Логический элемент “и-не

, спид-ву 2109247/18-2 3 К 193 51) Ч. Кл соединением заявки М 21092482 Государственный комитет Совета Министров СССР ло делам изобретений) ЛОГИЧЕСКИЙ 3,ЕЧЕИТ импульс:ой Изобретение ццке.Извсстсц лог СТ 05 ЩЦЙ ИЗ СОС, всрторцы. с.;с. вГрмзоьЙ тр ме объединения в режиме обогз.ТО1 ичсскцЙ э,7 еецт И -7 ицеццык между каска, и задающий ЧДП-трщения 11). НЕ, сотами ицключзст в режи- ацзистор С)РОд 1 ос2 лсцц:5 цс,носп зс С 5 Гс)о ОГисскц элсмсГ1 11-, сОдср):Ццй.зЦОй мцогоэ, цттсрцый трзц,истор, бззз которого соедицсна через рсзистор с исгоч; ком;цтз) ц 51 в ко, лскт 01 Окг 0 сп . 023 с иср црОЩСГО тр 2 цзцс Орз, э.цтср котороГО срсЗ двз последовательно включсццы резистора сос;ицсн с общей шиной, з коллектор сосдицсц срсз рсзцстор с истоцц,0. пцГзцп 5 ц 5 непосредственно с б;зор тр.:нзисто 1)з эмитсрцого повторпсля, э.птс) которо 0 ссз цослсдовзтсльцоключсццыс диод и пы;одной транзистор сос,ццсл с общей циной, ц шу ТпруОццй рзнзистор, эмцттс 1 котОрого ГОсдц сц с ОбЦСЙ ц.цой, .Оллс.тор Отор)ОГО 10 дклосц к 023 с вь.одного транзистор ц эмцттсру ицвсртирующсго транзистора, з б 135 СОС. ЦС 2 С ТОКО СОСДЦ ЦСЦ И Я 70. 5 М Ь.; ЦОСГс:Овас 7 ЦО Вкл 0 сины. 1 сзпст 0103, с,сц дополительцый д:од, зиод которого сосдпис; с базой шунтируощсго тра зистсрз, з кзтод - с эмиттсром транзистора эмиттсрцого повторителя, дополцитсльцьш эмиттср ьодного транзистора сосдицсц с эмиттсром транзистора 0 эмиттсрцого поторитсля.(22) Заявлено 28.02,7) ( Однако этот элемсцт ело)кен.Наиболее близким по технической сущности к изобретению является элемент И - 1-1 Е, содержащий в):одной многоэмиттериый транзистор, эмиттсры которого соединены со входами элемента, база соединена через резистор с источником питания, а коллектор подключен к базе ицвертирующсго транзистора, эмцттер которого через два последовательно вк,7 очеццык резистора соединен с общей шиной, а коллектор соединен через резистор с источником питацця и непосредственно с базой транзистора эмиттериого повторителя, эмиттср которого через последовательно вклочеццые диод и вы:одно транзистор соеднец с общей шиной, и шугтруощиЙ транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, коллектор подклочсц к базе выходного транзистора и эмиттеру инвертирующего транзистора, з база соединена с точкой соединения упомяцутых последовательно включсннык рсзисторов 21. 11 Г ис обл;даст досгз о - 5 и 5 ССЯ ИОЗЦС.ЦС О:.)Лсмснт 11 - 1-11. Содержит и одной )н:огоэмиттерный транзистор 1, инвсртирутощийтранзистор 2, вы);одной транзистор 3 с основным 4 и дополнительш.тм 5 эмнттерами, тпунтирутощнй транзистор 6, транзистор 7 эмиттсрного повторителя, диоды 8, 9 и резисторы 1014. Вкодные сипалы подаются иа Б);оды 15 -17, а ВЫКОдпой СИГН 2 Л СпнтсЧСТС 5 С Вы,одс 18,В СЛуисС НСНОЛЬЗОВапня 1 Ы);Одпого Трап;)Исора 3 с одпич основным эмиттсром включенысокоомньш резистор 19.Пршщип работы описываемого элементаИ - П 1: зак;иочается в следующем.ПРН ПОДст 1 Е ВЫСОКОГО ПОТСНЦИсЛст Ня БСС В .0 ды 15 - 17 транзисторы 2 и 3 вк,почены и нясьтщсны, напряжспнс на эмнттсре тр 2 нзис ГОрдзд счет резистора 19 близко к Рус 0, и он на);Одптся на границе опПрапия. 1 ри подаченизкого потенциала по крайней мере па одинИЗ В.,ОДОВ 10 - 1 / ТРД НЗИСТОР 2 3 си ИРс 1 СТСЯ, Пстн 1) 5 жс 1 Пс на еГО колс 1 сктОр с иовы ш 2 с)05, 0 1 и:рдстся транзистор 7, повышается напряжение па его эмиттерс, через емкость диода 9НОВЫШСНИС Н 2 НР 51 ЖСНИЯ ПСРСДсС 1 СЯ Н 2 ОДЗУтранзистора б, он отпирается и соич коллскТОРН 1) ТОКО) ) СКОРЯСТ РсССДСЫЬДНИС РГНЗИегора 3,При использовании вы);одного транзистора3 с Ополнитс;ьным э)игтсро)1 5 1)исстцн 5 напряжения ня эмиттсрс трдпзистора 7 на уровНе, ОЛИЗКОМ и НУГ 110, НРП ВЛ 0 ЕНИ ТРс.пзпсторов 2 и 3 Осущссвл 5 стся 32 счет тоа дополнительного эмиттсра 5 транзистора 3.Ввсдспис диода, ключсииого между базойи;унтруницсго транзистора н эчиттсром ыГо),но 0 эч иттс) ПО 0 ПООрисс 1 51, н 031 ОЛ 51 ст)1 РОСТГт С".С) ),С)СТа011 С 1 ТЬ СГО О -стродействис, а подключение дополнительного э)иттсра выо;иОго транзистора к базе эмит срно 0 ПО 10 р итсл 51 - допоснитсльно чпроспггь с);ему и снизить общую площадь кри силла кнросхс)ь. Формула нзоорстения ЛОГИсЕСий ЭЛЕМЕНТ 1 - 111:, СОдсржащнй10 модной многоэмиттсрный транзистор, оаза которого сосдинсптт через резистор с источникомпитания, я коллектор подсиочсн к базе инвертирующсго транзистора, эмиттср которого черСЗ;В 2 ПОСЛСДОсТСЛЬПО Вс 10 синь.5 рСЗИСТО 15 ра соединен с общей шиной, а коллектор через резистор соединен с исто иИком питания инепосредственно с базой транзистора эмиттерного ноторитсля, эмигтср которого через последовательно вклюеиныс диод и вы)одной20 транзистор соединен с общей шиной, и шуптируюций транзистор, эчиттср которого соединен с общей шиной, коллектор которого подСГ 10 ЧСН и ОсЗС )Ь);ОДНОГО ТР 2 НЗИСТ)Р 2 И ЭМИГТСР) ИНБСР ГИР) СИИСГО ТРсНЗИСТ 01)2. 2 Ос 32 СОСДИНЕа С тОЧКОй СОСДННСНИЯ УОтт 5 ИУЬ); Нт)- СЛСДОВдтСЛЬПО )КГОсСИНЫ); РСЗИСтОРО, О т; и "1 а 10 нй с 51 тем, что, с 1 сл 110 110 Вышсии 51быстродействия, в нео и)сдсн дополнительный диод, анод которого соединен с базойО,т шунтирующсго трднзи;тора, д катод - с эмиттСРОМ ТР 2 ИЗИСТОРа ЭчиттСРНОГО ПОВтОРнтСЛЯ,дополни тельный эмиттст) в.)со ного Грапзилора сосдинсп с эмиттсром транзистора эм;ттсриого повторителя.1 О Источники информации,нринятыс во иимдпнс при экспертизе1. 1 си СП 1"3700981, кл. 317 - 235,01.10.72,2. Здякд Яи)Пни 5 Ъ 3-85 Я 2, ,. 98(5) С 221,и 25. 05. 70. Рс тактор А. Купрвкова Тск;5 стт Л. Г.чаакова ткоррсктортт: Л. Корогод и Е. Мохова