общей цепи эмиттеров дифференциального усилителя 9 включен резистор 14. Коллектор транзистора 10 подключен к базе транзистора 7, К коллектору транзистора 8 подключется база транзистора 15 Р - й - Р -типа, эмиттер его подключен к шине питания. Между коллектором транзистора 15 и базой транзистора 5 включен транзистор 16 и - р - 0 в ти базой к коллектору транзистора 15, эмиттером - к базе транзистора 5, Коллектор транзистора 16 через резистор 17 подключен к средней точке делителя напряжения 11.Логический элемент работает следующим образом.Когда хотя бы на одном из входов элемента действует низкий уровень напряжения (логический "0"), транзистор 2 находится в насыщении и потенциал коллектора выше потенциала эмиттера на величину напряжения насыщения транзистора. В этом режиме транзисторы 8 и 15, 16 и 5 закрыты, а транзисторы 10 и 7 открыты. На выходе элемента обеспечивается высокий уровень напряжения, равный логической "1". При изменении входного напряжения от состояния логического "О" до состояния логической ф 1" происходит переключение тока из транзистора 1 0 в транзистор 8 дифференциального усилителя 9. При этом изменяют свое состояние транзисторы 5, 7, 15 и 16, Порог включения элемента определяется напряжением в средней точке резистивного делителя и равено (1)- +11 тгде Е - напряжете источника питания,Во включенном состоянии элемента транзистор 16 открыт и через его коллектор протекает ток, который приводит к изменению потенциала в средней точке резистивного делителя, При изменении входного напряжения от состояний логического "0" произойдет переключение элемента при напряже- нии+ОЮэ 1 ь Кн 5Ф (2)17 + т +1В 13 Вагде О- напряжение на эмиттерном переходе транзистора 16;ц - напряжение на переходе кодур лектор - эмиттер насыщенного транзистора5, которое определяется так же делителем напряжения 11.На выражений (1) и (2) видно, что при Ь изменении отношений между сопротивлениями резисторов 12, 13 и 17 можно управлять значениями входных пороговых напряжений.Из фиг. 2 видно, что если смещать вели- ЯО ичину О а вправо, а величину О а влеохП ох. иво, то значения О и О - характеризующие помехоустойчивость элемента, будутувеличиваться,формула изобретенияЛогический элемент И-НЕ, содержащий ЗОвходной многоэмиттерный транзистор кол 1лектор которого подключен к базе первого11 - Р - г 1 -транзистора дифференциальногоусилителя, коллектор которого через переход база - эмиттер дополнительного Р - й ЗЬр - транзистора подключен к шине питания3база второго О - р - Л - транзисторадифференциального усилителя подключена ксредней точке резистивного делителя напряжения, а коллектор - к базе р - О - Р-транзистора выходного инвертора коллекЭтор через резистор - к средней точке резистивного делителя напряжения, а база - кколлектору дополнительного р - О-транзистора,Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1, Авторское свидетельство СССР 2359763, МКИ Н 03 К 19/08 ф ш 05.07.71. 2. Авторское свидетельство СССР450365, МКИ Н 03 К 19/36, 18.06.73 (прототип).531283- -р.Г Ри Составитель В, ЛякишевРедактор А. Зиньковский ТехредА. Демьянова Корректор В. Куприяно 5/164 Тираж ИПИ Государственного коми по делам иэобрет 113035, Москва, Ж